D類MOSFT在發射機射頻功放中的應用
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2．1 全橋組態工作原理
圖4所示為射頻放大器的全橋組態，即四對MOS管用作開關。射頻激勵信號的相位情況是當射頻功放模塊接通時，這些開關中只有兩個可以組合起來。并且，在激勵信號的正半周，標示為0°的MOS管處于正半周，標示為180°的MOS管處于負半周。本文引用地址：http://www.104case.com/article/157734.htm
在射頻周期的負半周，Ql／Q3和Q6／Q8處于截止狀態，相當于開關斷開；Q2／Q4和QS／Q7則是飽和導通的，相當于開關接通。Q2／Q4和QS／Q7串聯導通電源電壓為+V，若忽略MOS管的飽和壓降，+V將全部降落在合成變壓器上。在射頻周期的正半周，Q1／Q3和Q6／Q8處于導通狀態，Q2／Q4和QS／Q7為截止狀態。Ql／Q3和Q6／Q8串聯導通電源電壓+V，+V全部降落在合成變壓器上。由圖4可見，合成變壓器初級電壓方波輸出相差180°，說明輸出電壓的峰峰值為+2V。MOS開關的作用就是有效地將整個電源電壓跨接在合成變壓器的初級繞組上，在射頻激勵信號的每半個周期是反相的。作為全橋組態，輸出就是兩倍電源電壓的射頻輸出。為了防止直流電壓通過變壓器的繞組通地，應在每部分的射頻輸出都串聯有隔直電容C。
2．2 半橋組態工作原理
以Q1／Q3和QS／Q7的工作情況為例，其工作原理如圖5所示。
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