無(wú)源RFID標(biāo)簽芯片靈敏度測(cè)試方法研究
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從以上分析可以知道，任何時(shí)候，安裝有芯片的SMA連接器只有2種接法，或者連接到標(biāo)簽測(cè)試儀，或者連接到矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀，如圖2所示。RFID測(cè)試儀和矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀的輸出阻抗均為Z0=50Ω。本文引用地址：http://www.104case.com/article/155121.htm
測(cè)試過(guò)程中，矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀能量設(shè)置為某一頻率下的最小功耗Pmin(由標(biāo)簽測(cè)試儀獲取的標(biāo)簽芯片最小可工作功率)。芯片工作在最小功耗下，由于安裝芯片的SMA頭和同軸線(xiàn)的損耗可以忽略不計(jì)，因此，所有輸入的能量或者被芯片吸收，或者全部被反射回來(lái)。由于傳輸線(xiàn)與標(biāo)簽芯片失配，標(biāo)簽芯片所接收的能量可以通過(guò)式(1)計(jì)算，即可以得到芯片的能量靈敏度。
Pth=PminTtag=Pmin(1-|Γtag|2) (1)
式中：Ttag是能量傳輸系數(shù)；|Γtag|2是能量反射系數(shù)，1-|Γtag|2即為能量傳輸系數(shù)Ttag；Pmin為利用標(biāo)簽測(cè)試儀測(cè)得的某一個(gè)頻率下芯片的最低功耗；Pth為芯片的能量靈敏度。實(shí)際測(cè)試中，利用標(biāo)簽測(cè)試儀測(cè)得芯片的最低功耗Pmin，將矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀的能量設(shè)置為Pmin，測(cè)試芯片的反射系數(shù)Γ的值，代入式(1)即可得到芯片的靈敏度。
2 芯片靈敏度測(cè)試結(jié)果
圖3將安裝有NXP_G2XM芯片的SMA頭通過(guò)同軸線(xiàn)連接到標(biāo)簽測(cè)試儀衰減器的輸出端口，掃描芯片工作所需的最低功耗Pmin隨頻率變化的情況。從圖中可以看出，在標(biāo)簽芯片和傳輸線(xiàn)不匹配的情況下，直接得到芯片功耗隨頻率變化掃描出的曲線(xiàn)。在800～1 000 MHz頻段內(nèi)，每隔10 MHz采集一個(gè)功耗值，由于測(cè)試時(shí)在標(biāo)簽測(cè)試儀的輸出口串接20 dB衰減器，因此實(shí)際功耗值如圖4所示。
評(píng)論