聯電將跳過20nm 專攻FinFET

　　聯電將跳過20納米(nm)制程節點，全力卡位14納米鰭式電晶體(FinFET)市場。由于20納米研發所費不貲，加上市場需求仍不明朗，因此聯 電已計劃在量產28納米后，直接跨過20納米節點，加速挺進更具投資效益的14納米FinFET世代，以與臺積電、格羅方德 (GLOBALFOUNDRIES)和三星(Samsung)一較高下。

　　聯電市場行銷處處長黃克勤表示，20納米制程帶來的效益將不 如從40納米演進至28納米的水準，且須導入雙重曝光(Double Patterning)方案，勢將增加一筆可觀花費，已使處理器業者的導入意愿開始動搖;再加上主要晶圓代工業者皆規畫在2015年推出16或14納米 FinFET制程，在多方權衡之下，聯電遂決定放緩20納米投資，專心克服14納米FinFET牽涉的材料摻雜、測試驗證和晶圓前后段混搭制程等技術挑 戰，以因應即將到來的FinFET市場卡位戰。

　　據悉，28納米高介電系數金屬閘極(HKMG)系一具主導性、生命周期較長的制程方 案;相形之下，20納米可能成為非主流制程(Weak Node)，因晶片效能提升與投資成本效益不一定勝過直接導入14納米FinFET，僅有一線處理器大廠為維持技術領先優勢才會計劃采用。

　　事實上，聯電在今年首季即公布其未來的制程演進藍圖與主力推動技術，其中獨漏20納米規畫已現端倪。黃克勤指出，目前聯電已將火力對準中國大陸應用處理 器開發商，以及智慧電視(Smart TV)和機上盒(STB)晶片商導入28納米制程的龐大需求商機，積極拉攏新客戶，以刺激旗下28納米制程營收成長。

　　至于下一階段的發展策略，聯電亦已押寶14納米FinFET制程，將于2015年上市，與臺積電、格羅方德和三星等大廠展開廝殺。

　　黃克勤強調，英特爾(Intel)率先投入FinFET制程量產，大幅提高處理器效能并降低功耗，近來在行動裝置品牌市場已有不錯成績;一旦其市占持續 攀升，勢將影響高通(Qualcomm)與相關晶圓代工供應鏈的投資計劃，并加速制程研發步調，以免技術差距持續被拉大。因應此一趨勢，聯電遂傾向將資源 集中在FinFET技術上，并跳過20納米制程發展以免節外生枝。