通過增益校準提高DAC積分非線性(INL)

　　在正常操作期間，如果傳到DAC的數(shù)字代碼小于中間點，轉(zhuǎn)換前使用第一個增益校準值來修正。如果傳到DAC的數(shù)字代碼大于中間點，轉(zhuǎn)換前使用第二個增益校準值來修正。通過更新圖3所示的gain trim registers(增益調(diào)整寄存器)校準即時完成。使用SoC里面的直接存儲器存取(DMA)模塊，寄存器更新速度會更快。

　　在全范圍中間改變增益修正值會產(chǎn)生調(diào)整偏移(見方程3)。這個調(diào)整偏移需要在算法的后半部分來補償 (見圖5)。　　

　　結(jié)果

　　我們來做個比較，使用傳統(tǒng)終端校驗的8位電流DAC(iDAC)沒有實施我們所講的算法之前測量的INL性能，INL大約為1.5 LSB，如圖6所示?！　?/p>

圖6：使用傳統(tǒng)終端增益校驗IDAC的INL

　　使用該算法后，INL現(xiàn)在降到0.8LSB，如圖7所示?！　?/p>

圖7：使用兩點增益校準IDAC的INL

　　結(jié)論

　　我們介紹了SoC中用于提高DAC積分非線性 (INL)的固件技術(shù)。并以PSoC^® 3為例進行了驗證。對于PSoC^® 3中的電流和電壓DAC,該方法可以使INL改善85%。