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        通過增益校準(zhǔn)提高DAC積分非線性(INL)

        作者:OnurOzbek 時間:2012-08-21 來源:電子產(chǎn)品世界 收藏

          數(shù)字模擬() 的靜態(tài)絕對精度可以從三個基本錯誤類型來描述:偏移、增益誤差和非線性。線性誤差是這三個中最具挑戰(zhàn)性的,在許多應(yīng)用中,用戶可以忽略偏移和增益誤差或者在系統(tǒng)設(shè)計中建立終端自動校驗來補償。然而,線性錯誤則需要更復(fù)雜的修正方法。

        本文引用地址:http://www.104case.com/article/135954.htm

          (見圖1)把數(shù)字輸入代碼轉(zhuǎn)換為模擬輸出信號,可能是電流或電壓。的分辨率指的是DAC能產(chǎn)生的單位輸出電平數(shù)量。例如,一個8位分辨率的DAC能夠產(chǎn)生28(256)的不同輸出電平。理想情況下,每一個數(shù)字代碼提供同等的模擬階數(shù);然而,實際上很難達到。  


        圖1:8位DAC符號

          DAC線性問題

          在介紹提高DAC積分非線性(INL)之前,最好先回顧一下如何確定其線性,如圖2所示。在DAC中,我們通常都把注意力放在兩個方面:微分非線性(DNL)和積分非線性(INL)。DNL是指實際模擬輸出階數(shù)的最大偏差,即相鄰輸入代碼之間與理想階數(shù)值(Δ) 的最大偏差。INL是指在傳遞函數(shù)中的任何點,實際輸出和理想階數(shù)的最大偏差。理想值是零和DAC滿量衡之間的一條直線 (見圖2)。  


        圖2:DAC線性誤差,DNL和INL

          傳統(tǒng)的終端校準(zhǔn)技術(shù)用來消除DAC 增益誤差。然而,增益誤差一般不會在DAC滿量程都是線性的,因為硅內(nèi)部有各種非理想體系。這些體系模式可能造成單向梯度,從而導(dǎo)致比較差的INL性能。

          非線性主要原因如下:

        • 邊緣效應(yīng),例如長度擴散(LOD)
        • 摻雜梯度
        • 氧化層厚度梯度變化導(dǎo)致閾值移位
        • 熱梯度
        • 供電線路電壓下降 ?

          因此,終端校正技術(shù)并不足以完全清除增益誤差,INL性能仍舊很差。需要輸出精度高的應(yīng)用就需要很低的INL。

          固件技術(shù)

          提高INL性能的方式之一是使用固件技術(shù)。該方法充分利用了片上系統(tǒng) ()技術(shù),在系統(tǒng)中建立兩點自動校驗。在這個例子中,我們將使用P® 3系列,其有4個多重范圍 8位電壓/電流DAC(INL約為1.5 LSB)。片上20位 Delta-Sigma模擬/數(shù)字(ADC)的 INL在12位模式下小于1 LSB。這足夠用來校準(zhǔn)8位DAC。需要固件來完成DAC輸出和ADC之間的反饋回路 (見圖3)。


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