新聞中心

        EEPW首頁 > EDA/PCB > 新品快遞 > 飛兆開發出FDMF68xx Gen III DrMOS多芯片模塊系列

        飛兆開發出FDMF68xx Gen III DrMOS多芯片模塊系列

        —— 60A多芯片模塊系列可讓設計人員滿足嚴苛的節能標準
        作者: 時間:2012-04-17 來源:電子產品世界 收藏

          新能源標準以及針對刀片式服務器、高性能筆記本電腦、游戲主機和負載點(point-of-load)模塊的新系統規范,正在推動業界對更高效率、更大電流、更高開關頻率以及更大功率密度的需求。為了配合行業發展趨勢,半導體公司(Fairchild Semiconductor)開發出 Gen III DrMOS多模塊(MCM)系列。

        本文引用地址:http://www.104case.com/article/131434.htm

          系列經設計能夠降低輸出感量和減少輸出電容器數目,與普通分立器件解決方案相比,該系列能夠節省多達50%的線路板空間,并提高效率,以期滿足新能源標準要求。使用半導體的高性能PowerTrench® MOSFET技術,系列能夠顯著減少開關振鈴(switch ringing),省去大多數降壓轉換器應用中使用的緩沖器電路。

          Gen III DrMOS MCM系列能夠支持數字和模擬PWM控制器的3.3V和5V三態PWM輸入電壓,30V器件選項使得DrMOS能夠適應筆記本電腦或UltraBookTM 電源系統的要求。Gen III DrMOS系列在1MHz以上開關頻率下提供更高的效率,更高的最大負載電流和功率密度,該系列器件采用6x6mm2 PQFN封裝,能夠達到效率標準要求并提供每相高達60A的電流?! ?/p>

         

          特性和優勢

        • 峰值效率達93%; 30A效率達91%;500KHz頻率,12VIN,1VOUT
        • 峰值效率達90%; 30A效率達88%;1MHz頻率,12VIN,1VOUT
        • 大電流處理能力:結溫100°C時60A
        • 能夠達到1.5MHz的開關頻率
        • 省去典型設計中的散熱器

          半導體Genernation III DrMOS系列器件提供業界領先技術,以應對現今設計所遇到的能效和外形尺寸挑戰。Genernation III DrMOS器件是飛兆半導體高能效的功率模擬、功率分立和光電子解決方案的一部分,能夠在功率敏感應用中實現最大節能。



        關鍵詞: 飛兆 芯片 FDMF68xx

        評論


        相關推薦

        技術專區

        關閉
        主站蜘蛛池模板: 西昌市| 西畴县| 错那县| 佛冈县| 郑州市| 浮山县| 吴旗县| 宜黄县| 汨罗市| 东乌珠穆沁旗| 中方县| 荥经县| 沙雅县| 开化县| 大姚县| 彝良县| 八宿县| 尖扎县| 阜平县| 桦甸市| 光泽县| 衢州市| 监利县| 连江县| 华容县| 庆安县| 洪洞县| 习水县| 贵定县| 平度市| 呼玛县| 田林县| 侯马市| 舟曲县| 五河县| 东兴市| 蒙自县| 黔东| 沛县| 鹰潭市| 无棣县|