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        英特爾14納米芯片進(jìn)入實(shí)驗室測試

        —— 計劃在明年一季度生產(chǎn)下一代22納米工藝Ivy Bridge架構(gòu)處理器
        作者: 時間:2011-12-15 來源:半導(dǎo)體制造 收藏

          北歐地區(qū)總經(jīng)理帕特·布萊默(Pat Bliemer)日前表示,其14納米制程工藝芯片已經(jīng)完成設(shè)計,進(jìn)入實(shí)驗室測試。

        本文引用地址:http://www.104case.com/article/127012.htm

          計劃在明年一季度開始生產(chǎn)下一代22納米工藝Ivy Bridge架構(gòu),新工藝將幫助保持對競爭對手AMD、ARM的領(lǐng)先優(yōu)勢。

          為了完成Ivy Bridge設(shè)計,英特爾創(chuàng)建了一種新架構(gòu),它使用了名為“Tri-gate”的3D晶體管技術(shù)。這種多維電子元件通過更緊密的設(shè)計加強(qiáng)的熱設(shè)計功耗指標(biāo)。英特爾還將這種設(shè)計技術(shù)利用到了更加高效的14納米制程工藝中。

          盡管更小的設(shè)計增加了生產(chǎn)復(fù)雜度,但英特爾認(rèn)為他們正有條不紊的將這種新技術(shù)應(yīng)用到生產(chǎn)過程中。

          “我只能說(14納米)芯片已經(jīng)進(jìn)入實(shí)驗室階段,不能披露更多信息,”布萊默稱,“我們的工程師確實(shí)找到了測試和生產(chǎn)14納米芯片產(chǎn)品的方法。”



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