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        誰盤踞著LED核心芯片的高地

        作者: 時間:2010-06-24 來源:LED環球在線 收藏

          作為朝陽產業,半導體照明產業的技術仍在處于不斷進步過程中,特別是關系到全球近1000億美元的通用照明市場的半導體照明白光技術還需進一步成熟,當前,日本日亞及豐田合成、美國Cree 與Lumileds、歐洲Orsram 在世界半導體照明專利市場上暫時處于技術壟斷地位,全球半導體照明產業競爭格局已盡形成。

        本文引用地址:http://www.104case.com/article/110265.htm

          目前全球初步形成以亞洲、北美、歐洲三大區域為中心的 產業格局,以日本日亞、豐田合成、美國Cree、Lumileds 和Osram等為專利核心的技術競爭格局,幾大大企業之間通過交互授權避免專利糾紛,其它企業則通過獲得這些企業的單邊授權避免專利糾紛,幾大企業各具優勢,但都專注于各自領域的高端市場,其它企業則角逐中高端、中低端乃至低端市場,構成產業的中心外圍格局。

          半導體照明的世界布局

          近年來,世界各國在半導體照明產業領域躍躍欲試、劍拔弩張,巨大的跨國商機相繼誘發催生了日本的“21世紀照明”計劃、美國的“下一代照明計劃”、歐盟的“彩虹計劃”、韓國的“固態照明計劃”、中國臺灣的“新世紀照明光源開發計劃”和中國大陸的“國家半導體照明工程”計劃等國家級照明規劃,促使日本、美國、歐盟、韓國、中國臺灣和中國大陸等國家或地區攜巨資前赴后繼地在上游的襯底制作、外延晶片生長,中游的光刻、腐蝕、金屬蒸鍍、切割和測試分選以及下游的器件封裝、集成應用等各個環節展開了激烈地競爭。

           照明產生的效益顯而易見,世界各國都在政府的大力資助下加快推進 照明取代傳統照明的步伐,日本、美國、歐盟、韓國、東南亞、我國臺灣和中國政府都制定了相應的發展計劃。

          美國:取代白熾燈熒光燈正在路上

          美國政府尤其制定了詳細的中長期半導體照明戰略計劃。根據美國固態照明 LED 發展路線圖計劃,從2002 年到2011 年,美國政府計劃每年投入0.5 億美元,來資助企業、國家實驗室和大學三方共同推動LED 照明技術的加速發展。LED 照明技術的發展目標是:發光效率將分階段從2002 年的25lm/w提高到2007 年75lm/w、2012 年的150lm/w和2020 年的200lm/w,發光成本將從2002 的200 美元/千流明降低到2007 年的20 美元/千流明、2012 年的5 美元/千流明和2020 年的2 美元/千流明。LED 照明在2007 年開始滲透進入白熾燈照明市場、2012 年進入熒光燈照明市場,而大量取代白熾燈和熒光燈將分別在2012年和2020 年。

          日本:“二十一世紀照明”發展計劃二期計劃今年實現

          日本21世紀照明計劃是由日本金屬研發中心(The Japan Research and Development Center of Metals)和新能源產業技術綜合開發機構(NEDO)發起和組織的為期5年(1998-2004)的一個國家計劃。這項計劃的參與機構包括4所大學、13家公司和一個協會,目標旨在通過使用長壽命、更薄更輕的GaN高效藍光和紫外LED技術使得照明的能量效率提高為傳統熒光燈的兩倍,減少CO2的產生。整個計劃的財政預算為60億日元。整個計劃分為5個主要領域進行,即在襯底、外延片、制造裝置、LED光源和LED光源的應用。該計劃的技術路線圖,其核心在于高質量材料的生長,高功率管芯的制備以及高效率白光熒光粉的獲得。計劃解決的問題包括:GaN基化合物半導體發光機理研究;UV LEDs的外延生長方法的改進;大尺寸同質襯底生長;開發近紫外激發的白光熒光粉,實現使用白光LED的照明光源。

          日本已經完成了“二十一世紀照明”發展計劃的第一期目標,正在組織實施第二期計劃,他們計劃到2010年,LED的發光效率達到120lm/W.

          歐洲:彩虹計劃

          歐盟設立了多色光源的“彩虹計劃”(Rainbow Project –AlInGaN for Multicolor Sources),成立了執行研究總暑,委托6個大公司和2個大學執行。

          韓國:“固態照明計劃”

          韓國的“固態照明計劃”經政府審議批準,2004-2008年國家投入1億美元,企業提供30%的配套資金,近期開始實施,預期2008年達到80 lm/W.

          韓國政府組織里有2個產業相關單位,一是主管工商業與能源的產業資源部以及主管財經的財政經濟部。產業資源部表示,目前產業資源部光電相關發展有2 大計劃,一是產業基礎技術開發計劃下之「GaN 光半導體」開發子計劃,此一國家型計劃時程自1999年12月起至2004年11月止為期5年,總經費為200億韓元,政府與民間公司出資各占一半。研究項目包括以GaN 為研究材料之白光LED,藍、綠光Laser Diode 及高功率電子組件HEMT三大領域,其中各三大領域之Leader廠商分別由Knowledge*On、Samsung Advanced Institute of Technology 及LG Institute of Technology 負責進度管理。預期效果則期望在2006 年達到替代10 億美元的進口GaN 相關產品。


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        關鍵詞: LED 芯片

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