非易失性半導體存儲器的相變機制

　　PCM被業界看好是因為兩大原因。第一原因是存儲器功能性增強：這些改進之處包括更短的隨機訪存時間、更快的讀寫速度，以及直接寫入、位粒度和高耐讀寫能力。整合今天的閃存和快速動態隨機訪問存儲器(DRAM)的部分特性，PCM技術將存儲器的功能提升到一個新的水平，最終不僅可以取代閃存，還能替代DRAM的部分用處，如常用操作碼保存和高性能磁盤緩存 (圖2) 。

　　存儲單元小和制造工藝可以升級是讓人們看好PCM的第二大理由。相變物理性質顯示制程有望升級到5 nm節點以下，有可能把閃存確立的成本降低和密度提高的速度延續到下一個十年期。

　　采用一項標準CMOS技術整合PCM概念、存儲單元結構及陣列和芯片測試載具的方案已通過廣泛的評估和論證。128 Mb高密度相變存儲器原型經過90 nm制程論證，測試表明性能和可靠性良好。根據目前已取得的制程整合結果和對PCM整合細節理解水平，下一個開發階段將是采用升級技術制造千兆位(Gbit)級別的PCM存儲器。

　　【參考文獻】

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