- 近日，恒憶(Numonyx)作為相變存儲技術(PCM)的創新者，宣布正式推出全新系列相變存儲器。該系列產品采用被稱為相變存儲(PCM)的新一代存儲技術，具有更高的寫入性能、耐寫次數和設計簡易性，適用于固線和無線通信設備、消費電子、PC和其他嵌入式應用設備。目前該產品已經量產，并向市場供貨。
這種新的嵌入式存儲器融閃存、RAM和EEPROM三大存儲器的優點于一身，一顆存儲器芯片即可實現很多新功能。新產品發布采用了新品牌Numonyx Omneo PCM，其寫入速度有望達到現有閃存的300倍，耐寫次
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- 非易失性存儲器(NVM)在半導體市場占有重要的一席之地，特別是主要用于手機和其它便攜電子設備的閃存芯片。今后幾年便攜電子系統對非易失性存儲器的要求更高，數據存儲應用需要寫入速度極快的高密度存儲器，而代碼執行應用則要求存儲器的隨機訪存速度更快。
經過研究人員對浮柵存儲技術的堅持不懈的研究，現有閃存的技術能力在2010年底應該有所提升，盡管如此，現在人們越來越關注有望至少在2020年末以前升級到更小技術節點的新式存儲器機制和材料。
目前存在多種不同的可以取代浮柵概念的存儲機制，相變存儲器(PC
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- 走在下行周期上的半導體產業碰上了30年代“大蕭條”后全球最慘烈的經濟危機，猶如雪上加霜。而作為整個行業晴雨表的存儲器更是早在去年就表現出了極大的疲軟態勢。英特爾和意法半導體剝離閃存事業部后，聯合成立的閃存公司恒憶（Numonyx）卻在今年4月掛牌營運，在這樣一個人人自危的時候，作為全球最大的閃存公司，恒憶是如何看待閃存市場前景的？
恒憶（亞洲）副總裁兼總經理 Rolf-Peter Seibl
“存儲器市場的確在一些細分市場除了先樂周期性衰退，但是我們相信
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- 恒憶公司（Numonyx）針對無線通信、嵌入式設計和數據存儲市場推出新系列NAND閃存產品。新系列產品包括32Gb（gigabits）的多級單元 (MLC) NAND閃存、32GB（gigabytes）的eMMC存儲芯片和高達8 GB的 microSD產品，全部采用先進的41nm制造工藝。對于手機、便攜導航儀等消費電子產品廠商，這些新產品將是一系列易于設計的存儲器解決方案；對于消費者，新產品將提供更大的存儲空間，他們可以在設備上保存相片、視頻和音樂，使用流行的多媒體應用程序。
從機頂盒到手機，凡
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- 恒憶（Numonyx）今天宣布與海力士半導體公司達成為期五年的協議，在飛速增長的NAND閃存領域擴展聯合開發計劃。針對NAND技術在未來五年面臨的挑戰，兩家公司將擴大NAND產品線并共同研發未來產品，進行技術創新。
根據新協議，恒憶和海力士將擴大聯合開發的范圍，共同提供領先的NAND存儲器技術和產品，并且整合資源以加快未來NAND技術及解決方案的開發。在應用于手機多芯片封裝的移動DRAM領域，雙方也將進行合作。
恒憶總裁兼首席執行官Brian Harrison表示："未來五年，在
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- 恒憶 (Numonyx) 今日宣布推出 Velocity LPTM NV-RAM 產品系列，此系列是業界最快速的低功耗雙倍數據傳輸速率 (LPDDR) 非揮發性存儲器，不但可以給手機和消費性電子產品廠商提供更高的存儲性能，而且比目前其他解決方案價格更低。這些裝置在提供高動態隨機存儲器（DRAM）內容平臺低成本解決方案的同時，還可達到比傳統NOR Flash存儲器快兩到三倍讀取頻寬的性能。恒憶 Velocity LP NV-RAM 系列的推出為該公司未來相變存儲器 (PCM) 產品提供了無縫的絕佳架構途
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