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8月22日，華虹無錫集成電路研發和制造基地二期項目12英寸生產線首批設備正式搬入。
資料顯示，2017年8月，華虹無錫一期項目落戶無錫高新區。2019年9月17日，華虹無錫集成電路研發和制造基地一期12英寸生產線正式建成投產。一期項目 (華虹七廠)投資25億美元，建成投片的一條工藝等級90 ~ 65/55納米、月產能4萬片的12英寸特色工藝集成電路生產線。
隨后在2021年4月，華虹無錫一期項目又宣布進行擴產，計劃總投資52億元，將形成一條工藝等級90-65/55nm、月產能達到6.5萬片的12英寸特色工藝集成電路芯片生產線。
2023年6月8日，華虹集團決定由華虹宏力在無錫高新區啟動實施華虹無錫集成電路研發和制造基地二期項目，投資67億美元，新建一條產能8.3萬片的12英寸特色工藝集成電路芯片生產線。6月30日，華虹無錫二期項目正式開工，在不到半年時間內，廠房主體建設就已完成70%。12月24日，華虹制造（無錫）項目主廠房鋼屋架吊裝儀式在無錫高新區舉行。
據華虹半導體于本月中旬透露，華虹無錫一期目前總產能達9.45萬片/月，幾乎所有的工藝平臺都已穩步進行規模化生產。所有五大工藝平臺均已具備在新12英寸產線上量產的準備，例如40nm及55nm新一代IC工藝以及新一代功率器件等。華虹無錫二期項目在經過一年左右的建設后目前已完成80%左右的工程，首臺設備的移入會在8月底進行，生產線至年底可完成通線，明年一季度開始釋放產能。
顯然，隨著今天華虹無錫二期項目首臺設備的移入，其進度相比之前公布的時間點還略有提前，這也意味著其年底通線、明年一季度量產的目標應該無虞。
編輯：芯智訊-浪客劍
