英特爾3納米芯片制程來了！

英特爾于周三宣布，其最新的3nm級制程技術——英特爾3，已在俄勒岡州和愛爾蘭的兩座工廠實現大批量生產。這一新工藝帶來了顯著的性能提升和更高的晶體管密度，并支持1.2V的超高性能應用電壓，適用于英特爾自有產品和代工客戶。未來幾年，英特爾3工藝將持續演進，滿足更廣泛的應用需求。

英特爾代工技術開發副總裁Walid Hafez透露：“我們的英特爾3工藝已經在俄勒岡州和愛爾蘭的工廠實現了大批量生產，涵蓋了最新推出的至強6‘Sierra Forest’和‘Granite Rapids’處理器。”

英特爾3制程工藝主要面向數據中心應用，這些應用需要通過改進晶體管性能（相較于英特爾4）來實現領先的性能表現。該工藝通過優化功率傳輸電路和減少晶體管電阻，支持<0.6V的低壓和>1.3V的高壓兩種最大負載。英特爾承諾，在相同功率和晶體管密度下，英特爾3工藝的性能將比之前提升18%。

為實現性能和密度的最佳組合，芯片設計師可以選擇使用240nm高性能和210nm高密度庫的組合。此外，英特爾客戶還可以在三種金屬堆棧之間進行選擇：14層用于成本優化，18層用于性能和成本的平衡，以及21層用于追求更高性能的應用。

目前，英特爾將首先使用3nm級工藝技術制造其至強6處理器，主要應用于數據中心領域。未來，英特爾代工廠將使用這一生產節點為客戶制造數據中心級處理器。

除了基礎芯片Intel 3，該公司還計劃提供通過硅孔支持的Intel 3T，用作基礎芯片。未來，英特爾還將為芯片組和存儲應用提供功能增強的英特爾3-E，以及性能增強的英特爾3-PT，適用于廣泛的工作負載，如人工智能（AI）、高性能計算（HPC）和通用PC。

隨著英特爾3工藝的量產，英特爾再次展示了其在半導體制造技術領域的領先地位，未來幾年，這一技術的持續發展將為數據中心和其他高性能計算應用帶來更多創新和突破。