英特爾3納米芯片制程來了！

英特爾于周三宣布，其最新的3nm級制程技術(shù)——英特爾3，已在俄勒岡州和愛爾蘭的兩座工廠實現(xiàn)大批量生產(chǎn)。這一新工藝帶來了顯著的性能提升和更高的晶體管密度，并支持1.2V的超高性能應(yīng)用電壓，適用于英特爾自有產(chǎn)品和代工客戶。未來幾年，英特爾3工藝將持續(xù)演進(jìn)，滿足更廣泛的應(yīng)用需求。

英特爾代工技術(shù)開發(fā)副總裁Walid Hafez透露：“我們的英特爾3工藝已經(jīng)在俄勒岡州和愛爾蘭的工廠實現(xiàn)了大批量生產(chǎn)，涵蓋了最新推出的至強6‘Sierra Forest’和‘Granite Rapids’處理器。”

英特爾3制程工藝主要面向數(shù)據(jù)中心應(yīng)用，這些應(yīng)用需要通過改進(jìn)晶體管性能（相較于英特爾4）來實現(xiàn)領(lǐng)先的性能表現(xiàn)。該工藝通過優(yōu)化功率傳輸電路和減少晶體管電阻，支持<0.6V的低壓和>1.3V的高壓兩種最大負(fù)載。英特爾承諾，在相同功率和晶體管密度下，英特爾3工藝的性能將比之前提升18%。

為實現(xiàn)性能和密度的最佳組合，芯片設(shè)計師可以選擇使用240nm高性能和210nm高密度庫的組合。此外，英特爾客戶還可以在三種金屬堆棧之間進(jìn)行選擇：14層用于成本優(yōu)化，18層用于性能和成本的平衡，以及21層用于追求更高性能的應(yīng)用。

目前，英特爾將首先使用3nm級工藝技術(shù)制造其至強6處理器，主要應(yīng)用于數(shù)據(jù)中心領(lǐng)域。未來，英特爾代工廠將使用這一生產(chǎn)節(jié)點為客戶制造數(shù)據(jù)中心級處理器。

除了基礎(chǔ)芯片Intel 3，該公司還計劃提供通過硅孔支持的Intel 3T，用作基礎(chǔ)芯片。未來，英特爾還將為芯片組和存儲應(yīng)用提供功能增強的英特爾3-E，以及性能增強的英特爾3-PT，適用于廣泛的工作負(fù)載，如人工智能（AI）、高性能計算（HPC）和通用PC。

隨著英特爾3工藝的量產(chǎn)，英特爾再次展示了其在半導(dǎo)體制造技術(shù)領(lǐng)域的領(lǐng)先地位，未來幾年，這一技術(shù)的持續(xù)發(fā)展將為數(shù)據(jù)中心和其他高性能計算應(yīng)用帶來更多創(chuàng)新和突破。