良率已接近N3E，臺積電N3P將按計劃在下半年投產

5月16日消息，據臺媒報道，晶圓代工大廠臺積電近期分享了其3nm（N3）家族的最新進度，相對于N3E來說，N3P將進一步提高性能效率和晶體管密度，目前的良率也已經接近N3E，將按原訂計劃于今年下半年投產。

據介紹，最初的N3（又名N3B）生命周期較短，蘋果是唯一主要客戶。N3E制程為N3B寬松版本，取消一些EUV層，也犧牲一些晶體管密度，但有助于降低生產成本，并擴大制程窗口（process window）和良率。N3E已按計劃于去年第四季開始量產，目前N3E的D0缺陷密度與N5相當，已經有多家大客戶采用，相關客戶產品都有出色產量表現。對臺積電客戶來說，他們都能相對較快地從改進制程中獲益。

至于計劃今年下半年量產的N3P制程，臺積電表示，N3P已經完成認證，良率表現已接近N3E。在相同漏電率下，N3P制程能提高4%性能，或在相同主頻下功耗降低9%，整體晶體管密度提高了4%。

由于N3P是N3E光學微縮版，IP模塊、制程規則、電子設計自動化（EDA）工具和設計方法等都與前者兼容，因此臺積電預計大多數新推出的芯片Tape-Out將使用N3P，而非N3E或N3，因為N3P成本比N3低，性能效率卻比N3E高。

臺積電高管指出，目前已成功交付N3P技術，也通過認證，良率、性能接近N3E。該技術也獲得產品客戶下線，預計下半年開始生產。由于N3P的優勢，預期N3上大部分客戶的新產品將轉至N3P制程。

編輯：芯智訊-浪客劍