臺積電A16制程為何不用High NA EUV光刻機？

5月16日消息，此前英特爾已宣布完成了業界首臺商用的高數值孔徑（High NA）EUV光刻機的組裝工作，并且有消息顯示英特爾已經包下了ASML今年全部的High NA EUV光刻機的產能，但是相比之下，臺積電卻對于應用High NA EUV光刻機并不積極，其最新公布的A16（1.6nm）制程并不會采用該設備。

近日臺積電業務開發資深副總經理張曉強表示，雖然對High NA EUV能力印象深刻，但設備價格過高（超過3億歐元），因此臺積電將使用目前的常規EUV設備再延續幾年技術，包括A16制程。

張曉強指出，臺積電現有EUV能力可支持芯片生產到2026年底，屆時A16制程技術將根據目前路線圖推出。

據介紹，A16將結合臺積電的超級電軌（Super PowerRail）構架與納米片晶體管，預計于2026年量產。相較于N2P制程，A16在相同Vdd（工作電壓）下，速度增快8-10%，在相同速度下，功耗降低15-20%，芯片密度提升高達1.10倍，以支持數據中心產品。

而英特爾為了實現在制程工藝上領先臺積電目標，正非常積極的嘗試最新的High NA EUV光刻機，預期將會被用于Intel 14A制程的量產。而預計在2025年商用的Intel 18A仍將繼續采用常規的Low NA EUV光刻機，以達到最佳的制程技術平衡與成本效益。

英特爾表示，High-NA EUV可減少掩膜數量，提高分辨率并簡化芯片制造制程。掩膜包含芯片設計，舊款機器需要依賴更多掩膜，來產生更高分辨率的芯片。

編輯：芯智訊-浪客劍