業界領先！昕感首發1200V/7mΩ SiC MOSFET芯片！

近日，昕感科技面向新能源領域推出一款重量級SiC MOSFET器件新產品（N2M120007PP0），實現了業界領先的超低導通電阻規格1200V/7mΩ。

眾所周知，對于電動汽車來說，電驅動系統是最為核心的部分。而在電機驅動系統中，MOSFET通常作為電機逆變器的關鍵元件，將直流電源轉換為交流電源，以驅動三相電機運轉。在這過程中，從電能到機械能的轉換效率即電驅動系統效率就顯得極其重要。

相對于傳統的硅基MOSFET來說，SiC MOSFET得益于SiC材料的加持，具有更低的導通電阻、更低的開關損耗、更高的擊穿電場強度和高溫穩定性，可以使電機驅動系統具有更高的效率、更高的功率密度，并且擁有更長的使用壽命。

目前，眾多的電動汽車都開始向800V高壓平臺遷移，需要 800V—1200V的功率元器件支持。而更高效的1200V SiC MOSFET正是電動汽車800V高壓平臺必不可少的關鍵器件。

對于SiC MOSFET來說，導通電阻是一項重要的性能指標，反映了器件在導通狀態下的損耗和效率。在1200V的工作電壓下，SiC MOSFET通常具備更低的導通電阻，可以實現更高的功率密度和更低的能量損耗。

雖然目前一些國際大廠的SiC MOSFET的導通電阻可以控制在1200V/3mΩ以下，但是國產SiC MOSFET廠商由于起步相對較晚，目前導通電阻水平多數都還是在1200V/10mΩ以上。顯然，昕感科技的1200V/7mΩ SiC MOSFET芯片已經達到了業界領先的水平。

據介紹，昕感這款新品基于車規級工藝平臺，采用先進結構和制造工藝，兼容18V柵壓驅動，配合TO-247-4L Plus封裝，有力提升了國產碳化硅器件的性能。新產品瞄準新能源汽車主驅等亟需高壓大電流與低損耗的功率半導體開關應用，助力新能源領域快速更新換代，為國家“碳達峰、碳中和”目標的實現做出貢獻。

昕感新品采用出色的TO-247-4L Plus封裝，具備開爾文源極和低熱阻等優勢，能夠顯著降低開關損耗及震蕩，提升器件散熱表現。

昕感新品工作電流可達300A以上，具有正溫度系數，可方便實現大電流并聯。同時，昕感新品的漏電流極低（<1μA@1200V），具備優越的高壓阻斷特性。

△N2M120007PP0器件部分靜態特性

昕感新品已完成一系列動態測試和可靠性考核（HTRB、pHTGB、nHTGB、H3TRB等），在不同條件下正常動態開關。

△N2M120007PP0器件800V/200A下的開關波形

除TO-247-4L Plus等單管封裝外，昕感1200V/7mΩ SiC MOSFET芯片也可封裝進定制化功率模塊，便于廣泛實現其在汽車主驅等新能源領域中的應用。

昕感科技聚焦于第三代半導體碳化硅功率器件和功率模塊的技術突破創新和產品研發生產，致力于成為國內領先和具有國際影響力的功率半導體變革引領者。昕感科技擁有從器件到模塊再到應用的全流程高度定制化技術能力，能夠匹配各領域客戶需求，幫助客戶快速建立差異化競爭優勢。

昕感科技已在650V、1200V、1700V等電壓平臺上完成數十款碳化硅器件和模塊產品量產。其中，1200V SiC MOSFET產品具有80mΩ、40mΩ、21mΩ直至7mΩ等導通電阻規格，模塊產品對標EasyPACK、62mm、EconoDUAL等封裝形式。1200V/80mΩ SiC MOSFET已通過AEC-Q101車規級可靠性認證，也標志著在此工藝平臺上開發的多款更低導通電阻器件達到車規級可靠性水平。

編輯：芯智訊-浪客劍