臺積電已開始試產3nm芯片,英特爾希望有更多產能配額
此前就有媒體報道,臺積電(TSMC)將在2022年下半年量產N3制程節點,并計劃推出名為N3E的增強型3nm工藝,量產時間為2023年下半年。相比之下,三星在3nm制程節點引入了全新的GAAFET全環繞柵極晶體管工藝,并在2022年上半年量產第一代3nm工藝。
臺積電總裁魏哲家曾表示,N3制程節點仍使用FinFET晶體管的結構,是為客戶提供最佳的技術成熟度、性能和成本。在臺積電3nm工藝技術推出的時候,將成為業界最先進的PPA和晶體管技術,N3制程節點將成為臺積電另一個大規模量產且持久的制程節點。N3E作為N3的擴展,將擁有更好的性能和功耗表現。
據TechTaiwan報道,臺積電近期已經在Fab 18中啟動了3nm芯片的試生產,按照時間表,第一批3nm芯片將會在2023年初出貨。臺積電N3制程節點專為智能手機和高性能計算(HPC)芯片而設計,在N5制程節點上進一步應用極紫外光刻(EUV)技術,光罩層數將超過20層。臺積電承諾N3工藝相比N5工藝,性能可提高10%-15%,或者降低25%-30%的功耗。
早有傳聞英特爾和蘋果已率先獲得臺積電N3制程節點的產能,前者會將該工藝使用在2023年發布的Meteor Lake上,制造GPU模塊。據DigiTimes報道,臺積電第一批N3制程節點的產能不到6萬片晶圓,到2023年上半年,月產量將提高到4萬片晶圓以上,產能非常有限。近期蘋果和英特爾正在爭奪有限的N3制程節點產能,英特爾高層人員甚至親自到中國臺灣與臺積電管理層見面,希望進一步拉近關系爭取更多產能配額,并商談N2制程節點的合作。
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