國內碳化硅行業的真實現狀！

太陽能行業還是做了不少好事，現在國內9N的硅粉也不是啥大問題；
2. 碳化硅粉：5N湊合，6N有問題；檢測體系不完善，大規模供應這些近兩千臺爐子，年產幾百萬片的幾十個襯底項目，真把爐子都開起來，粉料奇缺！低于$100/kg的高質量6N碳化硅粉料源，低成本技術方案，奇缺！
3. 碳化硅長晶/晶圓 -  4H導電，奇缺能上車的晶圓質量，及產量，成本… 這個沒辦法，國內真正在長晶的，長了二十多年，基本也到了一個瓶頸，也就是技術和燒錢迭代的瓶頸，6寸晶圓的缺陷密度/良率，需要再降低一兩個數量級，這個需要的時間預計是，5-10年，讓一個企業集中所有國內能長晶的教授級高工，集中精力好好迭代往各個改善方向同時燒個幾百爐子，加快迭代進度！關鍵是，現在這個爐耗產出比，它不賺錢有點憂郁啊！那些個玩資本講故事的，不應該算在這個產業。算在房地產行業更合適！
4. 碳化硅外延片5-20um，N型外延，不是問題；襯底片不好，不夠，才是問題！
器件只談有Fab產線的：

5. 碳化硅器件- MPS/JBS二極管二極管 - 650/1200V 20A及以下，良率不是問題，成本性價比，湊合；能穩定批量量產的，北京/無錫/上海/廈門 那四家廠都沒啥大問題，唯一有問題的是好的能上車的襯底片來源；
但1700V及以上的二極管，良率和批次穩定性及綜合成本，依然不太樂觀；我是看過其中幾家的實際數據的，關鍵是有時候還分析不清楚良率不好不穩定的原因。不全在襯底和外延片質量，數據對不上！
50A及以上的二極管，良率不好；但這有一多半是片子的問題；
6. 碳化硅MOSFET器件- 平面結構3 - 10mOhm， 20A及以下，有一家真的是有四寸的批量，成本性價比和良率/可靠性，有待改善，暫時還不敢有企業裝上車，做個充電樁充充電，可以有；
無錫/上海/廈門 那幾家廠都在開發和樣品階段，沒什么批量數據；
一句話總結：平面MOSFET，能良率穩定大批量量產上車的，沒有！3mOhm 50A以上，批量穩定良率超過40%，沒有！
7. 碳化硅MOSFET器件- 溝槽結構—— 五年計劃開發中-ing…完全自主專利結構產品 — 沒有！
國外MOSFET器件情況：

1. CREE- 只做平面，沒有溝槽；但CREE平面結構性能暫時兩三年還不差于溝槽；
2. 日本Rohm - 雙溝槽批量發貨；專利有點小問題在打官司；可靠性之前雙向OBC有點小糾紛；
3. ST - 650V 50A特供特斯拉Model 3，大概一千多臺，車剛跑了一年多；
4. Infenion - 半包溝槽；良率未知，但這個結構最大的優勢就是在溝槽里比較結實點；但將來如果8寸有了好光刻機，進一步縮減Pitch有點小困難；
一句話總結：國外碳化硅MOSFET器件主要量產發貨是溝槽，已經上車了，量能逐步放大；但聽說的是，普遍6寸片MOS良率，不到65%，加上可靠性篩選良率，也不太樂觀！但相比國內，至少五年差距！
IP布局方面，將來會不會形成硅IGBT時代類似的專利壁壘，不太好說！

個人看法總結：

1. 長晶和襯底晶圓是“卡脖子”核心技術，是整個產業鏈的共性技術。
單個市場化運營的企業燒錢迭代有點困難，企業有盈利模式壓力，投資人需要盈利能力報表好看快速套現，完全期望企業高投入高風險燒錢改進迭代，動力不大；

—— 需要有一個類似德國Fraunhofer研究所，或者歐洲IMEC類似的國家戰略投入的非盈利研究機構，來長期投入，解決這種共性技術問題！

2. 前沿器件新結構研發
—不能再重復硅IGBT的故事，溝槽結構，超結結構，需要提前布局研發；各種靠譜不靠譜的可能結構繁多，單靠企業投入研發成本高昂，需要能實際團結一致的類似日本AIST的產業聯合研究機構去投入，或者類似美國Power American的國家實驗室聯盟機構，非盈利模式的研究開發共有IP和技術授權；

 —Ga2O3，AlN，金剛石等新材料體系，需要提前布局；企業顯然還沒有精力顧及；我們需要沒有利益沖突的非盈利研究投入的一方，需要中國的Fraunhofer，中國的IMEC!

來源：碳化硅芯片學習筆記