后摩爾時代誰是最終答案？第三代半導體呼聲漸漲

第三代半導體正是材料環節的創新，被視作超越摩爾定律相關技術發展的重點之一。

今日（6月17日）A股第三代半導體集體走強，截至收盤，聚燦光電、臺基股份、三安光電、露笑科技、奧海科技、新潔能、斯達半導、北方華創、士蘭微、海特高新均封漲停，華潤微、揚杰科技、賽微電子等個股紛紛跟漲。

此前5月14日，劉鶴主持召開國家科技體制改革和創新體系建設領導小組第十八次會議，討論了面向后摩爾時代的集成電路潛在顛覆性技術。

材料工藝是芯片研發的主旋律，第三代半導體正是材料環節的創新，被視作超越摩爾定律相關技術發展的重點之一。與前兩代半導體相比，以GaN、GaAs為代表的第三代化合物半導體材料物理特性優勢明顯，下游應用廣泛。

天風證券分析師潘暕報告指出，新材料是芯片制造工藝中的核心挑戰，是芯片性能的提升的基石，后摩爾時代，看好第三代半導體。以碳化硅SiC為例，相較于傳統硅材料具有高系統穩定度、系統及裝置小型化、縮短充電時間、延長電動車續航力等，將漸取代硅基功率器件于車載端的應用。

據《2020“新基建”風口下第三代半導體應用發展與投資價值白皮書》指出，2019年我國第三代半導體市場規模為94.15億元，預計2019-2022年將保持85%以上平均增長速度，到2022年市場規模將達到623.42億元。

從GaAs、GaN和SiC市場競爭格局來看，目前化合物半導體產業鏈各環節以歐美、日韓和中國臺灣企業為主，大陸企業在技術實力、產能規模和市場份額方面與領先企業均具有不小差距，市場話語權較弱。

以GaN為例，GaN器件產業鏈包括上游襯底及外延片、中游器件設計與制造和下游產品應用等環節，目前行業模式以IDM為主，但設計與制造環節已開始出現分工。其中，住友電工在GaN襯底領域一家獨大，市場份額超過90%，外延片龍頭包括IQE、COMAT等；GaN制造環節代表性企業包括穩懋、富士通和臺積電，大陸方面以三安光電為代表。

華泰證券分析師黃樂平認為，國產替代和半導體技術發展進入后摩爾時代是未來十年半導體 行業投資的兩條主線。東莞證券分析師羅煒則表示，在5G基建、5G終端射頻和新能源車等多重推動，以及化合物半導體的國產替代趨勢下，未來成長空間廣闊，相關廠商有望迎來較好的發展機遇。