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        IBM全球首發2nm!3.33億晶體管/mm2,性能比7nm芯片高45%

        發布人:芯東西 時間:2021-05-09 來源:工程師 發布文章
        全球首個2nm芯片制造技術發布!IBM要與三星英特爾合作研發。

        編譯 |  溫淑
        編輯 |  心緣

        芯東西5月7日報道,昨日,美國科技企業IBM發布全球首個2nm制程芯片制造技術。

        目前該技術仍在概念驗證階段,可能還需幾年才能投入市場。路透社報道稱,IBM已與三星、英特爾簽署了聯合開發協議。


        從理論上來說,2nm制程芯片相比現有可量產的7nm、5nm制程芯片,在晶體管密度、性能、功耗等方面能實現大幅提升。

        IBM預計,2nm制程技術或能實現在“指甲蓋”大小的芯片上集成約500億晶體管;據國外科技媒體AnandTech報道,IBM 2nm制程或能在每平方毫米芯片上集成3.33億個晶體管。相比之下,臺積電5nm制程每平方毫米約有1.71億個晶體管,三星5nm制程每平方毫米約有1.27億個晶體管。

        性能和功耗方面,相比7nm芯片,2nm芯片的性能可提升45%、功耗有望降低75%。IBM并未說明對比的7nm芯片是由臺積電還是三星生產。




        用納米級絕緣材料防“漏電”,采用GAA工藝


        構成芯片的基本單元晶體管,可被視作是控制電流的開關。隨著芯片制造制程漸趨先進,單個晶體管開關的“尺寸”越來越小,其對電流的控制能力受到影響,即使在關閉狀態下也可能發生“漏電”。這也是實現先進制程的一大難題。

        IBM高級副總裁兼IBM研究院(IBM Research)主管Darío Gil在接受路透社采訪時稱,IBM科學家通過使用幾納米厚的絕緣材料來阻止電流泄露,以解決上述問題。

        據國外科技媒體AnandTech報道,IBM并未說明其2nm芯片采用的具體工藝,但根據圖片推測應為三棧全柵極工藝(three-stack GAA)。目前,臺積電和三星在5nm和3nm節點均采用鰭式場效應晶體管(FinFET)結構,在3nm制程之后或將轉向GAA工藝。IBM的三棧GAA工藝使用75nm的單元高度,40nm的單元寬度,單個納米片(nanosheet)的高度為5nm,納米片間距為5nm,柵間距(CPP)為44nm,柵極長度(gate length)是12nm。據IBM方面分享,2nm制程芯片首次采用了底部電阻隔離通道技術(bottom dieletric isolation channel),使12納米的柵極長度成為可能;其內部隔離器則采用第二代干法工藝設計,有助于納米片的開發。此外,2nm制程芯片的基板工序(FEOL)采用了極紫外線光刻(EUV)技術進行加工。

        根據IBM發布的新聞稿,2nm制程芯片制造技術,能夠助力手機、數據中心、PC、自動駕駛等領域應用實現性能飛躍。

        具體來說,在手機領域,2nm制程芯片或能使手機電池續航時間“翻兩番”,即用戶每4天為手機充電一次。

        數據中心目前占據了全球1%的能源消耗,通過將處理器替換為2nm制程產品可大大降低這一數字。

        對于PC產品來說,2nm制程芯片有助于加快應用程序處理速度、更容易地翻譯語言、更快速地接入互聯網。

        在自動駕駛領域,2nm芯片能夠助力目標檢測算法更快運行,進而幫助提升自動駕駛汽車的反應時間。


        已與三星英特爾簽約,采取合作研發模式


        在IBM全球首發2nm芯片制造技術背后,該公司在半導體領域已有幾十年的研發歷史,此前還曾全球首發7nm、5nm芯片制造技術。

        Darío Gil稱:“這(發布全球首個2nm芯片制造技術)是一個示范,表明了持續投資和合作研發的生態系統能夠帶來突破性的進展。”

        IBM研究院旗下共有12個實驗室,分布在美國紐約、加州、德州等多個地區。

        據悉,IBM的半導體研發工作主要由位于紐約州首府奧爾巴尼的實驗室承擔。在該實驗室中,IBM科學家與公共或私營部門的合作伙伴共同進行技術攻關。本次發布的2nm芯片制造技術的研發工作也由這個實驗室承擔。

        2014年,IBM將芯片制造業務出售給了美國芯片制造商格羅方德,目前不具備芯片規模量產能力。據路透社報道,IBM已與芯片制造商三星和英特爾簽署了使用IBM芯片制造技術的聯合開發協議。



        尚處于概念驗證階段,商用價值仍待挖掘


        從理論上來說,IBM發布的2nm芯片制造技術能夠較5nm技術實現大幅性能提升。但是,該2nm芯片制造技術還處于概念驗證階段,離具備商用價值任重道遠。

        目前,全球突破10nm及以下先進制程生產工藝的玩家僅有臺積電和三星。兩家公司的10nm、7nm、5nm制程均已實現商用,目前正進行3nm攻關。

        根據此前臺積電公布相關信息,相比5nm制程,3nm相同功耗下性能可提升10~15%,預計能在2021年第四季度實現量產。


        結語:絕緣材料來“救場”,摩爾定律仍有希望


        隨著芯片制程逼近物理極限,有關“摩爾定律將死”的預言時不時就會出現。但是,每當人類科學站在下一代制程節點“面前”,總有新的技術涌現出來,維持著摩爾定律繼續向前發展。目前,IBM全球首發的2nm芯片制造技術距離商用量產還需要更多時間與技術累積。盡管如此,這亦說明了或許這場人類對先進芯片制程的追逐戰,遠未到達終局。


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        關鍵詞: IBM

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