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投資10nm/3D NAND 晶圓廠設(shè)備支出今年增3.7%
- 國際半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(SEMI)最新報(bào)告指出，3D NAND、DRAM與10奈米制程等技術(shù)投資，將驅(qū)動2016年晶圓廠設(shè)備支出攀升，預(yù)估2016年包括新設(shè)備、二手或?qū)?In-house)設(shè)備在內(nèi)的前段晶圓廠設(shè)備支出將增長3.7%，達(dá)372億美元;而2017年則可望再成長13%，達(dá)421億美元。 SEMI指出，2015年晶圓廠設(shè)備支出為359億美元，較前一年微幅減少0.4%;預(yù)測2016年上半年晶圓廠設(shè)備支出可望緩慢提升，下半年則將開始加速，為2017年儲備動能。2017年相關(guān)支出可望回復(fù)兩位數(shù)成
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2016年迎3D NAND技術(shù)拐點(diǎn)，誰輸在起跑線？
- 為了進(jìn)一步提高NAND Flash生產(chǎn)效益，2016年Flash原廠將切入1znm(12nm-15nm)投產(chǎn)，但隨著逼近2D NAND工藝可量產(chǎn)的極限，加快向3D技術(shù)導(dǎo)入已迫在眉睫，2016年將真正迎來NAND Flash技術(shù)拐點(diǎn)。 1、積極導(dǎo)入48層3D技術(shù)量產(chǎn)，提高成本競爭力 與2D工藝相比，3D技術(shù)的NAND Flash具有更高的性能和更大的存儲容量。3D技術(shù)若采用32層堆疊NAND Flash Die容量達(dá)128Gb，與主流2D 1y/1znm 128Gb相比缺乏成本競爭力。
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3D NAND技術(shù)謹(jǐn)慎樂觀 中國存儲產(chǎn)能有望釋放
- 全球DRAM市場先抑后揚(yáng)。2015年DRAM收入預(yù)計(jì)下降2.4%，2016年將下降10.6%，有望在2017年與2018年迎來復(fù)蘇。但是，預(yù)測隨著中國公司攜本地產(chǎn)品進(jìn)入DRAM市場，DRAM價(jià)格將在2019年再次下降;占2014年內(nèi)存用量需求20.9%的傳統(tǒng)產(chǎn)品(桌面PC與傳統(tǒng)筆記本電腦)產(chǎn)量預(yù)計(jì)在2015年下降11.6%，并在2016年進(jìn)一步下降6.7%。 DRAM市場2016年供過于求 近期，我們對于DRAM市場的預(yù)測不會發(fā)生顯著變化;2015年與2016年將遭遇市場總體營收下滑，而在
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Stratasys與Creaform在中國大陸與香港地區(qū)強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)手，共同開拓3D市場
- 3D 打印和增材制造解決方案的全球領(lǐng)導(dǎo)者 Stratasys Ltd.(納斯達(dá)克代碼：SSYS)上海分公司與便攜式 3D 測量解決方案和工程服務(wù)領(lǐng)域的全球領(lǐng)航者Creaform形創(chuàng)中國，今天聯(lián)合宣布將兩公司的戰(zhàn)略合作拓展至中國大陸與香港地區(qū)。 Stratasys與形創(chuàng)的此次合作，將為市場提供更加整合的3D解決方案，讓用戶得以同時(shí)利用前沿的3D掃描技術(shù)與3D打印技術(shù)，完成從輸入端的產(chǎn)品掃描到輸出端的產(chǎn)品成型，確保工作流程一氣呵成。此次合作將以教
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重磅：3D Systems宣布退出消費(fèi)級3D打印市場
- 上周，全球3D打印行業(yè)領(lǐng)先企業(yè)3D Systems公司向其旗下消費(fèi)型的在線3D打印市場Cubify.com的注冊用戶發(fā)送了一封電子郵件，宣布關(guān)閉Cubify.com，并停止零售3D打印產(chǎn)品，比如珠寶和手機(jī)外殼等。當(dāng)時(shí)這封電子郵件讓很多人難以置信，在即將進(jìn)入2016年之際，這位3D打印巨頭為什么要突然退出消費(fèi)零售市場?會不會是該公司的郵件系統(tǒng)被黑了?遺憾的是，2015年12月28日，該公司正式確認(rèn)了這個消息。 據(jù)了解，3D Systems宣布將撤出“消費(fèi)級”市場，轉(zhuǎn)向看似更
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智能硬件與嵌入式系統(tǒng)和英特爾Real Sense技術(shù)
- 本文基于全國嵌入式學(xué)術(shù)研討會，對智能硬件與嵌入式系統(tǒng)內(nèi)容分析、回顧及對物聯(lián)網(wǎng)時(shí)代智能硬件應(yīng)該如何發(fā)展做出思考。同時(shí)文中介紹了英特爾Real Sense技術(shù)和應(yīng)用。
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3D Touch火紅 供應(yīng)鏈樂
- 蘋果iPhone 6s新機(jī)加入壓力感測3D Touch功能，預(yù)料將帶動市場風(fēng)潮。目前已有華為、中興等品牌新機(jī)支援壓力感測功能，科技網(wǎng)站傳出，三星新一代旗艦機(jī)Galaxy S7，也搭載壓力感測，可望帶動TPK宸鴻(3673)等相關(guān)概念股表現(xiàn)。 三星供應(yīng)商新思日前已發(fā)表新的 “ClearForce”壓力觸控解決方案，可以區(qū)別按壓力道大小，做出不同回應(yīng)，并與全球 OEM和 LCM大廠進(jìn)行合作中，外傳三星已與新思洽商采用此一技術(shù)。 法人表示，壓力感測器概念股包括敦泰、F-臻
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3D Touch引爆市場 國產(chǎn)壓力觸控廠商加速布局
- 一場觸控界的革新，因?yàn)樘O果的參與而讓市場沸騰起來。新iPhone9月10日(北京時(shí)間)發(fā)布后，搭載的3D Touch技術(shù)讓消費(fèi)者們對手機(jī)操控有了新鮮感。這讓壓力觸控廠商們很是興奮，經(jīng)歷了長久蟄伏期之后，他們看到了潛在的市場爆點(diǎn)。不過興奮的同時(shí)，產(chǎn)業(yè)鏈廠商們也沒有太過樂觀，因?yàn)榘沧渴袌霾攀且袌龅年P(guān)鍵，而這恐怕還需等待一段時(shí)間。 為部分App帶來革命性體驗(yàn) 壓感觸控技術(shù)是指在現(xiàn)有手機(jī)平面操作的基礎(chǔ)上增加第三種維度——重力感應(yīng)，根據(jù)力度的不同，調(diào)用的菜單也有所區(qū)別。而
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FinFET/3D NAND前景亮 推升半導(dǎo)體設(shè)備需求
- 鰭式電晶體(FinFET)與3D NAND有助實(shí)現(xiàn)更高運(yùn)算/儲存效能、低耗電量與低成本，滿足車載裝置、物聯(lián)網(wǎng)和穿戴式裝置發(fā)展需求，因此半導(dǎo)體設(shè)備商應(yīng)用材料(Applied Materials)看好FinFET與3D NAND飛躍增長的潛力，已研發(fā)相關(guān)的蝕刻機(jī)臺和磊晶技術(shù)。 應(yīng)用材料副總裁兼臺灣區(qū)總裁余定陸指出，隨著先進(jìn)制程發(fā)展，該公司產(chǎn)品開發(fā)有兩大重點(diǎn)方向，一是電晶體與導(dǎo)線技術(shù)，另一個是圖形制作與檢測技術(shù)。 應(yīng)用材料副總裁兼臺灣區(qū)總裁余定陸表示，從28奈米到20奈米，甚至發(fā)展至16/14奈
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CMOS傳感3D-IC產(chǎn)能拉升 晶圓級封裝設(shè)備需求增
- 微機(jī)電(MEMS)/奈米技術(shù)/半導(dǎo)體晶圓接合暨微影技術(shù)設(shè)備廠商EVGroup(EVG)今日宣布，該公司全自動12吋(300mm)使用聚合物黏著劑的晶圓接合系統(tǒng)目前市場需求殷切，在過去12個月以來，EVG晶圓接合系列產(chǎn)品包含EVG560、GEMINI以及EVG850TB/DB等訂單量增加了一倍，主要來自于晶圓代工廠以及總部設(shè)置于亞洲的半導(dǎo)體封測廠(OSAT)多臺的訂單;大部份訂單需求的成長系受惠于先進(jìn)封裝應(yīng)用挹注，制造端正加速生產(chǎn)CMOS影像感測器及結(jié)合2.5D和3D-IC矽穿孔(TSV)互連技術(shù)的垂直
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