- 隨著存儲器容量越來越大，NAND Flash產業制程在進入20納米制程后，也開始遇到瓶頸，業界在未來制作更大容量存儲器上，面臨是否繼續發展納米的抉擇。日本方面盡管在微縮的技術上些微領先最大競爭對手公司韓國三星電子(Samsung Electronics)，但短期內該技術也將可能面臨瓶頸，因此如東芝(Toshiba)及爾必達(Elpida)等公司，均已決定投入3D存儲器的開發。
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爾必達 NAND
- 內存的成本高昂，今年 NAND 在家庭主機和手持設備上的密集度仍將提高 40% 以上，而這是游戲最主要的游戲環境。
今年家用游戲主機的 NAND 平均密度預計達 923MB，較去年的 649MB 提高 42.2%。今年手持游戲設備的 NAND 平均密度則預計自去年的 87MB 增長 41.4%，達 123MB。
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Sony NAND
- LSI公司日前宣布推出一款 MegaRAID CacheVault技術，用于為 LSI MegaRAID 6Gb/s SATA+SAS RAID 控制卡提供基于閃存的高速緩存保護功能。MegaRAID CacheVault 采用固態 NAND 閃存，能夠在電源發生故障的時候自動將高速緩存中的數據轉移到閃存中，從而為存儲在 RAID 控制器緩存中的數據提供強大的保護。CacheVault 技術避免了采用鋰離子電池的麻煩，并可節約相關的硬件維護成本，從而實現更環保、總體成本更低的高速緩存保護解決方案。
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LSI NAND
- 據IHS iSuppli公司的NAND閃存研究報告，盡管NAND閃存成本較高妨礙其進入游戲硬件，但2011年家庭游戲機與手持游戲機中的NAND密度將增長40%以上。
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索尼 NAND
- 三星電子一家新的存儲半導體制造廠將于9月投入運營。消息人士說，新廠編號為“Line-16”，主要生產NAND芯片。
2010年5月時，三星在韓國京畿道(Gyeonggi Province)華城(Hwaseong)破土動工，建立新的工廠。此前三星曾透露說，Line-16工廠月產20萬片12寸圓晶。
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三星 NAND
- 日前東芝和SanDisk在日本建立了第三家半導體工廠，以應對智能手機和平板電腦的快速發展而帶來的對閃存芯片的大量需求。該工廠主要生產300毫米晶片NAND半導體，工廠名稱為“Fab 5”。
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東芝 NAND
- 東芝株式會社 與Sandisk公司日前共同慶祝位于日本三重縣四日市東芝生產基地的第三家300mm晶圓NAND生產工廠Fab 5正式投產。
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東芝 NAND
- 摘要 基于Flash存儲器的Hamming編碼原理，在Altera QuartusⅡ7．0開發環境下，實現ECC校驗功能。測試結果表明，該程序可實現每256 Byte數據生成3 Byte的ECC校驗數據，能夠檢測出1 bit錯誤和2 bit錯誤，對于1 bit錯誤
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Flash FPGA NAND ECC
- 最近舉辦的Semicon West2011半導體業界大會上，三星與蘋果之間的知識產權爭端事件顯然會是一個有趣的話題。目前，三星正準備于8月份開始量產蘋果手機/平板電腦用 A5 SoC芯片。而且他們最近花費36億美元對奧斯汀芯片廠進行了升級，使其產能能夠在NAND或邏輯芯片產品之間自由切換，不過三星顯然希望能夠在保住蘋果 芯片訂單的前提下繼續拓展自己的代工業務。
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三星 NAND
- 據IHS iSuppli公司的研究，東芝在2011年第一季度NAND閃存市場大有要超過三星之兆，這兩家廠商的市場份額差距從2010年第四季度的1.1個百分點縮小到只有0.3個百分點。長期以來，三星一直是最大的NAND閃存廠商。
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東芝 NAND
- 據IHS iSuppli公司的研究，2011年第一季度NAND閃存領域爭奪頭號排名的競爭加劇，排名第二的東芝接近與三星電子平起平坐。長期以來，三星一直是最大的NAND閃存廠商。
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NAND 閃存
- 根據集邦科技(Trendforce)旗下研究部門DRAMeXchange表示，截自六月十六日6:00pm為止，由于大部分買方與賣方就六月上旬NAND Flash合約價格的談判尚未告一段落，因此六月份NAND Flash合約價將等到各家廠商價格談定后DRAMeXchange才會公布。
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平板電腦 NAND
- 行動裝置風潮崛起使得PC DRAM需求式微，自2011年起包括Mobile RAM、服務器DRAM等，儼然已成為DRAM廠最佳避風港，然在各家存儲器大廠一窩蜂搶進下，Mobile RAM已率先發難，出現供過于求警訊，日廠爾必達(Elpida)傳出原本爆滿的Mobile RAM產能將轉回作PC DRAM，加上近日PC DRAM價格再度崩跌至瀕臨1.5美元保衛戰，DRAM廠12寸廠產能陷入苦尋不到避風港困境。
存儲器業者表示，PC市場成長趨緩是 DRAM產業致命傷，而平板計算機崛起讓每臺系統DRAM
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DRAM NAND
- Hynix半導體公司在近日舉辦的2011VLSI研討上宣布成功研發出了20nm制程64Gbit 多位元型(MLC)NAND閃存芯片，Hynix稱這款產品是業內首款基于20nm制程的大容量MLC NAND閃存芯片。
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Hynix NAND
- 南韓半導體大廠海力士半導體(Hynix)主要NAND Flash產品群，近期將從原本的30納米制程轉換至20納米級制程。海力士目前整體NAND Flash產量，以26納米制程產品比重逾50%為最大。
海力士相關人員表示，26納米制程NAND Flash比重至2011年3月底約為40%，6月已超越50%，月底可望提升到50%中段。26納米制程產品將逐漸取代32納米制程產品，成為海力士主力產品。
NAND Flash為非揮發性內存芯片，即使中斷供電也能儲存信息，是智能型手機、平板計算機等行動裝
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海力士 NAND
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