全球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出新系列邏輯電平柵極驅動溝道HEXFET功率MOSFET。該器件具有基準通態電阻 (RDS(on)) 和高封裝電流額定值，適用于高功率DC電機和電動工具、工業電池及電源應用。
新系列基準MOSFET采用了IR最新的溝道技術，可在4.5V Vgs下實現非常低的RDS(on) ，顯著改善了熱效率。此外，這些器件具有更高的電流額定值，多余瞬變可以帶來更多防護頻帶，并可減少由
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IR 溝道 MOSFET
Maxim推出具有同步整流的雙通道、Quick-PWM降壓控制器MAX17031，用于為電池供電系統產生5V/3.3V電源。器件內置100mA線性穩壓器，以產生上電或其它低功耗、“常備電路”所需的5V偏置電壓。控制器還包含一路低電流(5mA)，“始終開啟”的線性穩壓器，當筆記本電腦的其它所有調節器關閉時為實時時鐘(RTC)供電。MAX17031能夠為筆記本電腦、便攜式PC及其它便攜式設備提供完整的、節省空間的電源方案。
器件采用低邊MOSFET
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Maxim MOSFET 控制器
飛兆半導體公司(Fairchild Semiconductor) 為便攜應用的設計人員帶來具有業界最低RDS(ON) 的20V 2mm x 2mm x 0.55mm 薄型MicroFET MOSFET器件。FDMA6023PZT是采用緊湊、薄型封裝的雙P溝道MOSFET，能夠滿足便攜設計的嚴苛要求，采用延長電池壽命的技術，實現更薄、更小的應用。FDMA6023PZT采用超薄的微型引線框架的MicroFET 封裝，相比傳統的MOSFET，它具有出色的熱阻，能提供超卓的功率耗散，并可減少傳導損耗。該器件采
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Fairchild MOSFET
前不久，能源之星發布了2.0版外部電源能效規范。新規范大幅提高了工作頻率要求，同時進一步降低待機功耗要求。例如，為了滿足新規范，2.5W（5V，0.5A）外部電源的最低效率必須達到72.3%，新規范要求空載功耗應低于300mW，這些都比目前使用的規范有了大幅提高。不僅是外部電源，很多手持式產品及家電產品，同樣面臨著低功耗的考驗。以手機為例，隨著智能手機的功能越來越多，低功耗設計已經成為一個越來越迫切的問題。
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MOSFET 節能
Diodes 公司推出有源OR'ing控制器芯片ZXGD3102，使共享式電源系統的設計人員能以高效MOSFET取代散熱阻流二極管，從而在對正常運行時間要求苛刻的電信、服務器及大型機應用中，實現更低溫度的運行、更少的維護和更可靠的操作。
Diodes 亞太區技術市場總監梁后權表示，傳統上用于電源故障保護的肖特基阻流二極管的熱耗散很高，這與其很強的0. 5V 正向壓降有直接關系。如果用典型正向電壓低于100mV的導通電阻較低的MOSFET替代二極管，功耗將明顯減少。ZXGD3102正是為了控
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Diodes MOSFET
飛兆半導體公司 (Fairchild Semiconductor) 為設計人員提供一系列能夠提升汽車應用功耗、噪聲免疫能力和瞬態電壓性能的柵極驅動器FAN7080x系列，讓工程師開發出在所有操作條件下更準確、精密的燃油噴射控制系統，從而提高燃油效率。這些柵極驅動器在高邊和橋驅動器應用中驅動 MOSFET 和 IGBT，如直接燃油噴射系統和電機控制。與市場上同類器件相比，它們的靜態功耗減少一半以上 (靜態電流100µA對比240µA)，容許設計人員優化系統和擴大工作范圍。這些產品
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Fairchild 柵極驅動器 MOSFET IGBT
盡管一直高于全球的發展速度，中國電源管理半導體市場在經歷了多年的快速增長之后，正不斷放緩步伐，特別是在去年被金融海嘯波及之后。但是，隨著國家政策刺激拉動整機設備制造保持增長，今后兩年中國的市場需求整體也將繼續較快增長，預計增長幅度將與金融海嘯最肆虐的2008年持平甚至略高。
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電源管理 節能 IGBT MOSFET 數字電源 穩壓器 200903
許多電子設計應用要求的激勵源幅度超出了當前市場上大多數任意波形/函數發生器的能力，包括電源半導體應用，如汽車電子系統和開關電源中廣泛使用的MOSFETs和IGBTs，氣相色譜和質譜檢測器使用的放大器，以及科學和工業應用中使用的其它設備。本文描述了使用外部放大器生成高幅度信號的傳統方法，然后討論了典型應用，說明了使用集成高幅度階段的新型任意波形/ 函數發生器的各種優勢。
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泰克 MOSFET IGBT 200903
電動工具由于其設計輕巧、動力強勁、使用方便等優點，在各種場合得到了廣泛的應用。電動工具一般采用直流有刷電機配合電子無級調速電路實現，具有起動靈敏并可正反調速等功能，如手電鉆、電動起子等。無級調速電路一
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系統 可靠性 電動工具 提高 MOSFET 選擇
產品特性：
耐壓650V
STY112N65M5:最大導通電阻為0.022Ω（漏極電流為93A）
STW77N65M5:最大導通電阻0.038Ω（漏極電流為66A）
采用了改進Super Junction結構
應用范圍：
太陽能電池功率調節器
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意法 MOSFET IGBT
電子產品世界,為電子工程師提供全面的電子產品信息和行業解決方案,是電子工程師的技術中心和交流中心,是電子產品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網絡家園
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MDmeshV MOSFET RDS
自從美國TI公司推出通用可編程DSP芯片以來，DSP技術得到了突飛猛進的發展。DSP電源設計是DSP應用系統設計的一...
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DSP CPU 電源芯片 MOSFET
??????? NCP370保護便攜設備免受浪涌損傷，并控制反向電流來保護便攜設備附件，不需使用外部元件。
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??????? 2009年2月3日 - 全球領先的高性能、高能效硅解決方案供應商安森美半導體(ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ONNN)推出業界首款集成型雙向器件，為手機、MP3/4、個人數字助理(PDA)和GPS系統提
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安森美 OVP OCP MOSFET
Vishay Intertechnology, Inc. 宣布推出新型 20-V 和 30-V p-通道 TrenchFET® 功率 MOSFET --- Si7633DP和Si7135DP。這次推出的器件采用 SO-8 封裝，具有 ±20-V 柵源極電壓以及業內最低的導通電阻。
現有的同類 SO-8 封裝器件額定電壓下導通電阻僅低至 24 mΩ ，而Vishay的 Si7633DP 具有 3.3 mΩ （在 10 V
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MOSFET
Diodes公司擴展其IntelliFET產品系列，推出全球體積最小的完全自保護式低壓側MOSFET。該ZXMS6004FF元件采用2.3 mm x 2.8mm扁平SOT23F封裝，與正在使用的7.3 mm x 6.7mm SOT223封裝的元件相比節省了85%的占板空間。
雖然SOT23F的扁平封裝體積小巧，但其卓越的散熱性能可使ZXMS6004FF提供三倍于同類較大封裝元件的封裝功率密度。這款最新IntelliFET的導通電阻僅為500m?，能夠使功耗保持在絕對極小值。
ZXMS
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Diodes MOSFET ZXMS6004FF
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