- 電子產品世界,為電子工程師提供全面的電子產品信息和行業解決方案,是電子工程師的技術中心和交流中心,是電子產品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網絡家園
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LDO IC MOSFET
- 模擬信號處理及功率管理解決方案供應商 Zetex Semiconductors 近日推出三款為有限驅動電壓應用設計的N 溝道增強模式 MOSFET。 這三款新產品分別為 20V 的ZXMN2B03E6 （SOT236封裝）、ZXMN2B14FH和ZXMN2B01F（兩者均為SOT23封裝）。這些器件均具有1.8VGS條件下的低損耗開關功能，可以使用兩個1.2V 電池或一個鋰離子電池驅動。其超低柵極驅動意味著可
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MOSFET Zetex 超低柵極驅動 電源技術 模擬技術
- 能夠驅動工業應用中高達 30A/1200V 的 MOSFET FOD3180/FOD3181與飛兆半導體領先業界的功率產品系列相輔相成， 為設計人員提供由毫瓦至千瓦的完整功率解決方案 飛兆半導體公司 (Fairchild Semiconductor) 領先業界的功率產品系列又添新成員，宣布推出高頻光隔離MOSFET柵極驅動器系列的全新產品，能夠在工業應用中驅動高達30A/1200V的MOSFET。FOD3180 (2A) 和F
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MOSFET 單片機 飛兆半導體 光隔離 嵌入式系統 柵極驅動器
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MOSFET
- 傳統上，開關電源（SMPS）是用一個基本的模擬控制環路來實現的，但數字信號控制器（DSC）技術的最新發展使得采用全數字...
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反饋 MOSFET 驅動
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IGBT MOSFET 汽車
- 英飛凌推出新一代MOSFET節能器件，助力電源制造商實現能效目標 英飛凌科技股份公司（FSE/NYSE：IFX）日前發布應用于計算機、電信設備和消費電子產品的直流/直流變換器的新一代功率半導體產品家族。全新的OptiMOS® 3 30V N溝道MOSFET家族可使標準電源產品的可靠性和能源效率提高1%至1.3%，并在導通電阻、功率密度和門極電荷等主要功率轉換指標上達到業界領先水平。 許多電源產品，如用于服務器、筆記本電腦、等離子或液晶電視以及游戲機的電源產
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MOSFET 電源技術 節能器件 模擬技術 英飛凌
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MOSFET
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MOSFET
- 由于鋰電池的體積密度、能量密度高，并有高達4.2V的單節電池電壓，因此在手機、PDA和數碼相機等便攜式電子產品中獲得了廣泛的應用。為了確保使用的安全性，鋰電池在應用中必須有相應的電池管理電路來防止電池的過充電、過放電和過電流。鋰電池保護IC超小的封裝和很少的外部器件需求使它在單節鋰電池保護電路的設計中被廣泛采用。
然而，目前無論是正向（獨立開發）還是反向（模仿開發）設計的國產鋰電池保護IC由于技術、工藝的原因，實際參數通常都與標準參數有較大差別，在正向設計的IC中尤為突出，因此，測試鋰電池保護IC的實
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- 1 引言
TPS54350是德州儀器(TI)新推出的一款內置MOSFET的高效DC／DC變換器．采用小型16引腳HISSOP封裝．連續輸出電流為3 A時，輸入電壓范圍為4．5 V~20 V。該變換器極大地簡化了負載電源管理的設計，使得設計人員可直接通過中壓總線(而不依賴額外的低電壓總線)為數字信號處理器(DSP)、現場可編程門陣列(FPGA)及微處理器供電。TPS554350 SWIFT(采用集成FET技術的開關)DC／DC變換器的效率高達90％以上，非常適用于低功耗工業與商用電源、帶液晶顯示屏(LC
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MOSFET 電源技術 模擬技術 信號處理 模擬IC 電源
- Vishay推出一款網上工具，可供設計人員詳細模擬在各種應用中Vishay Siliconix MOSFET 在運行時的熱效應情況及其受鄰近元件的影響如何。 Vishay 新推出的 ThermaSim™（可從 http://www.vishay.
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- 意法半導體（紐約證券交易所代碼：STM)推出了新系列功率MOSFET產品的第一款產品。 通態電阻極低，動態特性和雪崩特性非常優異，新系列產品為客戶大幅度降低照明應用的傳導損耗、全面提升效率和可靠性帶來了機會。 商用照明應用市場對更高的功率密度和更低的成本的日益增長的需求激勵半導體制造商挑戰器件優化的極限。新產品STD11NM60N就是一個這樣的挑戰半導體器件技術極限的實例，該產品采用ST自主開發的第二代 MDmeshTM 技術，最大通態電阻 RDS&nb
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- 新處理器對電源的要求越來越高，快速的負載階躍響應、嚴格的輸出電阻限制以及快速的輸出變化都是必不可少的。因此，選用合適的控制器至關重要。
同樣的控制器，不同的電感和電容
首先來看現有的控制器。對于臺式計算機和一些較大的筆記本電腦來說，具有最小紋波電流的四相控制器為負載階躍提供最快速的響應。但是，必須有足夠高的開關頻率以所需的轉換速率來響應負載瞬變，還需要MOSFET來保證低的導通電阻RDSON并且使高頻開關損耗最小。
如果需要提高開關頻率，那么需要增加控制器反饋環路的帶寬以提供足夠快的響應，可是大
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MOSFET 電源技術 工業控制 模擬技術 模擬IC 電源 工業控制
- 瑞薩科技發布符合第二階段產品標準的第二代 “集成驅動器MOSFET（DrMOS）” 實現CPU穩壓器應用的業界最高效能 --與瑞薩科技當前的產品相比，在引腳兼容的同樣封裝中可降低超過20%的功率損耗— 瑞薩科技公司（Renesas Technology Corp.）宣布，推出采用56引腳QFN封裝。該器件集成了一個驅動器IC和兩個高端/低端*1功率MOSFET的R2J20602NP，可用于PC、服務器等產品的CPU穩壓器（VR）。樣品供貨將從2006年12月在日本開始。 R2
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DrMOS MOSFET 單片機 電源技術 集成驅動器 模擬技術 嵌入式系統 瑞薩
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