IR推出新型邏輯電平溝道MOSFET

　　全球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出新系列邏輯電平柵極驅動溝道HEXFET功率MOSFET。該器件具有基準通態電阻 (RDS(on)) 和高封裝電流額定值，適用于高功率DC電機和電動工具、工業電池及電源應用。

　　新系列基準MOSFET采用了IR最新的溝道技術，可在4.5V Vgs下實現非常低的RDS(on) ，顯著改善了熱效率。此外，這些器件具有更高的電流額定值，多余瞬變可以帶來更多防護頻帶，并可減少由多個MOSFET共享高電流的并行拓撲結構的元件數目。與典型封裝額定值相比，由于封裝電流額定值高達195A，TO-220、D2PAK和TO-262封裝的改善超過了60%;與標準D2PAK封裝相比，7引腳D2PAK進一步降低了多達16%的RDS(on) ，功能更為完善。

　　IR亞洲區銷售副總裁潘大偉表示：“新推出的邏輯電平柵極驅動溝道MOSFET具有基準RDS(on) ，能夠由微控制器或弱電池驅動，提升其在輕負載條件下的效率。這些新元件非常適合高電流DC-DC轉換和DC電機驅動應用。”

　　新型邏輯電平溝道MOSFET系列的電壓范圍為40V至100V。該系列已獲得工業級和MSL1潮濕敏感度認證，更具備所有標準功率封裝，包括TO-220、D2PAK、TO-262 以及7引腳D2PAK。新元件不含鉛并符合電子產品有害物質管制規定 (RoHS) 。