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        STY112N65M5:ST太陽能電池功率調節器用MOSFET

        作者: 時間:2009-02-25 來源:電子產品世界 收藏
                產品特性:
        • 耐壓650V
        • STY112N65M5:最大導通電阻為0.022Ω(漏極電流為93A)
        • STW77N65M5:最大導通電阻0.038Ω(漏極電流為66A)
        • 采用了改進Super Junction結構
                應用范圍:
        • 太陽能電池功率調節器

                半導體(ST)開發出了用于配備太陽能電池功率調節器的。耐壓650V,有最大導通電阻為0.022Ω(漏極電流為93A)的“STY112N65M5”和最大導通電阻0.038Ω(漏極電流為66A)的“STW77N65M5”。

                此前,太陽能電池功率調節器一直使用,但由于的導通電阻不斷降低,因此正逐漸取代

                ST公司通過改進Super Junction結構,實現了耐壓650V的低導通電阻。具體而言,將在n型底板垂直方向上伸長的p型區域的寬度和間隔減少一半,使單位面積的導通電阻由原來的約30mΩcm2降至約20mΩcm2。

                為涉足太陽能電池市場,ST公司此次將主要面向筆記本電腦AC適配器和平板電視的該公司原產品的600V耐壓設定為650V。耐壓值是25℃下的測量結果。由于隨著溫度降低,耐壓也降低,因此針對有時設置在室外的太陽能電池系統,提高了耐壓。

                STY112N65M5和STW77N65M5均將于2009年4月開始供應樣品。


        關鍵詞: 意法 MOSFET IGBT

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