國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出IRF6718 DirectFET MOSFET。這款新型25V器件提供業界最低的通態電阻 (RDS(on))，并且使動態ORing、熱插拔及電子保險絲等DC開關應用達到最佳效果。
IRF6718在新款大罐式DirectFET封裝中融入了IR新一代硅技術，提供極低的通態電阻(在10V Vgs時典型為0.5mΩ)，同時比D2PAK的占位面積縮小60%，高度縮小85%。新器件大幅減少了有關旁路元件的傳導
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IR MOSFET DirectFET
飛兆半導體公司 (Farichild Semiconductor)為智能電話、手機、上網本、醫療和其它便攜式應用的設計人員帶來一款單一P溝道MOSFET器件FDZ197PZ，能夠實現更高的效率水平和更小的外形尺寸。FDZ197PZ在VGS= 4.5V時提供64mOhm之RDS(ON) 值，較同類解決方案低15%，且占位面積僅為1mm x 1.5 mm，在提高效率之余，同時減少了電路板空間需求。該器件采用WL-CSP封裝，比占位面積相似的傳統塑料封裝MOSFET具有更佳功耗和傳導損耗特性。FDZ197P
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Farichild MOSFET FDZ197PZ ESD
意法半導體(紐約證券交易所代碼：STM)公布截至2009年6月27日的第二季度及上半年的財務報告。
意法半導體2009年第2季度收入總計19.93億美元，包含被ST-Ericsson合并的前愛立信移動平臺的全部業務，和1800萬美元的技術授權費。凈收入環比增幅20%，反映了意法半導體所在的所有市場以及全部地區的需求回暖，特別是中國和亞太地區的需求增長強勁。因為商業大環境的原因，在所有市場以及各地區第2季度的凈收入低于去年同期水平，但電信市場和亞太地區的表現則例外。
總裁兼首席執行官 Car
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ST MOSFET MEMS GPS 無線寬帶
通用測試
電容-電壓(C-V)測試廣泛用于測量半導體參數，尤其是MOSCAP和MOSFET結構。此外，利用C-V測量還可以對其他類型的半導體器件和工藝進行特征分析，包括雙極結型晶體管(BJT)、JFET、III-V族化合物器件、光伏電池、MEMS器件、有機TFT顯示器、光電二極管、碳納米管(CNT)和多種其他半導體器件。
這類測量的基本特征非常適用于各種應用和培訓。大學的研究實驗室和半導體廠商利用這類測量評測新材料、新工藝、新器件和新電路。C-V測量對于產品和良率增強工程師也是極其重要的，
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吉時利 C-V測試 半導體 MOSFET MOSCAP
凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出低靜態電流、兩相雙路輸出同步降壓型 DC/DC 控制器 LTC3858/-1。該器件在一個輸出有效時僅消耗 170uA 電流，而兩個輸出都有效時消耗 300uA。兩個輸出都關斷時，LTC3858/-1 僅消耗 8uA，非常適用于汽車和筆記本電腦應用。LTC3858/-1 的 4V 至 38V 寬輸入電源范圍能夠針對負載突降和冷車發動情況所常見的汽車寬輸入電壓瞬變提供保護作用，并涵蓋多種電池化學組成。輸出電流高達 20A
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Linear MOSFET 控制器
恩智浦半導體(NXP Semiconductors，由飛利浦創立的獨立半導體公司)今日宣布推出全球首款N通道、1毫歐以下25V MOSFET產品，型號為PSMN1R2-25YL，它擁有最低的導通電阻RDSon以及一流的FOM 參數。該產品是迄今為止采用Power-SO8封裝(無損耗封裝：LFPAK)中擁有最低導通電阻RDSon的MOSFET，也是恩智浦現有MOSFET系列的延伸。最新一代MOSFET器件集高性能Power-S08 LFPAK封裝與最新Trench 6硅技術于一體，可在各種嚴苛應用條件下
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NXP MOSFET PSMN1R2-25YL Power-SO8
飛兆半導體公司 (Fairchild Semiconductor) 為設計人員帶來業界領先的雙MOSFET解決方案FDMC8200，可為筆記本電腦、上網本、服務器、電信和其它 DC-DC 設計提供更高的效率和功率密度。該器件在3mm x 3mm MLP模塊中集成了經優化的控制 (高側) 和同步 (低側) 30V N溝道MOSFET，二者均使用的專用先進高性能PowerTrench® 7 MOSFET技術，提供出色的低RDS(ON)、總體柵極電荷(QG)和米勒電荷 (QGD)，這些性能最大限度地
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Fairchild MOSFET PowerTrench FDMC8200
Diodes公司推出新型ZXMC10A816器件，它采用SO8封裝，包含一對互補100V增強式MOSFET，性能可媲美體積更大的獨立封裝器件。ZXMC10A816適用于H橋電路，應用范圍包括直流風扇和逆變器電路、D類放大器輸出級以及其他多種48V應用。
Diodes 亞太區技術市場總監梁后權指出：“這個N通道和P通道組合的MOSFET能夠代替采用SOT223及DPak (TO252) 封裝的同等器件，有助減省電路板空間及元件數目，同時簡化柵極驅動電路設計。比方說，SO8充分發揮了
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Diodes MOSFET ZXMC10A816
Diodes 公司推出四款半橋MOSFET 封裝，為空間受限的應用減少了元件數量和PCB尺寸，極大地簡化了直流風扇和 CCFL 逆變器電路設計。
Diodes 亞太區技術市場總監梁后權指出：“ZXMHC 元件為SO8封裝，包含兩對互補N型和P型MOSFET，可取代四個分立式SOT23封裝的MOSFET或兩個SO8 互補MOSFET 封裝。對于現有不同類型的電機或其它感性負載驅動裝置來說，這意味著可節省至少一半的PCB占板面積，同時大幅降低整體存貨成本。”
ZXM
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Diodes MOSFET 半橋器件 ZXMHC SO8
Maxim推出內置升壓開關的低電壓、降壓調節器MAX17083。該器件專為空間緊張的應用而設計，在微小的16mm² TQFN封裝中集成了雙路n溝道MOSFET功率開關。內部25mΩ、低邊功率MOSFET能夠提供高達5A的持續負載電流，在保證高效率的同時減少了元件數量。MAX17083無需外部肖特基二極管以及外部升壓二極管，進一步節省了空間和成本。這款小型降壓調節器理想用于超便攜移動PC (UMPC)、上網本、便攜式游戲機及其它緊湊的低功耗應用。
MAX17083采用電流模式
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Maxim 降壓調節器 MAX17083 MOSFET
今日在深圳舉辦的中國國際電源展覽會上，英飛凌科技宣布推出OptiMOS™ 3 75V功率MOSFET系列。全新推出的這個產品系列具備業內領先的導通電阻(RDS(on))和品質因素(FOM, Qg * RDS(on))特性，可在任何負載條件下，降低開關模式電源(SMPS)、電機控制和快速開關D類功放等電源產品的功率損耗并改善其整體能效。
OptiMOS™ 3 75V功率MOSFET系列，是交流/直流開關模式電源(譬如面向全球市場的臺式機和計算機服務器裝備的電源)的同步整流的
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英飛凌 MOSFET OptiMOS SMPS
本文描述了不對稱半橋轉換器的基本工作原理，并介紹了一種相比普通分立式MOSFET及PWM控制器解決方案具有顯著優勢的集成式功率開關。此外還闡釋了這種專門為軟開關轉換器而設計的功率開關如何降低設計總成本和元件數目、減小尺寸和重量，同時提高效率、產能和系統可靠性。
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飛兆 SMPS PWM MOSFET PCB版圖設計 200906
國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出AUIRS2003S 200V IC，適用于低、中、高壓汽車應用，包括汽車預電充開關、步進驅動器和DC-DC轉換器。
AUIRS2003S符合AEC-Q100標準，是一款堅固耐用、靈活的高速功率MOSFET驅動器，并備有高、低側參考輸出通道，適用于惡劣的汽車環境及引擎罩下的應用。這款輸出驅動器具有高脈沖電流緩沖級，可將驅動器跨導降至最低，而浮動通道可在最高200V的高側配置中驅動一個 N 溝道功率MOSFET。
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IR MOSFET 驅動器IC
全球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出一系列新型 25V 及 30V N通道溝道 HEXFET 功率 MOSFET 。它們針對同步降壓轉換器和電池保護增強了轉換性能，適用于消費和網絡領域的計算應用。
新 MOSFET 系列采用了 IR 經過驗證的硅技術，可提供基準通態電阻 (RDS(on)) ，并且提高了轉換性能。新器件的低傳導損耗改善了滿載效率及熱性能，即使在輕負載條件下，低轉換損耗也有助于實現高效率
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IR MOSFET 硅技術
Diodes公司應用的高熱效率、超小型DFN封裝的雙器件組合技術,推出便攜式充電設備的開關。
Diodes 亞太區技術市場總監梁后權先生指出，DMS2220LFDB和 DMS2120LFWB把一個20V的P溝道增強模式MOSFET與一個配套二極管組合封裝，提供2mm x 2mm DFN2020及3mm x 2mm DFN3020兩種封裝以供選擇。DMP2160UFDB則把兩個相同的MOSFET組合封裝成DFN2020形式。
與傳統便攜式應用設計中常用的體積較大的3mm x 3mm封裝相
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Diodes MOSFET DFN封裝
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