新聞中心

        EEPW首頁 > 電源與新能源 > 新品快遞 > IR推出增強型25V及30V MOSFET

        IR推出增強型25V及30V MOSFET

        —— 適用于負載點同步降壓轉換器應用
        作者: 時間:2009-05-15 來源:電子產品世界 收藏

          全球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱) 推出一系列新型 25V 及 30V N通道溝道 HEXFET 功率 。它們針對同步降壓轉換器和電池保護增強了轉換性能,適用于消費和網絡領域的計算應用。

        本文引用地址:http://www.104case.com/article/94404.htm

          新 系列采用了 經過驗證的,可提供基準通態電阻 (RDS(on)) ,并且提高了轉換性能。新器件的低傳導損耗改善了滿載效率及熱性能,即使在輕負載條件下,低轉換損耗也有助于實現高效率。

           亞洲區銷售副總裁潘大偉表示:“這些新型 采用 Power QFN 封裝,可比 SO-8封裝提供更高的功率密度,同時保持相同的引腳排列配置。新型雙 SO-8 MOSFET 還可通過‘二合一’交換來減少元件數目,滿足不同應用的要求。”

          單雙 N通道 MOSFET 現已開始供應。除了 D-PAK、I-PAK 和 SO-8 封裝之外,單個 N通道器件也可在高量產時實現優化,采用 PQFN 5×6mm 和 3×3mm 封裝,而雙 N通道器件則采用 SO-8 封裝。新器件符合電子產品有害物質管制規定 (RoHS) ,可以不含鹵素。



        關鍵詞: IR MOSFET 硅技術

        評論


        相關推薦

        技術專區

        關閉
        主站蜘蛛池模板: 荃湾区| 辽阳县| 东光县| 鄄城县| 岳西县| 西乌珠穆沁旗| 桐城市| 二手房| 社旗县| 大埔区| 娱乐| 金山区| 永修县| 偏关县| 南昌县| 三门县| 泰州市| 武平县| 辽阳县| 陈巴尔虎旗| 阜新市| 金秀| 年辖:市辖区| 九台市| 托克托县| 东山县| 元朗区| 十堰市| 忻州市| 乌鲁木齐县| 台州市| 武强县| 息烽县| 清丰县| 鄂托克前旗| 金乡县| 松江区| 洞口县| 米林县| 林芝县| 静宁县|