MOSFET封裝節省占板空間并提高充電器性能

　　Diodes公司應用的高熱效率、超小型DFN封裝的雙器件組合技術,推出便攜式充電設備的開關。

　　Diodes 亞太區技術市場總監梁后權先生指出，DMS2220LFDB和 DMS2120LFWB把一個20V的P溝道增強模式MOSFET與一個配套二極管組合封裝，提供2mm x 2mm DFN2020及3mm x 2mm DFN3020兩種封裝以供選擇。DMP2160UFDB則把兩個相同的MOSFET組合封裝成DFN2020形式。

　　與傳統便攜式應用設計中常用的體積較大的3mm x 3mm封裝相比，DFN2020節省了55%的PCB空間;僅0.5mm的板外高度，也比傳統封裝薄了50%，符合下一代產品設計的要求。用于這些封裝的MOSFET均具有低柵電荷，在 1.8V VGS下的典型R DS(ON)為86m?，以確保開關及導通損耗最小。

　　為了進一步提升效率，應用于這些封裝的二極管是Diodes自己的高性能超勢壘整流器 (SBR)。憑借其僅有0.42V的典型低正向壓降，SBR的功率損耗遠低于傳統肖特基二極管。