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        ultra c sic 文章 最新資訊

        蘋果M系列芯片王者!M2 Ultra來了:Mac Pro首發搭載

        • 1月12日消息,據MacRumors爆料,蘋果正在測試Mac Pro,它將在今年春季亮相,這款設備搭載蘋果M2系列最強版本M2 Ultra。據爆料,M2 Ultra包含了24顆CPU核心和76顆GPU核心,對比M1 Ultra的20顆CPU、64顆GPU核心,前者性能進一步提升。另外,按照M1 Ultra的邏輯,蘋果M2 Ultra應該是將兩顆M2系列芯片組合到了一起,借助UltraFusion封裝架構,把硅中介層鋪在了芯片下面,芯片與芯片之間的信號可以通過硅中介層的布線進行傳輸,以此來實現低延遲的處理器
        • 關鍵字: M1  蘋果  M2 Ultra  芯片  

        簡述碳化硅SIC器件在工業應用中的重要作用

        • 電力電子轉換器在快速發展的工業格局中發揮著至關重要的作用。它們的應用正在增加,并且在眾多新技術中發揮著核心作用,包括電動汽車、牽引系統、太空探索任務、深層石油開采系統、飛機系統等領域的進步。電力電子轉換器在快速發展的工業格局中發揮著至關重要的作用。它們的應用正在增加,并且在眾多新技術中發揮著核心作用,包括電動汽車、牽引系統、太空探索任務、深層石油開采系統、飛機系統等領域的進步。電力電子電路不斷發展以實現更高的效率,絕緣柵雙極晶體管(IGBT)和金屬氧化物場效應晶體管(MOSFET)等電力電子設備為令人興奮
        • 關鍵字: 國晶微半導體  SIC  

        羅姆的第 4 代SiC MOSFET成功應用于日立安斯泰莫的純電動汽車逆變器

        • 全球知名半導體制造商羅姆(總部位于日本京都市)的第4代SiC MOSFET和柵極驅動器IC已被日本先進的汽車零部件制造商日立安斯泰莫株式會社(以下簡稱“日立安斯泰莫”)用于其純電動汽車(以下簡稱“EV”)的逆變器。在全球實現無碳社會的努力中,汽車的電動化進程加速,在這種背景下,開發更高效、更小型、更輕量的電動動力總成系統已經成為必經之路。尤其是在EV領域,為了延長續航里程并減小車載電池的尺寸,提高發揮驅動核心作用的逆變器的效率已成為一個重要課題,業內對碳化硅功率元器件寄予厚望。 羅姆自2010年
        • 關鍵字: 羅姆  SiC MOSFET  日立安斯泰莫  純電動汽車逆變器  

        意法半導體第3代SiC碳化硅功率模塊,這品牌用上了?

        • 現代-起亞集團的 E-GMP 純電平臺以 800V 高電壓架構、高功率充電備受肯定,原先 E-GMP 平臺在后馬達 Inverter 逆變器的功率模塊(Power Module)就有采用 SiC 碳化硅半導體,成本與轉換效率比傳統的硅半導體更高,更能提升續航。如今瑞士半導體供應商意法半導體 (STMicroelectronics) 日前推出第 3 代的 SiC 碳化硅功率模塊,并確認 E-GMP 平臺的起亞 EV6 等車款將采用,預計在動力、續航都能再升級。E-GMP 平臺,原先已在后馬達逆變器采用 Si
        • 關鍵字: SiC  碳化硅功率模塊  起亞 EV6  意法半導體  ACEPACK DRIVE  

        宇宙輻射對OBC/DCDC中高壓SiC/Si器件的影響及評估

        • 汽車行業發展創新突飛猛進,車載充電器(OBC)與DCDC轉換器(HV-LV DCDC)的應用因此也迅猛發展,同應對大多數工程挑戰一樣,設計人員把目光投向先進技術,以期利用現代超結硅(Super Junction Si)技術以及碳化硅(SiC)技術來提供解決方案。在追求性能的同時,對于車載產品來說,可靠性也是一個重要的話題。在車載OBC/DCDC應用中,高壓功率半導體器件用的越來越多。對于汽車級高壓半導體功率器件來說,門極氧化層的魯棒性和宇宙輻射魯棒性是可靠性非常重要的兩點。宇宙輻射很少被提及,但事實是無論
        • 關鍵字: Infineon  OBC  SiC  

        通過轉向1700V SiC MOSFET,無需考慮功率轉換中的權衡問題

        • 高壓功率系統設計人員努力滿足硅MOSFET和IGBT用戶對持續創新的需求。基于硅的解決方案在效率和可靠性方面通常無法兼得,也不能滿足如今在尺寸、重量和成本方面極具挑戰性的要求。不過,隨著高壓碳化硅(SiC)MOSFET的推出,設計人員現在有機會在提高性能的同時,應對所有其他挑戰。 在過去20年間,額定電壓介于650V至1200V的SiC功率器件的采用率越來越高,如今的1700V SiC產品便是在其成功的基礎上打造而成。技術的進步推動終端設備取得了極大的發展;如今,隨著額定電壓為1700V的功率器件的推出,
        • 關鍵字: SiC MOSFET  功率轉換  

        安森美:聚焦SiC產能擴建,推出最新MOSFET產品

        • 近日,安森美公布了2022年第三季度業績,其三季度業績直線上揚,總營收21.93億美元,同比增長25.86%;毛利10.58億美元,同比增長46.82%。財報數據顯示,其三大業務中,智能電源組營收為11.16億美元,同比增長25.1%;高級解決方案組營收7.34億美元,同比增長19.7%;智能感知組營收為3.42億美元,同比增長44.7%,三大業務全線保持增長。自安森美總裁兼首席執行官Hassane El-Khoury加入安森美后,安森美執行了一系列的戰略轉型,聚焦于智能電源和智能感知兩大領域,從傳統的I
        • 關鍵字: 安森美  SiC  MOSFET  

        EEVIA媒體論壇之英飛凌:賦能未來汽車低碳化和數字化發展

        • 在最近召開的EEVIA第十屆年度中國硬科技媒體論壇暨2022產業鏈研創趨勢展望研討會上,來自英飛凌安全互聯系統事業部的汽車級WiFi/BT及安全產品應用市場管理經理楊大穩以“英飛凌賦能未來汽車低碳化和數字化發展“為題,詳細介紹了英飛凌在汽車電子領域的相關產品和未來趨勢。?新能源車是全球汽車市場增長最快也是需求最旺盛的領域,特別是在中國這個全球產銷第一的市場,2022年國有品牌汽車占據近一半的中國汽車市場份額,最大的驅動力是來自于新能源車和電動車。可以預想,隨著政府和車廠的支持,電動車未來幾年會迎
        • 關鍵字: 英飛凌  SiC  電動汽車  無人駕駛  

        SiC助力軌道交通駛向“碳達峰”

        • 當前,全球主要國家和地區都已經宣布了“碳達峰”的時間表。在具體實現的過程中,軌道交通將是一個重要領域。由于用能方式近乎100%為電能,且帶動大量基礎設施建設,因此軌道交通的“碳達峰”雖然和工業的“碳達峰”路徑有差異,但總體實現時間將較為接近。在中國,這個時間節點是2030年之前。當然,“碳達峰”在每一個領域都有狹義和廣義的區分,比如在工業領域,一方面是重點企業自身通過節能+綠電的方式實現“碳達峰”,另一方面也需要圍繞重點企業的產業鏈上下游全面實現能耗降低。對于軌道交通也是如此,狹義層面的軌交工具,以及廣義
        • 關鍵字: Mouser  SiC  

        碳化硅(SiC)電源管理解決方案搭配可配置數字柵極驅動技術助力實現“萬物電氣化”

        • 綠色倡議持續推動工業、航空航天和國防應用,尤其是運輸行業的電力電子系統設計轉型。碳化硅(SiC)是引領這一趨勢的核心技術,可提供多種新功能不斷推動各種車輛和飛機實現電氣化,從而減少溫室氣體(GHG)排放。 碳化硅解決方案支持以更小、更輕和更高效的電氣方案取代飛機的氣動和液壓系統,為機載交流發電機、執行機構和輔助動力裝置(APU)供電。這類解決方案還可以減少這些系統的維護需求。但是,SiC技術最顯著的貢獻體現在其所肩負實現商用運輸車輛電氣化的使命上,這些車輛是世界上最大的GHG排放源之一。隨著1700V金屬
        • 關鍵字: 碳化硅  SiC  電源管理  可配置數字柵極驅動  萬物電氣化  

        士蘭明鎵SiC功率器件生產線初步通線,首個SiC器件芯片投片成功

        • 10月24日,士蘭微發布公告稱,近期,士蘭明鎵SiC功率器件生產線已實現初步通線,首個SiC器件芯片已投片成功,首批投片產品各項參數指標達到設計要求,項目取得了階段性進展。士蘭明鎵正在加快后續設備的安裝、調試,目標是在今年年底形成月產2000片6英寸SiC芯片的生產能力。士蘭微表示,公司目前已完成第一代平面柵SiC-MOSFET技術的開發,性能指標達到業內同類器件結構的先進水平。公司已將SiC-MOSFET芯片封裝到汽車主驅功率模塊上,參數指標較好,繼續完成評測,即將向客戶送樣。據了解,2017年12月1
        • 關鍵字: 士蘭微  士蘭明鎵  SiC  功率器件  

        世平安森美推出新一代GaN氮化鎵/SiC碳化硅MOSFET高壓隔離驅動器NCP51561 應用于高頻小型化工業電源

        • 現階段硅元件的切換頻率極限約為65~95kHz,工作頻率再往上升,將會導致硅MOSFET耗損、切換損失變大;再者Qg的大小也會影響關斷速度,而硅元件也無法再提升。因此開發了由兩種或三種材料制成的化合物半導體GaN氮化鎵和SiC碳化硅功率電晶體,雖然它們比硅更難制造及更昂貴,但也具有獨特的優勢和優越的特性,使得這些器件可與壽命長的硅功率LDMOS MOSFET和超結MOSFET競爭。GaN和SiC器件在某些方面相似,可以幫助下一個產品設計做出更適合的決定。?GaN氮化鎵是最接近理想的半導體開關的器
        • 關鍵字: GaN  氮化鎵  SiC  碳化硅  NCP51561  onsemi  

        使用TI功能安全柵極驅動器提高SiC牽引逆變器的效率

        • 隨著電動汽車 (EV) 制造商競相開發成本更低、行駛里程更長的車型,電子工程師面臨降低牽引逆變器功率損耗和提高系統效率的壓力,這樣可以延長行駛里程并在市場中獲得競爭優勢。功率損耗越低則效率越高,因為它會影響系統熱性能,進而影響系統重量、尺寸和成本。隨著開發的逆變器功率級別更高,每輛汽車的電機數量增加,以及卡車朝著純電動的方向發展,人們將持續要求降低系統功率損耗。過去,牽引逆變器使用絕緣柵雙極晶體管 (IGBT)。然而,隨著半導體技術的進步,碳化硅 (SiC) 金屬氧化物半導體場效應晶體管具有比IGBT更高
        • 關鍵字: TI  功能安全  柵極驅動器  SiC  逆變器  

        曝iPhone 15 “Ultra”將取代“Pro Max”

        • IT之家 9 月 25 日消息,彭博記者 Mark Gurman 今天表示,蘋果正準備在明年用全新的 iPhone 15 “Ultra”機型取代其“Pro Max”型號。Gurman 在最新的 Power On 時事通訊中寫道,對于 iPhone 15 系列,蘋果正計劃帶來 USB-C 改進設計并可能更改名稱。據 Gurman 稱,蘋果有望采用“Ultra”取代從 iPhone 11 系列起使用的“Pro Max”品牌。“根據蘋果目前的模式,我們可以期待明年 iPhone 的設計會有所改進,這與轉向 US
        • 關鍵字: iPhone 15  Ultra  Pro Max  

        貿澤開售采用D2PAK-7L 封裝的工業用 UnitedSiC 750V UJ4C/SC SiC FET

        • 2022年9月23日 – 提供超豐富半導體和電子元器件?的業界知名新品引入 (NPI) 分銷商貿澤電子  (Mouser Electronics) 即日起備貨采用行業標準D2PAK-7L表面貼裝封裝的UnitedSiC(現已被 Qorvo?收購)UJ4C/SC FET。UJ4C/SC系列器件是750 V碳化硅場效應晶體管 (SiC FET),借助D2PAK-7L封裝選項提供低開關損耗、在更高速度下提升效率,同時提高系統功率密度。這些FET經優化適合車載充電器、軟開關DC/DC
        • 關鍵字: 貿澤  D2PAK-7L  UnitedSiC  SiC FET  
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        ultra c sic介紹

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