據國外媒體報道，德國博世集團于本周三表示，將收購美國芯片制造商TSI半導體公司的資產，以擴大其碳化硅芯片（SiC）的半導體業務。目前，博世和TSI公司已經達成協議，但并未透露此次收購的具體細節，且這項收購還需要得到監管部門的批準。資料顯示，TSI是專用集成電路 (ASIC) 的代工廠。目前，主要開發和生產200毫米硅晶圓上的大量芯片，用于移動、電信、能源和生命科學等行業的應用。而博世在半導體領域的生產時間已超過60年，在全球范圍內投資了數十億歐元，特別是在德國羅伊特林根和德累斯頓的水廠。博世認為，此次收購
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博世 TSI 半導體 SiC
4月24日，東芝電子元器件及存儲裝置株式會社宣布，在石川縣能美市的加賀東芝電子公司舉行了一座可處理300毫米晶圓的新功率半導體制造工廠的奠基儀式。該工廠是其主要的分立半導體生產基地。施工將分兩個階段進行，第一階段的生產計劃在2024財年內開始。東芝還將在新工廠附近建造一座辦公樓，以應對人員的增加。此外，今年2月下旬，日經亞洲報道，東芝計劃到2024年將碳化硅功率半導體的產量增加3倍以上，到2026年增加10倍。而據日媒3月16日最新消息，東芝又宣布要增加SiC外延片生產環節，布局完成后將形成：外延設備+外
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功率半導體 IGBT MOSFET SIC
在高壓開關電源應用中，相較傳統的硅MOSFET和IGBT，碳化硅（以下簡稱“SiC”）MOSFET 有明顯的優勢。使用硅MOSFET可以實現高頻（數百千赫茲）開關，但它們不能用于非常高的電壓（>1 000 V）。而IGBT 雖然可以在高壓下使用，但其 “拖尾電流 “和緩慢的關斷使其僅限于低頻開關應用。SiC MOSFET則兩全其美，可實現在高壓下的高頻開關。然而，SiC MOSFET 的獨特器件特性意味著它們對柵極驅動電路有特殊的要求。了解這些特性后，設計人員就可以選擇能夠提高器件可靠性和整體開關性
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SiC MOSFET 柵極驅動 安森美
簡介在這篇文章中，作者分析了運輸輔助動力裝置（APU）的需求，并闡述了SiC MOSFET、二極管及柵極驅動器的理想靜態和動態特性。 為什么使用寬帶隙（WBG）材料？對于任何電力電子工程師來說，必須大致了解適用于功率半導體開關器件的半導體物理學原理，以便掌握非理想器件的電氣現象及其對目標應用的影響。理想開關在關斷時的電阻無窮大，導通時的電阻為零，并且可在這兩種狀態之間瞬間切換。從定量角度來看，由于基于MOSFET的功率器件是單極性器件，因此與這一定義最為接近。功率MOSFET結構中的導通狀態電流
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SiC Microchip
4月18日，小米推出全新旗艦影像Xiaomi 13 Ultra。搭載第二代驍龍8移動平臺的Xiaomi 13 Ultra，采用徠卡與小米共同打造的徠卡 Summicron 鏡頭，帶來強悍的影像性能，造就小米有史以來最出色的影像旗艦。 作為Xiaomi 13 Ultra旗艦性能的基礎，第二代驍龍8采用先進的4nm工藝制程和全新CPU架構設計，帶來卓越的性能表現。其中，全新Kryo CPU采用Cortex-X3超級內核，與前代平臺相比，帶來高達35%的性能提升和高達40%的能效提升。同時，Adren
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今日，盛美上海宣布，首次獲得Ultra C SiC碳化硅襯底清洗設備的采購訂單。盛美上海指出，該訂單來自中國領先的碳化硅襯底制造商，預計將在2023年第三季度末發貨。當前，以碳化硅（SiC）與氮化鎵（GaN）為主的第三代半導體迅速發揮發展，其中整體產值又以碳化硅占80%為重。據悉，碳化硅襯底用于功率半導體制造，而功率半導體被廣泛應用于功率轉換、電動汽車和可再生能源等領域。碳化硅技術的主要優勢包括更少的開關能量損耗、更高的能量密度、更好的散熱，以及更強的帶寬能力。汽車和可再生能源等行業對功率半導體需求的增加
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功率半導體 盛美上海 Ultra C SiC 襯底清洗
３月下旬，全球領先的連接和電源解決方案供應商 Qorvo? 在京召開了以“連接與電源——新主題、新Qorvo”的媒體活動。通過此次活動，Qorvo旨在向業內介紹Qorvo在自身移動產品和基礎設施應用上的射頻領導地位進面向電源、物聯網和汽車等領域的最新進展。Matter出世，化解萬物互聯生態壁壘物聯網讓我們曾經暢想的萬物互聯生活逐漸成為現實，但要將數以百億計的設備進行有效的互聯還面臨巨大壁壘，Matter 標準的出現打破了這個局面。作為Matter的積極參與者，Qorvo 率先打造符合 Matter 標準的
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Qorvo Matter SiC FET UWB
根據TrendForce集邦咨詢旗下化合物半導體研究處最新報告《2023
SiC功率半導體市場分析報告-Part1》分析，隨著Infineon、ON
Semi等與汽車、能源業者合作項目明朗化，將推動2023年整體SiC功率元件市場規模達22.8億美元，年成長41.4%。與此同時，受惠于下游應用市場的強勁需求，TrendForce集邦咨詢預期，至2026年SiC功率元件市場規模可望達53.3億美元，其主流應用仍倚重電動汽車及可再生能源2全球車用MCU市場規模預估2022年全球車用MCU市場規模達82
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自上世紀五十年代以來，以硅材料為代表的第一代半導體材料取代了笨重的電子管引發了以集成電路為核心的微電子領域迅速發展。隨著時間的流逝，盡管目前業內仍然以 Si 材料作為主流半導體材料，但第二代、第三代甚至是第四代半導體材料都紛沓而至。這其中又以第三代半導體材料——氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）受到大眾關注。近段時間，GaN 方面又有了新進展。本土 GaN 企業快速發展3 月 2 日，英飛凌宣布收購氮化鎵公司 GaN Systems，交易總值 8.3 億美元（約 57.3 億人民幣）。根據公告，英飛凌計劃
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GaN SiC
全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都市）的SiC MOSFET和SiC肖特基勢壘二極管（以下簡稱“SiC SBD”）已被成功應用于大功率模擬模塊制造商Apex Microtechnology的功率模塊系列產品。該電源模塊系列包括驅動器模塊“SA310”（非常適用于高耐壓三相直流電機驅動）和半橋模塊“SA110”“SA111”（非常適用于眾多高電壓應用）兩種產品。ROHM的1,200V SiC MOSFET“S4101”和650V SiC SBD“S6203”是以裸芯片的形式提供的，采用ROHM的
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ROHM SiC MOSFET SiC SBD Apex 工業設備功率模塊
EV 車載充電器和表貼器件中的半導體電源開關在使用 SiC FET 時，可實現高達數萬瓦特的功率。我們將了解一些性能指標。引言在功率水平為 22kW 及以上的所有級別電動汽車 (EV) 車載充電器半導體開關領域，碳化硅 (SiC) MOSFET 占據明顯的優勢。UnitedSiC（如今為 Qorvo）SiC FET 具有獨特的 Si MOSFET 和 SiC JFET 級聯結構，其效率高于 IGBT，且比超結 MOSFET 更具吸引力。不過，這不僅關乎轉換系統的整體損耗。對于 EV 車主來說，成本、尺寸和
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Qorvo OBC SiC
日前，英飛凌科技大中華區在京舉辦了2023年度媒體交流會。英飛凌科技全球高級副總裁及大中華區總裁、英飛凌科技大中華區電源與傳感系統事業部負責人潘大偉率大中華區諸多高管出席，分享公司在過去一個財年所取得的驕人業績，同時探討數字化、低碳化行業發展趨勢，并全面介紹英飛凌前瞻性的業務布局。 2022財年英飛凌全球營收達到142.18億歐元，利潤達到33.78億歐元，利潤率為23.8%，均創下歷史新高。其中，大中華區在英飛凌全球總營收中的占比高達37%，繼續保持英飛凌全球最大區域市場的地位，為公司全球業務的發展提供
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英飛凌 數字化 低碳化 SiC
中國 北京，2023 年 3 月 21 日 —— 全球領先的連接和電源解決方案供應商 Qorvo? （納斯達克代碼：QRVO）今日宣布，將展示一種全新的無引線表面貼裝 (TOLL) 封裝技術，其高性能具體表現在：750V SiC FET 擁有全球最低的5.4 (mΩ) 的導通阻抗。這也是 Qorvo 公司 750V SiC FETs 產品 TOLL 封裝系列中的首發產品，其導通電阻范圍從 5.4 mΩ 到 60 mΩ。這些器件非常適用于空間極其有限的應用場景，如從幾百瓦到千萬瓦的交流 / 直流電源以及高達
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Qorvo 750V SiC FETs
第三代半導體包括碳化硅（SiC）與氮化鎵（GaN），整體產值又以SiC占80%為重。據TrendForce集邦咨詢研究統計，隨著安森美、英飛凌等與汽車、能源業者合作項目明朗化，將推動2023年整體SiC功率元件市場產值達22.8億美元，年成長41.4%。△Source：TrendForce集邦咨詢今年以來，SiC領域屢受資本青睞，融資不斷。截至今日，已有20家SiC相關企業宣布獲得融資，融資金額超23億。融資企業包括天科合達、天域半導體、瞻芯電子、派恩杰等領先企業。天科合達天科合達完成了Pre-IPO輪融
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SiC 融資
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