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        ultra c sic 文章 最新資訊

        是時候從Si切換到SiC了嗎?

        • 在過去的幾年里,碳化硅(SiC)開關(guān)器件,特別是SiC MOSFET,已經(jīng)從一個研究課題演變成一個重要的商業(yè)化產(chǎn)品。最初是在光伏(PV)逆變器和電池電動車(BEV)驅(qū)動系統(tǒng)中采用,但現(xiàn)在,越來越多的應(yīng)用正在被解鎖。在使用電力電子器件的設(shè)備和系統(tǒng)設(shè)計中都必須評估SiC在系統(tǒng)中可能的潛力,以及利用這一潛力的最佳策略是什么。那么,你從哪里開始呢?工程師老前輩可能還記得雙極晶體管在SMPS中被MOSFET取代的速度有多快,或者IGBT模塊將雙極達林頓晶體管模塊踢出逆變器的速度有多快。電力電子的驅(qū)動力一直是降低損耗
        • 關(guān)鍵字: 英飛凌  SiC  

        碳化硅MOSFET加速應(yīng)用于光伏領(lǐng)域 增量市場需求望爆發(fā)

        • 據(jù)報道,近年來,光伏逆變器制造商采用SiC MOSFET的速度越來越快。最近,又有兩家廠商在逆變器中采用了SiC MOSFET。1月30日,德國KATEK集團宣布,其Steca太陽能逆變器coolcept fleX系列已采用納微半導(dǎo)體的GeneSiC系列功率半導(dǎo)體,以提高效率,同時減少尺寸、重量和成本。GeneSiC功率器件是基于溝槽輔助平面柵極SiC MOSFET技術(shù),可以在高溫和高速下運行,壽命最多可延長3倍,適用于大功率和快速上市的應(yīng)用。1月13日,美國制造商Brek Electronics開發(fā)了采
        • 關(guān)鍵字: SiC MOSFET  

        SiC市場產(chǎn)值 今年估增4成

        • 根據(jù)市調(diào)統(tǒng)計,隨著安森美(onsemi)、英飛凌(Infineon)等與汽車、能源業(yè)者合作案明朗化,將推動2023年整體碳化硅(SiC)功率組件市場產(chǎn)值達22.8億美元、年成長41.4%。 主要成長原因在于SiC適合高壓、大電流的應(yīng)用場景,能進一步提升電動車與再生能源設(shè)備系統(tǒng)效率。集邦表示,SiC功率組件的前兩大應(yīng)用為電動車與再生能源領(lǐng)域,分別在2022年已達到10.9億美元及2.1億美元,占整體SiC功率組件市場產(chǎn)值約67.4%和13.1%。車用方面,安森美與大眾汽車簽屬戰(zhàn)略協(xié)議,另外該系列產(chǎn)品亦被起亞
        • 關(guān)鍵字: SiC  

        市場規(guī)模節(jié)節(jié)攀升,第三代半導(dǎo)體成收購的熱門賽道

        • 以碳化硅與氮化鎵為代表的第三代半導(dǎo)體市場正如火如荼地發(fā)展著,而“圍墻”之外的企業(yè)亦對此賽道十分看重。近日,中瓷電子資產(chǎn)重組重新恢復(fù)審核,其對第三代半導(dǎo)體業(yè)務(wù)的開拓有了新的進展。3月6日,中瓷電子發(fā)布了《發(fā)行股份購買資產(chǎn)并募集配套資金暨關(guān)聯(lián)交易報告書(草案)(修訂稿)》。根據(jù)該修訂稿,中瓷電子擬以發(fā)行股份的方式,購買博威公司73.00%股權(quán)、氮化鎵通信基站射頻芯片業(yè)務(wù)資產(chǎn)及負債、國聯(lián)萬眾94.6029%股權(quán)。事實上,除中瓷電子外,近來還有許多企業(yè)選擇以收購的方式,布局或擴大第三代半導(dǎo)體業(yè)務(wù)。2023年3月2
        • 關(guān)鍵字: 第三代半導(dǎo)體  收購  SiC  GaN  

        新能源汽車時代的半導(dǎo)體材料寵兒——SiC(碳化硅)

        •   前  言  1824年,一種全新的材料被瑞典科學(xué)家,貝采里烏斯合成出來,這是一種名為碳化硅的黑色粉末,平平無奇的樣子,仿佛是隨處可見的灰燼,也許誰也沒能想到,就是這一小撮雜質(zhì)般的黑色顆粒,將會在近200年后,在其之上長出絢爛的花朵,幫助人類突破半導(dǎo)體的瓶頸。在人類半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的起步初期,基于硅(Si)芯片的技術(shù)發(fā)展速度卓越,無論是成本還是性能都達到了完美的平衡,自然對于碳化硅(SiC)沒有過多的注意。直到20世紀(jì)90年代,Si基電力電子裝置出現(xiàn)了性能瓶頸,再次激發(fā)
        • 關(guān)鍵字: SiC  新能源汽車  汽車電子  

        GaN 時代來了?

        • 隨著特斯拉宣布其下一代 EV 動力總成系統(tǒng)的 SiC 組件使用量減少 75%,預(yù)計第三代化合物半導(dǎo)體市場狀況將發(fā)生變化,GaN 被認為會產(chǎn)生后續(xù)替代效應(yīng)。據(jù)業(yè)內(nèi)消息人士透露,這有望使臺積電、世界先進半導(dǎo)體 (VIS) 和聯(lián)華電子受益,它們已經(jīng)進行了早期部署,并繼續(xù)擴大其 8 英寸加工 GaN 器件的產(chǎn)能。GaN 和 SiC 的比較GaN 和 SiC 滿足市場上不同的功率需求。SiC 器件可提供高達 1200V 的電壓等級,并具備高載流能力,因此非常適合汽車和機車牽引逆變器、高功率太陽能發(fā)電場和大型三相電網(wǎng)
        • 關(guān)鍵字: GaN  SiC  

        碳化硅快充時代來臨,800V高壓超充開始普及!

        • 一直以來,“里程焦慮”、“充電緩慢”都是卡住新能源汽車脖子的關(guān)鍵問題,是車企和車主共同的焦慮;但隨著高壓電氣技術(shù)的不斷進步和快充時代的到來,將SiC(碳化硅)一詞推向了市場的風(fēng)口浪尖。繼2019年4月保時捷Taycan Turbo S 全球首發(fā)三年后,800V高壓超充終于開始了普及。相比于400V,800V帶來了更高的功效,大幅提升功率,實現(xiàn)了15分鐘的快充補能。而構(gòu)建800V超充平臺的靈魂就是材料的革新,基于碳化硅的新型控制器,便引領(lǐng)著這一輪高壓技術(shù)的革命。小鵬發(fā)布的800V高壓SiC平臺Si(硅)早已
        • 關(guān)鍵字: 碳化硅  SiC  

        BOE(京東方)獨供努比亞Z50 Ultra持續(xù)引領(lǐng)全面屏風(fēng)向標(biāo)

        • 3月7日,努比亞在新品發(fā)布會上重磅推出努比亞Z50 Ultra,此款旗艦手機搭載了由BOE(京東方)獨供的6.8英寸柔性O(shè)LED全面屏,通過創(chuàng)新采用第四代屏下攝像頭技術(shù)解決方案,在畫質(zhì)顯示、操作性能、美學(xué)設(shè)計、健康護眼等方面實現(xiàn)飛躍性突破,標(biāo)志著BOE(京東方)實現(xiàn)了全面屏智能終端領(lǐng)域更強勁的爆發(fā),充分彰顯了BOE(京東方)在柔性O(shè)LED顯示領(lǐng)域強大的技術(shù)實力和行業(yè)引領(lǐng)地位。得益于BOE(京東方)業(yè)界領(lǐng)先的高端柔性O(shè)LED顯示技術(shù)解決方案加持,努比亞Z50 Ultra搭載其全新一代屏下攝像頭技術(shù),完全取消
        • 關(guān)鍵字: BOE  京東方  努比亞  Z50 Ultra  全面屏  

        5大重要技巧讓您利用 SiC 實現(xiàn)高能效電力電子產(chǎn)品!

        • 當(dāng)您設(shè)計新電力電子產(chǎn)品時,您的目標(biāo)任務(wù)一年比一年更艱巨。高效率是首要要求,但以更小的尺寸和更低的成本提供更高的功率是另一個必須實現(xiàn)的特性。SiC MOSFET 是一種能夠滿足這些目標(biāo)的解決方案。以下重要技巧旨在幫助您創(chuàng)建基于 SiC 半導(dǎo)體的開關(guān)電源,其應(yīng)用領(lǐng)域包括光伏系統(tǒng)、儲能系統(tǒng)、電動汽車 (EV) 充電站等。為何選擇 SiC?為了證明您選擇 SiC 作為開關(guān)模式設(shè)計的首選功率半導(dǎo)體是正確的,請考慮以下突出的特性。與標(biāo)準(zhǔn)或超級結(jié) MOSFET 甚至 IGBT 相比,SiC 器件可以在更高的電壓、更高的
        • 關(guān)鍵字: 安森美  SiC  

        英飛凌與Resonac擴大合作范圍,簽署多年期碳化硅(SiC)材料供應(yīng)協(xié)議

        • 英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX / OTCQX代碼:IFNNY)持續(xù)擴大與碳化硅(SiC)供應(yīng)商的合作。英飛凌是一家總部位于德國的半導(dǎo)體制造商,此次與Resonac Corporation(原昭和電工)簽署了全新的多年期供應(yīng)和合作協(xié)議。早在2021年,雙方就曾簽署合作協(xié)議,此次的合作是在該基礎(chǔ)上的進一步豐富和擴展,將深化雙方在SiC材料領(lǐng)域的長期合作伙伴關(guān)系。協(xié)議顯示,英飛凌未來十年用于生產(chǎn)SiC半導(dǎo)體的SiC材料中,約占兩位數(shù)份額將由Resonac供給。前期,Resonac將主要供應(yīng)6英寸SiC
        • 關(guān)鍵字: 英飛凌  Resonac  碳化硅  SiC  

        是什么使SiC成為組串式逆變器的完美解決方案

        • 與硅技術(shù)相比,SiC MOSFET在光伏和儲能應(yīng)用中具有明顯的優(yōu)勢,它解決了能效與成本的迫切需求,特別是在需要雙向功率轉(zhuǎn)換的時候。易于安裝是大功率光伏組串式逆變器的關(guān)鍵特征之一。如果只需要兩個工人來搬運和安裝該系統(tǒng),將會非常利于運維。因此,尺寸和重量非常重要。最新一代的碳化硅半導(dǎo)體使電力轉(zhuǎn)換效率大幅提高。這不僅節(jié)省了能源,而且使設(shè)備更小、更輕,相關(guān)的資本、安裝和維護成本更低。關(guān)鍵的應(yīng)用要求及其挑戰(zhàn)。在光伏和儲能系統(tǒng)中,1500V的高系統(tǒng)電壓要求宇宙輻射引起的故障率非常低,同時要求功率器件具有更高的系統(tǒng)效率
        • 關(guān)鍵字: 英飛凌  SiC  逆變器  

        高壓SiC MOSFET研究現(xiàn)狀與展望

        • 碳化硅(SiC)金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)作為寬禁帶半導(dǎo)體單極型功率 器件,具有頻率高、耐壓高、效率高等優(yōu)勢,在高壓應(yīng)用領(lǐng)域需求廣泛,具有巨大的研究價值。回顧了高壓 SiC MOSFET 器件的發(fā)展歷程和前沿技術(shù)進展,總結(jié)了進一步提高器件品質(zhì)因數(shù)的元胞優(yōu)化結(jié)構(gòu),介紹了針對高壓器件的幾種終端結(jié)構(gòu)及其發(fā)展現(xiàn)狀,對高壓 SiC MOSFET 器件存在的瓶頸和挑戰(zhàn)進行了討論。1 引言電力電子變換已經(jīng)逐步進入高壓、特高壓領(lǐng)域,高壓功率器件是制約變換器體積、功耗和效率的決定性因素。特高壓交直流輸電、
        • 關(guān)鍵字: SiC  MOSFET  

        特斯拉 Model3 搭載 SiC,寬禁帶半導(dǎo)體迎來爆發(fā)

        • 去年 11 月底,特斯拉 Model 3 新款開售,其產(chǎn)品設(shè)計和功能變化都引起了外界關(guān)注。在特斯拉 Model 3 車型中,SiC 得到量產(chǎn)應(yīng)用,這吸引了全球汽車廠商的目光。搭載 SiC 芯片的智能電動汽車,可提高續(xù)航里程,對突破現(xiàn)有電池能耗與控制系統(tǒng)上瓶頸,乃至整個新能源汽車行業(yè)都有重要意義。目前,業(yè)內(nèi)普遍認為以 SiC 為代表的寬禁帶半導(dǎo)體將成為下一代半導(dǎo)體主要材料,那么寬禁帶半導(dǎo)體當(dāng)前發(fā)展?fàn)顩r如何?國內(nèi)外發(fā)展寬禁帶半導(dǎo)體有哪些區(qū)別?未來發(fā)展面臨著哪些挑戰(zhàn)?01、特斯拉 Model 3 首批
        • 關(guān)鍵字: 特斯拉  Model 3  SiC  

        瑞薩電子推出新型柵極驅(qū)動IC 用于驅(qū)動EV逆變器的IGBT和SiC MOSFET

        • 全球半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商瑞薩電子(TSE:6723)近日宣布,推出一款全新柵極驅(qū)動IC——RAJ2930004AGM,用于驅(qū)動電動汽車(EV)逆變器的IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)和SiC(碳化硅)MOSFET等高壓功率器件。柵極驅(qū)動IC作為電動汽車逆變器的重要組成部分,在逆變器控制MCU,及向逆變器供電的IGBT和SiC MOSFET間提供接口。它們在低壓域接收來自MCU的控制信號,并將這些信號傳遞至高壓域,快速開啟和關(guān)閉功率器件。為適應(yīng)電動車輛電池的更高電壓,RAJ2930004AGM內(nèi)置3.75kV
        • 關(guān)鍵字: 瑞薩  柵極驅(qū)動IC  EV逆變器  IGBT  SiC MOSFET  

        安森美與大眾汽車集團就下一代電動汽車的碳化硅(SiC)技術(shù)達成戰(zhàn)略協(xié)議,進一步鞏固戰(zhàn)略合作關(guān)系

        • 2023 年 1 月 30 日—領(lǐng)先于智能電源和智能感知技術(shù)的安森美(onsemi,美國納斯達克上市代號:ON)宣布與德國大眾汽車集團 (VW)簽署戰(zhàn)略協(xié)議,為大眾汽車集團的下一代平臺系列提供模塊和半導(dǎo)體器件,以實現(xiàn)完整的電動汽車 (EV) 主驅(qū)逆變器解決方案。安森美所提供的半導(dǎo)體將作為整體系統(tǒng)優(yōu)化的一部分,形成能夠支持大眾車型前軸和后軸主驅(qū)逆變器的解決方案。?安森美將首先交付其 EliteSiC 1200 V 主驅(qū)逆變器電源模塊,作為協(xié)議的一部分。EliteSiC 電源模塊具備引腳兼容特性,可
        • 關(guān)鍵字: 安森美  大眾汽車集團  電動汽車  碳化硅  SiC  
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        ultra c sic介紹

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