被視為次世代存儲器技術之一的自旋力矩傳輸存儲器(STT-MRAM)，在2016年12月舉辦的國際電子零組件會議(International Electron Devices Meeting;IEDM)中公開了若干突破性研究成果，最值得注意的是推出了容量超過1Gb的產品，以及將STT-MRAM嵌入CMOS邏輯芯片的技術實證。
MRAM算是次世代非揮發(fā)性存儲器科技中出現較早的一種，其記憶單元以磁隧結(MTJ)組成，由于占用體積大與耗電量高，最大容量約16Mb，僅適用于若干特殊需求;MTJ水平排列的i
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三星 MRAM
在今年即將于美國加州舉行的國際電子元件會議(IEDM)上，來自三星(Samsung)、東芝(Toshiba)、海力士(SK Hynix)等公司的研究團隊預計將發(fā)表多項有關磁阻式隨機存取記憶體(MRAM)的最新發(fā)展。
此外，三星的研發(fā)團隊以及旗下LSI業(yè)務部門顯然也將再次發(fā)表其致力于開發(fā)MEMS的最新成果。
三星將分別透過口頭簡報以及海報展示雙管齊下的方式，介紹在28nm CMOS邏輯制造制程中嵌入8Mbit自旋傳輸(STT) MRAM等主題。在該公司發(fā)表的論文主題中，研究人員們將這種電路形
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28nm MRAM
臺灣磁性技術協會邀請產學人士，11月19日于工研院舉辦自旋電子專題論壇，針對該主題介紹市場與技術概況。產業(yè)界與學術界人士交流該項技術的看法，對于磁性存儲器(MRAM)的市場前景樂觀，并認為臺灣產官學研有迫切攜手推動的必要性。
在市場發(fā)展方面，Digitimes研究中心主任黃逸平指出，至2030年存儲器與儲存市場會由非揮發(fā)性存儲器所主宰，在低耗電市場上，包括L1 Cache在內，嵌入式存儲器可望為embedded MRAM一統(tǒng)，而在重運算市場上，MRAM可望拿下L1~L4 Cache、主存儲器以及
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MRAM
磁性隨機存取存儲器(MRAM)是一種非易失性存儲器技術，正在作為一種主流的數據存儲技術被業(yè)界所廣泛接受。它集成了一個磁阻器件和一個硅基選擇矩陣。MRAM的關鍵屬性有非易失性、低電壓工作、無限次讀寫的耐用性、快速
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隨機存取 邏輯單元 MRAM
存儲器是當今每一個計算機系統(tǒng)、存儲方案和移動設備都使用的關鍵部件之一。存儲器的性能、可擴展性，可靠性和成本是決定推向市場的每個系統(tǒng)產品經濟上成功或失敗的主要標準。目前，幾乎所有產品都使用一種或組合使用
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MRAM 存儲器
MRAM市場可能會在明年開始變得越來越“擁擠”──開發(fā)OST-MRAM (Orthogonal Spin Transfer MRAM)技術的美國業(yè)者Spin Transfer Technologies (STT)日前宣布在自家研發(fā)晶圓廠制作出僅20奈米的垂直MRAM磁穿隧接面(perpendicular magnetic tunnel junction，pMTJ)，其目標是在明年第一季開始提供其MRAM樣品，并在2018年讓產品正式上市。
STT執(zhí)行長Barry Hobe
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STT MRAM
三星電子(SamsungElectronics)與IBM攜手研發(fā)出11納米制程的次世代存儲器自旋傳輸(SpinTransferTorque)磁性存儲器(STT-MRAM)。兩家公司也表示，預計在3年內展開MRAM量產，也引起了業(yè)界高度的注目。
韓媒指出，STT-MRAM是可望取代傳統(tǒng)DRAM、SRAM的新世代存儲器技術。與目前的NANDFlash相比，寫入速度快上10萬倍，而讀取速度則是快上接近10倍。由于STT-MRAM只要透過少量電力就可以驅動的非揮發(fā)性存儲器，不使用時也完全不需要電力。
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三星 MRAM
SamsungFoundry準備開始以28奈米FD-SOI制程，提供SST-MRAM以及快閃記憶體嵌入式非揮發(fā)性記憶體(eNVM)選項。
三星晶圓代工業(yè)務(SamsungFoundry)準備開始以28奈米FD-SOI制程，提供SST-MRAM(spintorquetransfermagneticRAM)以及快閃記憶體，做為嵌入式非揮發(fā)性記憶體(eNVM)選項。
SamsungFoundry行銷暨業(yè)務開發(fā)負責人KelvinLow在接受EETimes歐洲版訪問時表示，該公司的技術藍圖顯示，28
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存儲器 MRAM
據海外媒體報道，DRAM 發(fā)展快到盡頭，磁性存儲器(MRAM)和相變存儲器(PRAM)是最有潛力的接班人?IBM 和三星電子最近宣稱，“自旋傳輸磁性存儲器(STT-MRAM)”的研究出現突破，有望加速走上商用之途。
韓媒 BusinessKorea 11 日報導，IBM 和三星在電機電子工程師學會(IEEE)發(fā)布研究論文宣稱，兩家公司攜手研發(fā)的 STT-MRAM 的生產技術，成功實現 10 納秒(nanosecond)的傳輸速度和超省電架構，理論上表現超越 DRAM。
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IBM MRAM
在28nm晶片制程節(jié)點的嵌入式非揮發(fā)性記憶體競賽上，自旋力矩轉移磁阻式隨機存取記憶體(STT-MRAM)正居于領先的位置。
比利時研究機構IMEC記憶體部門總監(jiān)Arnaud Furnemont指出，雖然電阻式隨機存取記憶體(ReRAM)和相變記憶體(PCM)等其他類型的記憶器也都有其支持者，但這些記憶體都存在著微縮的問題，而難以因應28nm CMOS制程的要求。
28nm平面CMOS節(jié)點可望具有更長的壽命，以因應更多的“超越摩爾定律”(More-than-Moore
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MRAM CMOS
日本東北大學2016年3月21日宣布，開發(fā)成功了可超高速動作的新型磁存儲器(MRAM：Magnetic Random Access Memory)的基礎元件，并實際驗證了動作。該元件可兼顧迄今MRAM元件難以實現的小電流動作和高速動作。
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三種自旋軌道力矩磁化反轉元件構造。(a)與(b)為以前的構造，(c)為此次開發(fā)的構造(該圖摘自東北大學的發(fā)布資料) (點擊放大)
PC及智能手機使用的SRAM及DRAM等半導體存儲器，因構成元件的微細化，性能獲得了提高，但隨著微
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MRAM
記憶體產業(yè)中的每一家廠商都想打造一種兼具靜態(tài)隨機存取記憶體(SRAM)的快速、快閃記憶體的高密度以及如同唯讀記憶體(ROM)般低成本等各種優(yōu)勢的非揮發(fā)性記憶體。如今，透過磁阻隨機存取記憶體(MRAM)，可望解決開發(fā)這種“萬能”記憶體(可取代各種記憶體)的問題
遺憾的是，實際讓非揮發(fā)性MRAM的速度更快、密度更高且更便宜(MRAM制造商的承諾)的最佳化步驟，似乎總是還得再等三年之久。如今，荷蘭愛因霍芬科技大學(Eindhoven University of Technolo
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MRAM 存儲器
不同存儲器都有其各自的優(yōu)勢和缺點，由消費類產品驅動的存儲器市場在呼喚性能更優(yōu)存儲器技術，當然也要價格便宜。
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MRAM SRAM
DRAM和NAND Flash微縮制程逼近極限，業(yè)界認為次世代記憶體“磁電阻式隨機存取記憶體”(MRAM)、“可變電阻式記憶體”(ReRAM)可能即將現身，要以更快的存取速度橫掃市場。
韓媒BusinessKorea 16日報導，南韓半導體業(yè)者指出，16奈米將是DRAM微縮制程的最后極限，10奈米以下制程需要縮小電晶體體積，但是薄膜厚度卻無法縮減，也可能不適合采用高介電常數(High-K)材料和電極。MRAM和ReRAM
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DRAM MRAM
東芝(Toshiba)與SK海力士(SK Hynix)宣布將共同開發(fā)下一代半導體制程技術，同時東芝也撤銷對SK海力士提出的1.1兆韓元(約9.1億美元)損害賠償訴訟。兩企業(yè)決定集中火力爭取半導體產業(yè)未來主導權，取代相互耗損的專利訴訟。
據ET News報導，東芝與SK海力士曾維持很長時間的合作關系。2007年締結專利授權合約，并自2011年開始共同開發(fā)下一代記憶體STT-MRAM。2014年3月因記憶體半導體技術外流，東芝向SK海力士提出告訴，要求1.1兆韓元規(guī)模的民事賠償，雙方關系因此破裂。
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東芝 SK海力士 STT-MRAM
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