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大聯(lián)大世平集團(tuán)推出基于NXP產(chǎn)品的3D打印機(jī)方案

致力于亞太地區(qū)市場(chǎng)的領(lǐng)先半導(dǎo)體元器件分銷商---大聯(lián)大控股近日宣布，其旗下世平推出基于恩智浦（NXP）LPC5528芯片的3D打印機(jī)方案。圖示1-大聯(lián)大世平基于NXP產(chǎn)品的3D打印機(jī)方案的展示板圖3D打印是目前最具生命力的快速成型技術(shù)之一，憑借著無(wú)需機(jī)械加工或任何模具就能直接從計(jì)算機(jī)圖形數(shù)據(jù)中生成立體模型的特點(diǎn)，成為了產(chǎn)品創(chuàng)新競(jìng)爭(zhēng)中強(qiáng)勁有力的工具。通過(guò)快速成型工藝，3D打印技術(shù)不僅在創(chuàng)客市場(chǎng)也掀起了一番熱浪，也被廣泛用于工業(yè)機(jī)械、醫(yī)療健康、汽車、建筑、消費(fèi)等領(lǐng)域的生產(chǎn)設(shè)計(jì)中。由大聯(lián)大世平基于NXP LPC
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基于NXP TEA2208 的 240W PC Adapter Power解決方案

人們對(duì)于電源效率的要求越來(lái)越高，許多電源人為了提供1 Part的效率絞盡腦汁想方設(shè)法而不可得。很多大功率電源，如目前很火的5G基站電源，通信電源，對(duì)于效率也有很高要求。NXP針對(duì)大功率200~1000W的Switching Power ,推出了一款TEA2208方案。TEA2208T是第一款產(chǎn)品有源橋式整流控制器，取代傳統(tǒng)的整流橋堆。使用TEA2208T與低阻抗高壓MOSFET作為整流器方案顯著提高了功率變換器的效率，減少導(dǎo)通損耗。與傳統(tǒng)整流橋堆的測(cè)試比較，在電源電壓90v (AC)時(shí)，效率可提高約1.4
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基于ST STUSB4761的45W Type-C Power Delivery 3.0充電器方案

厭倦了為不同的配件使用不同的充電器?ST 意法半導(dǎo)體的EVLSTCH03-45WPD充電器具有USB-A端口和USB-C端口，因此您無(wú)需使用多個(gè)充電器即可同時(shí)為不同的設(shè)備充電。 EVLSTCH03-45WPD 45W USBType-C?Power Delivery 3.0充電器是USB-IF認(rèn)證的解決方案。 EVLSTCH03-45WPD是帶有獨(dú)立USB PD控制器的隔離電源。在初級(jí)側(cè)實(shí)現(xiàn)了一個(gè)基于STCH03控制器的準(zhǔn)諧振反激式轉(zhuǎn)換器，該轉(zhuǎn)換器具有光耦合器反饋以進(jìn)行電壓調(diào)節(jié)。該控制器結(jié)合了高
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基于ST STM32F334 之350W無(wú)橋功因數(shù)位電源方案

為了在類比電源供應(yīng)系統(tǒng)上設(shè)計(jì)出更精細(xì)、更復(fù)雜多樣化的電源管理算法則，源自于云端運(yùn)算服務(wù)器、電信機(jī)臺(tái)設(shè)備的數(shù)位電源技術(shù)，以高效能微控制器(MCU)作為監(jiān)控與輸出多樣化類比電壓的調(diào)整技術(shù)；即便其成本較高，系統(tǒng)業(yè)者也開(kāi)始將它推廣并導(dǎo)入，藉以開(kāi)發(fā)出更多的節(jié)能控制與智慧綠能應(yīng)用。友尚與明志科技大學(xué)高功率實(shí)驗(yàn)室合作開(kāi)發(fā)350W 無(wú)橋PFC數(shù)位電源方案(如圖一)，以此解決方案展示STM32F334在數(shù)位電源上的優(yōu)異表現(xiàn)并提供給客戶參考，STM32F334內(nèi)建217ps的高分辨率PWM，并具備12 bits ADC 5M
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基于ST VIPerPlus Low EMI 的豆?jié){機(jī)輔助電源方案

一：項(xiàng)目背景：家電客戶使用VIPer12做的6W輔助電源在EMI的傳導(dǎo)測(cè)試中，低頻段超標(biāo)需要整改。因成本和PCB空間原因不能加前端EMI濾波電感。需要采用VIPerPlus的頻率抖動(dòng)特性解決問(wèn)題。二：頻率抖動(dòng)基本原理開(kāi)關(guān)電源由于較高的dv/dt 和di/dt堯電路中存在的寄生電感和電容使開(kāi)關(guān)電源的電磁干擾噪聲較難消除。一般在EMI測(cè)試結(jié)果中可以發(fā)現(xiàn)，開(kāi)關(guān)電源在開(kāi)關(guān)時(shí)刻通常容易超過(guò)EMI 限值，而在其它頻率點(diǎn)上卻往往具有較大的裕量。因此人們又從另一角度開(kāi)發(fā)新的EMC 技術(shù)院如何通過(guò)各種方式降低開(kāi)關(guān)時(shí)刻的EM
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意法半導(dǎo)體ST-ONEMP數(shù)字控制器簡(jiǎn)化高能效雙端口USB-PD適配器設(shè)計(jì)

意法半導(dǎo)體的高集成度、高能效ST-ONE系列USB供電(USB-PD)數(shù)字控制器新增一個(gè)支持雙充電口的ST-ONEMP芯片。ST-ONEMP數(shù)字控制器基于市場(chǎng)首個(gè)ST-ONE架構(gòu)，在一個(gè)封裝內(nèi)集成Arm? Cortex?-M0+ 微控制器、高能效非互補(bǔ)有源鉗位反激式控制器和USB-PD 3.1接口。ST-ONE 架構(gòu)的初級(jí)側(cè)和次級(jí)側(cè)電路之間電流隔離，極大地簡(jiǎn)化了USB-PD電源適配器的設(shè)計(jì)和組裝。現(xiàn)在，通過(guò)增加電能共享支持功能，最新的ST-ONEMP簡(jiǎn)化了在USB-PD 輸出外再增加一個(gè)輸出的雙充電口設(shè)計(jì)
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基于NXP FS32K142HAT0MLHT的800W汽車風(fēng)機(jī)解決方案

發(fā)動(dòng)機(jī)是為汽車提供動(dòng)力的裝置，是汽車的心臟，發(fā)動(dòng)機(jī)能否正常工作直接影響汽車的性能。發(fā)動(dòng)機(jī)在工作時(shí)，由于各部分運(yùn)動(dòng)零件之間摩擦和燃料的燃燒，溫度極高。一般來(lái)說(shuō)，燃燒室溫度將超過(guò)2000度，氣缸壁上部最高可達(dá)400度，為了確保發(fā)動(dòng)機(jī)正常工作，需要對(duì)發(fā)動(dòng)機(jī)進(jìn)行散熱，以提高發(fā)動(dòng)機(jī)的功率，減少發(fā)動(dòng)機(jī)的磨損和燃料消耗。傳統(tǒng)的冷卻系統(tǒng)主要以風(fēng)冷為主，利用發(fā)動(dòng)機(jī)冷卻風(fēng)扇來(lái)進(jìn)行散熱，功率在600W以上，下面介紹基于FS32K142的無(wú)刷直流三相電機(jī)的發(fā)動(dòng)機(jī)冷卻風(fēng)機(jī)控制器
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重視汽車應(yīng)用市場(chǎng) ST持續(xù)加速碳化硅擴(kuò)產(chǎn)

意法半導(dǎo)體（ST）是一家擁有非常廣泛產(chǎn)品組合的半導(dǎo)體公司，尤其汽車更是ST非常重視的市場(chǎng)之一。意法半導(dǎo)體車用和離散組件產(chǎn)品部策略業(yè)務(wù)開(kāi)發(fā)負(fù)責(zé)人Luca SARICA指出，2022年車用和離散組件產(chǎn)品部（ADG）占了ST總營(yíng)收的30%以上。ST在2021年的營(yíng)收達(dá)到43.5億美元，而若與2022年相比，車用產(chǎn)品部門與功率和離散組件部門的營(yíng)收增幅都相當(dāng)顯著，達(dá)30%以上。車用和離散組件產(chǎn)品部擁有意法半導(dǎo)體大部分的車用產(chǎn)品，非常全面性的產(chǎn)品組合能夠支持汽車的所有應(yīng)用。圖一 : ADG營(yíng)運(yùn)策略ADG
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運(yùn)用內(nèi)建加速器的低功耗MCU 打造高性能邊緣智能應(yīng)用

物聯(lián)網(wǎng)的不斷擴(kuò)展，推動(dòng)了新一輪大規(guī)模的智慧化升級(jí)浪潮。智慧化正在從云端向具有機(jī)器學(xué)習(xí)（ML）能力的邊緣設(shè)備轉(zhuǎn)移，這些設(shè)備能夠在本地處理傳感器數(shù)據(jù)流，與基于云的AI系統(tǒng)相比，延遲更低，安全性更高，提供更好的用戶隱私保護(hù)。為了將邊緣設(shè)備從單純的數(shù)據(jù)采集轉(zhuǎn)換為具有自主操作能力的邊緣智慧，開(kāi)發(fā)人員需要具有多核性能并內(nèi)置加速器的新型低功耗微控制器（MCU）來(lái)執(zhí)行ML任務(wù)，同時(shí)最小化功耗預(yù)算以保持節(jié)能的系統(tǒng)設(shè)計(jì)。因應(yīng)未來(lái)的邊緣智慧，恩智浦MCX產(chǎn)品針對(duì)廣泛的物聯(lián)網(wǎng)、邊緣ML和工業(yè)應(yīng)用場(chǎng)景進(jìn)行了優(yōu)化。此平臺(tái)結(jié)合恩智浦L
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基于ST L6563H+L6599A+SRK2000A的大功率電源適配器方案

1.該方案是PFC+LLC拓?fù)洌m合作中大功率電源，其中ST的方案L6562/L6563+L6599被業(yè)界稱為最經(jīng)典的PFC+LLC方案，現(xiàn)在還有相當(dāng)多的人使用。方案主要優(yōu)勢(shì)為高效率，低EMI ，適合應(yīng)用于高頻化，高功率密度設(shè)計(jì)。DEMO板EVL150W-ADP-SR,是款 150W，寬輸入電壓范圍，PFC+LLC解決方案，適用于大功率適配器，TV電源和LED大功率電源，在無(wú)/輕載運(yùn)行時(shí)功耗低，重載滿載高效率。在LLC拓?fù)湮戳餍星埃瑐鹘y(tǒng)的150W方案主要有PFC+反激或者PFC+正激，其主要的缺點(diǎn)是效率不
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基于ST STM32G474之500W全橋相移零電壓切換直流-直流轉(zhuǎn)換器數(shù)位電源方案

隨著科技的迅速發(fā)展，電子產(chǎn)品日新月異與半導(dǎo)體制程技術(shù)進(jìn)步，電子產(chǎn)品逐漸要求體積小且效率高。過(guò)去研究線性式電源供應(yīng)器(Linear Power Supply)設(shè)計(jì)使用較大的隔離變壓器，其轉(zhuǎn)換效率較低且產(chǎn)生較多的熱，故需要體積較大的散熱片，因而被切換式電源供應(yīng)器取代。切換式電源供應(yīng)器(Switching Power Supply)取代線性式電源供應(yīng)器，電源供應(yīng)器若提升切換頻率，可以有效縮小變壓器與電感鐵芯的體積、降低輸入、輸出電容的容值
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基于ST HVLED001B +HVLED002 設(shè)計(jì)的高效率和低THD可調(diào)光LED 100W驅(qū)動(dòng)器

一， HVLED001B 的介紹：HVLED001B是具有恒定電壓初級(jí)感應(yīng)和超低待機(jī)功耗的高功率因數(shù)反激控制器, 同時(shí)也是增強(qiáng)型峰值電流模式控制器，能夠主要控制高功率因數(shù)（HPF）反激或降壓-升壓。初級(jí)側(cè)調(diào)節(jié)和光耦合器控制可以獨(dú)立地應(yīng)用在芯片上，在空載情況下都可以利用精確調(diào)節(jié)和非常低的待機(jī)功耗來(lái)實(shí)現(xiàn)。創(chuàng)新的ST高壓技術(shù)允許HVLED001B直接連接到輸入電壓，從而可以啟動(dòng)設(shè)備并監(jiān)視輸入電壓，而無(wú)需外部組件。有效控制開(kāi)路，輸出短路，輸入過(guò)壓或欠壓等異常情況，以及主開(kāi)關(guān)的開(kāi)環(huán)和過(guò)流等電路故障。內(nèi)置的智能自動(dòng)恢
關(guān)鍵字： ST HVLED001B HVLED002 STEVAL-LLL008V1

意法半導(dǎo)體或?qū)⑦M(jìn)軍10nm工藝

12月8日，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)分析師 Dylan Patel發(fā)布了一條推特稱意法半導(dǎo)體未來(lái)將進(jìn)軍10nm工藝，不過(guò)考慮到提到的晶圓廠直到2026年才能滿負(fù)荷生產(chǎn)18nm工藝，實(shí)現(xiàn)10nm工藝的具體時(shí)間可能較晚。圖源：推特?fù)?jù)Dylan Patel在推文中介紹，意法半導(dǎo)體將每月生產(chǎn)5萬(wàn)片晶圓18nm FD-SOI，后續(xù)將轉(zhuǎn)向下一個(gè)節(jié)點(diǎn)，采用10nm工藝，該意法半導(dǎo)體晶圓廠將與GlobalFoundries合作生產(chǎn)。早在今年7月，意法半導(dǎo)體曾與格芯宣布投資57億歐元（約418.38億元人民幣），在法國(guó)建造一座新的半導(dǎo)體
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具功率因數(shù)調(diào)整之半橋諧振同步整流數(shù)位電源方案_NXP MC56F82748 300W power solution

數(shù)位控制電源可提升負(fù)載條件變化范圍較大的應(yīng)用的能效。它們可利用自我調(diào)整算法，甚至采用換相等技術(shù)修改系統(tǒng)拓?fù)洌曰貞?yīng)工作條件的變化。數(shù)位控制電源可以使用非線性算法和預(yù)測(cè)算法改進(jìn)瞬態(tài)動(dòng)態(tài)回應(yīng)。從特定設(shè)計(jì)角度而言，類比電源的能效可能與數(shù)位電源毫無(wú)差別，但類比電源的挑戰(zhàn)是，如果負(fù)載電流等條件偏離最優(yōu)工作參數(shù)，如何實(shí)現(xiàn)能效最大化。近年來(lái)工業(yè)電源 & 網(wǎng)通 & 5G的應(yīng)用更加的廣泛，對(duì)電源的要求也更加的嚴(yán)苛，使用數(shù)位MCU設(shè)計(jì)電源可以達(dá)到高彈性，高
關(guān)鍵字： NXP MC56F82748 MCU 數(shù)位電源

貿(mào)澤電子開(kāi)售用于3D人臉識(shí)別的NXP i.MX RT117F EdgeReady跨界處理器

2022年12月5日?– 貿(mào)澤電子?(Mouser Electronics) 即日起備貨NXP Semiconductors的i.MX RT117F跨界處理器。該處理器在NXP著名的EdgeReady產(chǎn)品組合基礎(chǔ)上加以擴(kuò)展，提供了安全的低成本嵌入式3D人臉識(shí)別解決方案。通過(guò)這項(xiàng)創(chuàng)新解決方案，智能鎖和其他門禁系統(tǒng)的開(kāi)發(fā)人員能運(yùn)用NXP的eIQ?機(jī)器學(xué)習(xí)軟件，快速高效地將基于機(jī)器學(xué)習(xí)的安全人臉識(shí)別功能加入到智能家居和智能工業(yè)物聯(lián)網(wǎng) (IIoT) 應(yīng)用中。?i.MX RT117F跨
關(guān)鍵字：貿(mào)澤 3D人臉識(shí)別 NXP 跨界處理器