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        Microchip推出四款業(yè)內(nèi)容量最大、速度最快的新器件

        •   Microchip Technology Inc.(美國微芯科技公司)宣布,推出四款業(yè)內(nèi)容量最大、速度最快的新器件,擴(kuò)展了其串行SRAM產(chǎn)品組合。這些器件還是業(yè)內(nèi)首批5V工作的產(chǎn)品,廣泛適用于汽車和工業(yè)應(yīng)用。這些512 Kb和1 Mb SPI器件保持了產(chǎn)品組合的低功耗和小型8引腳封裝,成本較低,10,000片起批量供應(yīng)。通過四路SPI或SQI協(xié)議可實現(xiàn)高達(dá)80 Mbps的速度,為卸載圖形、數(shù)據(jù)緩沖、數(shù)據(jù)記錄、顯示、數(shù)學(xué)、音頻、視頻及其他數(shù)據(jù)密集型功能提供所需的近乎瞬時數(shù)據(jù)傳送及零寫入時間。   
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        SoC用低電壓SRAM技術(shù)介紹

        • 東芝在“2010 Symposium on VLSITechnology”上,發(fā)布了采用09年開始量產(chǎn)的40nm工藝SoC的低電壓SRAM技術(shù)。該技術(shù)為主要用于便攜產(chǎn)品及消費(fèi)類產(chǎn)品的低功耗工藝技術(shù)。通過控制晶體管閾值電壓的經(jīng)時變化,可抑
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        采用FPGA與SRAM的大容量數(shù)據(jù)存儲的設(shè)計

        • 采用FPGA與SRAM的大容量數(shù)據(jù)存儲的設(shè)計,1 前言 針對FPGA中內(nèi)部BlockRAM有限的缺點,提出了將FPGA與外部SRAM相結(jié)合來改進(jìn)設(shè)計的方法,并給出了部分VHDL程序?! ? 硬件設(shè)計  這里將主要討論以Xilinx公司的FPGA(XC2S600E-6fg456)和ISSI公司的SRAM(IS61LV
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        SoC低電壓SRAM技術(shù)介紹

        • 東芝在“2010 Symposium on VLSITechnology”上,發(fā)布了采用09年開始量產(chǎn)的40nm工藝SoC的低電壓SRAM技術(shù)。該技術(shù)為主要用于便攜產(chǎn)品及消費(fèi)類產(chǎn)品的低功耗工藝技術(shù)。通過控制晶體管閾值電壓的經(jīng)時變化,可抑
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        基于SRAM的FPGA配置數(shù)據(jù)存儲方式解析方案

        • 1.引言由于FPGA 良好的可編程性和優(yōu)越的性能表現(xiàn),當(dāng)前采用FPGA 芯片的嵌入式系統(tǒng)數(shù)量呈現(xiàn)迅速增加的趨勢,特別是在需要進(jìn)行大規(guī)模運(yùn)算的通信領(lǐng)域。目前FPGA 配置數(shù)據(jù)一般使用基于SRAM 的存儲方式,掉電后數(shù)據(jù)消失,
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        SRAM在網(wǎng)絡(luò)中的應(yīng)用分析

        • 同步SRAM的傳統(tǒng)應(yīng)用領(lǐng)域是搜索引擎,用于實現(xiàn)算法。在相當(dāng)長的一段時間里,這都是SRAM在網(wǎng)絡(luò)中發(fā)揮的主要作用。然而,隨著新存儲技術(shù)的出現(xiàn),系統(tǒng)設(shè)計師為SRAM找到了新的用武之地,如:NetFlow(網(wǎng)流)、計數(shù)器、統(tǒng)計、
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        基于SRAM工藝FPGA的加密方法介紹

        • 在現(xiàn)代電子系統(tǒng)設(shè)計中,由于可編程邏輯器件的卓越性能、靈活方便的可升級特性,而得到了廣泛的應(yīng)用。由于大規(guī)模高密度可編程邏輯器件多采用SRAM工藝,要求每次上電,對FPGA器件進(jìn)行重配置,這就使得可以通過監(jiān)視配置
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        嵌入式系統(tǒng)應(yīng)用中NV SRAM存儲器的應(yīng)用

        • 嵌入式系統(tǒng)應(yīng)用中NV SRAM存儲器的應(yīng)用,傳統(tǒng)方案中常常采用EPROM、EEPROM和Flash存儲程序,NVSRAM具有高速存取時間和與SRAM相同的接口,因而可用于存儲程序。本文介紹NVSRAM如何與基于程序和數(shù)據(jù)存儲的微處理器進(jìn)行接口,并說明選用NVSRAM與現(xiàn)有的其它非易
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        DS1265W 8Mb非易失(NV) SRAM

        • DS1265W 8Mb非易失(NV)SRAM為8,388,608位、全靜態(tài)NV SRAM,按照8位、1,048,576字排列。每個NV SRAM均自帶鋰電 ...
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        DS1250 4096k、非易失SRAM

        • DS1250 4096k、非易失SRAM為4,194,304位、全靜態(tài)非易失SRAM,按照8位、524,288字排列。每個完整的NV SRAM均自 ...
        • 關(guān)鍵字: DS1250  4096k  SRAM  

        DS1250W 3.3V 4096k全靜態(tài)非易失SRAM

        • DS1250W 3.3V 4096k NVSRAM為4,194,304位、全靜態(tài)非易失SRAM,按照8位、524,288字排列。每個NV SRAM均自帶鋰 ...
        • 關(guān)鍵字: DS1250W  3.3V  4096k  全靜態(tài)  SRAM  

        一種基于MCU內(nèi)部Flash的在線仿真器設(shè)計方法

        SoC用低電壓SRAM技術(shù)

        • 東芝在“2010 Symposium on VLSITechnology”上,發(fā)布了采用09年開始量產(chǎn)的40nm工藝SoC的低電壓SRAM技術(shù)。該技術(shù)為主要用于便攜產(chǎn)品及消費(fèi)類產(chǎn)品的低功耗工藝技術(shù)。通過控制晶體管閾值電壓的經(jīng)時變化,可抑
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        Linux下ColdFire片內(nèi)SRAM的應(yīng)用程序優(yōu)化設(shè)計

        • Linux下ColdFire片內(nèi)SRAM的應(yīng)用程序優(yōu)化設(shè)計,本文以MP3解碼器為例,介紹了一種在嵌入式Linux系統(tǒng)下配置使用處理器片內(nèi)SRAM的應(yīng)用方案,有效提高了代碼的解碼效率,降低了執(zhí)行功耗。該方案不論在性能還是成本上都得到了很大改善。1 硬件平臺和軟件架構(gòu)硬件平臺采
        • 關(guān)鍵字: 優(yōu)化  設(shè)計  應(yīng)用程序  SRAM  ColdFire  片內(nèi)  Linux  

        使用新SRAM工藝實現(xiàn)嵌入式ASIC和SoC的存儲器設(shè)計

        • 使用新SRAM工藝實現(xiàn)嵌入式ASIC和SoC的存儲器設(shè)計,基于傳統(tǒng)六晶體管(6T)存儲單元的靜態(tài)RAM存儲器塊一直是許多嵌入式設(shè)計中使用ASIC/SoC實現(xiàn)的開發(fā)人員所采用的利器,因為這種存儲器結(jié)構(gòu)非常適合主流的CMOS工藝流程,不需要增添任何額外的工藝步驟。如圖1a中所示的那樣
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        sram 介紹

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