- 隨著信息科學的飛速發展，數據采集和存儲技術廣泛應用于雷達、通信、遙測遙感等領域。在高速數據采集系統中，由ADC轉換后的數據需要存儲在存儲器 中，再進行相應的處理，保證快速準確的數據傳輸處理是實現高速數據采集的一個關鍵。由于高速ADC的轉換率很高，而大容量RAM相對ADC輸出速度較慢， 保持高速數據存儲過程的可靠性、實時性是一個比較棘手的問題。對于數據采集系統中的大容量高速度數據存儲、傳輸，本文提出一種基于FPGA的多片RAM實 現高速數據的存儲和傳輸的方案，并應用于1GS/s數據采集系統中，實現了以低
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數據采集 存儲 傳輸 ADC SRAM RAM FIFO
- 近日，瑞薩科技公司（Renesas Technology Corp.）推出總共八款SH7262和SH7264高性能32位微控制器新產品型號，這些集成了1M字節片上SRAM的器件適用于數字音頻和圖形儀表盤應用。樣品將從2008年8月開始在日本交付。
作為SuperH*1 系列32位RISC微控制器/微處理器的組成部分，SH7262和SH7264屬于針對數字音頻應用的SH7260系列微控制器。芯片上集成的1M字節SRAM，可以用來取代外部SDRAM。這將有助于實現主要采用單芯片的圖形儀表盤系統強大的
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瑞薩科技 SRAM 微控制器 數字音頻 圖形儀表盤 芯片
- 基于SRAM的可重配置PLD（可編程邏輯器件）的出現，為系統設計者動態改變運行電路中PLD的邏輯功能創造了條件。PLD使用SRAM單元來保存字的配置數據決定了PLD內部互連和功能，改變這些數據，也就改變了器件的邏輯功能。
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SRAM 可重配置 電路
- 分別基于Hynix公司的SRAM HY64UDl6322A和DRAM HY57V281620E，介紹了采用兩種不同的RAM結構，通過CPLD來設計并實現大容量FIFO的方法。
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SRAM DRAM FIFO 大容量
- 如今，電子技術發展迅猛，尤其是單片機已廣泛地應用于通信、交通、家用電器、便攜式智能儀表和機器人制作等領域，產品功能、精度和質量均有大幅度提高，且電路簡單，故障率低，可靠性高，價格低廉。在單片機的某些應用中，如果不對系統的外部SRAM進行擴展，就不能滿足系統設計的要求。因此如何擴展、擴展什么類型的芯片、擴展的容量多大就成為值得考慮的問題。這個問題解決的好與壞直接關系到項目的成敗。本文介紹在AVR ATmegal28中如何實現擴展掉電數據不丟失的512 KB SRAM的方案。
1 系統硬件結構
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ATmegal28 SRAM
- 基于SRAM結構的FPGA容量大，可重復操作，應用相當廣泛;但其結構類似于SRAM，掉電后數據丟失，因此每次上電時都需重新加載。
目前實現加載的方法通常有兩種：一種是用專用Cable通過JTAG口進行數據加載，另一種是外掛與該FPGA廠商配套的PROM芯片。前者需要在PC機上運行專用的加載軟件，直接下載到FPGA片內，所以掉電數據仍然會丟失，只適用于FPGA調試階段而不能應用于工業現場的數據加載。
后者雖然可以解決數據丟失問題，但這種專用芯片成本較高，供貨周期也較長(一般大于2個月)，使F
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SRAM TMS320C61416 FPGA
- 鐵電存儲器同時具備可存儲大量資料的動態隨機存儲器DRAM)與高速運作的靜態隨機存儲器(SRAM)的優點，且在斷電后，資料不會消失，亦具備快閃存儲器的優點。在所有非易失性存儲器(NVM)中，鐵電存儲器件被認為是最有吸引力的用于IT的存儲器件之一[1]。1T單元體積更小，集成度更高。特別是這種方式易于實現多值存儲，在相同規模下可以達到更高的存儲容量，因而在提高性價比方面具有極大的優勢。
為了系統地從理論上研究鐵電存儲器IT單元特性，米勒首先提出了數學模型[2]。后人也有用實驗數據、依據實驗數據得到的
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存儲器 SRAM NVM 存儲器
- 針對嵌入式系統的低功耗要求，采用位線分割結構和存儲陣列分塊譯碼結構，完成了64 kb低功耗SRAM模塊的設計。 與一般布局的存儲器相比，采用這兩種技術使存儲器的功耗降低了43% ，而面積僅增加了18%。
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DBL 嵌入式系統 SRAM 低功耗 嵌入式
- 如果你認為過去的歸過去，未來的歸未來，那么你就錯了，因為沒有過去就不會有現在，沒有現在當然就不會有未來。然而過去、現在、未來之間是如何相互依存的呢？從某方面來說這是神秘難以解答的一件事，但簡單來講就是靠記憶的作用，過去雖然不存在了，卻可以回想，未來雖然還沒有決定，現在卻可以一步步去計劃、設想與實踐
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NVM SRAM DRAM
- 本文針對 CPLD的核心可編程結構：P-Term和可編程互連線，采用2.5V、0.25μmCMOS工藝設計了功能相近的基于SRAM編程技術的可重構電路結構。
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SRAM PLD 編程技術 核心
- 摘要：首先對采用SRAM工藝的FPGA的保密性和加密方法進行原理分析，然后提出一種實用的采用單片機產生長偽隨機碼實現加密的方法，并詳細介紹具體的電路和程序。
關鍵詞：靜態隨機存儲器（SRAM） 現場可編程門陣列（FPGA） 加密
在現代電子系統設計中，由于可編程邏輯器件的卓越性能、靈活方便的可升級特性，而得到了廣泛的應用。由于大規模高密度可編程邏輯器件多采用SRAM工藝，要求每次上電，對FPGA器件進行重配置，這就使得可以通過監視配置的位數據流，進行克隆
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靜態隨機存儲器（SRAM） 現場可編程門陣列（FPGA） 加密 MCU和嵌入式微處理器
- 在現代電子系統設計中，由于可編程邏輯器件的卓越性能、靈活方便的可升級特性，而得到了廣泛的應用。由于大規模高密度可編程邏輯器件多采用SRAM工藝，要求每次上電，對FPGA器件進行重配置，這就使得可以通過監視配置的位數據流，進行克隆設計。因此，在關鍵、核心設備中，必須采用加密技術保護設計者的知識產權。 1 基于SRAM工藝FPGA的保密性問題 通常，采用SRAM工藝的
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嵌入式系統 單片機 SRAM FPGA 加密 嵌入式
- 2007年6月12日，瑞薩開發出一種可在32 nm(納米)及以上工藝有效實現SRAM的技術，以用于集成在微處理器或SoC(系統級芯片)中的片上SRAM。
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瑞薩 SRAM Renesas
- 存儲器在半導體行業就是一塊萬能膏藥，或者嵌入到SoC里或者當做單獨的存儲元件，有數據計算和程序存儲的要求就有它的用武之地。當前的主流半導體存儲器可以簡單的分成易失性和非易失性兩部分，它們各有所長，應用領域也因這一特性而是涇渭分明。
易失性的存儲器包括靜態存儲器SRAM和動態存儲器DRAM，SRAM和DRAM在掉電的時候均會失去保存的數據，但是RAM 類型的存儲器易于使用、性能好。非易失性存儲器在掉電的情況下并不會丟失所存儲的數據。然而所有的主流的非易失性存儲器均源自于ROM（只讀存儲器）技術，包
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DRAM FeRAM RAM SRAM 存儲器
- 瑞薩科技（Renesas Technology Corp.）與松下電器產業有限公司宣布，共同開發出一種新技術，可以使45nm工藝傳統CMOS的SRAM（靜態隨機存取存儲器）穩定工作。這種SRAM可嵌入在SoC（系統(集成)芯片）器件和微處理器（MPU）當中。經測試證實，采用該技術的512Kb SRAM的實驗芯片，可以在寬泛的溫度條件下（-40℃－125℃）穩定工作，而且在工藝發生變化時具有較大的工作電壓范圍裕量。用于實驗的SRAM芯片采用45nm CMOS工藝生產，集成了兩種不同的存儲單元設計，一個元
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SRAM 瑞薩科技 松下 存儲器
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