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        Cortex M3的SRAM單元故障軟件的自檢測研究

        • 目前,對于存儲單元SRAM的研究都是基于硬件電路來完成,而且這些方法都是運用在生產(chǎn)過程中,但是生產(chǎn)過程并不能完 ...
        • 關(guān)鍵字: Cortex  M3  SRAM  單元故障  自檢測研究  

        從Flash和SRAM中觸發(fā)中斷的過程示例(二)

        • 啟動匯編代碼  ;*********************************************************************  ; 匯編 ...
        • 關(guān)鍵字: Flash  SRAM  觸發(fā)中斷  

        從Flash和SRAM中觸發(fā)中斷的過程示例(一)

        • 使用LPC2106的Timer 1 進行的簡單的中斷處理。示例代碼中Timer1分為FIQ和IRQ,用戶可以從Flash或者SRAM中運行 ...
        • 關(guān)鍵字: Flash  SRAM  觸發(fā)中斷  

        汽車TFT彩屏儀表開發(fā)技巧

        • 摘要:本文基于飛思卡爾的MPC5606S芯片,介紹了MPC5606S針對TFT彩屏控制的顯示器控制模塊(DCU),且對于TFT彩屏上的各種動畫效果,進行逐一解析如何在MPC5606S上實現(xiàn)。
        • 關(guān)鍵字: MPC5606S  DCU  TFT  汽車儀表  SRAM  201310  

        MPU還是MCU,不是一個簡單選擇的問題

        • 當為你的下一個設(shè)計方案選擇正確的核心處理器件時,你應(yīng)該考慮哪些因素呢?本文將對MPU和MCU做些對比分析,并以此對器件的選擇給出一些指導(dǎo)性建議和意見。
        • 關(guān)鍵字: MCU  MPU  ARM  DMIPS  SRAM  

        DRAM SRAM SDRAM內(nèi)存精華問題匯總

        • 問題1:什么是DRAM、SRAM、SDRAM?  答:名詞解釋如下  DRAM--------動態(tài)隨即存取器,需要不斷的刷新,才能保存 ...
        • 關(guān)鍵字: DRAM  SRAM  SDRAM  

        基于SRAM的核心路由器交換矩陣輸入端口設(shè)計

        • 交換矩陣是核心路由器的重要組成部分,為了避免來自不同輸入端口的信元同時發(fā)往同一個輸出端口,需要在輸入端口設(shè)置緩沖區(qū),即輸入排隊交換結(jié)構(gòu)。基于靜態(tài)隨機存儲器完成了交換矩陣輸入端口虛擬輸出隊列(VOQ)的設(shè)計,該設(shè)計可以降低核心路由器交換芯片的面積,提高輸入端口緩沖區(qū)信元的響應(yīng)速率,并通過DE-115開發(fā)板完成對設(shè)計的驗證。
        • 關(guān)鍵字: 交換矩陣  輸入端口  VOQ  SRAM  

        東芝開發(fā)嵌入式SRAM低功耗技術(shù)智能手機

        •   東芝公司已經(jīng)宣布了一項新的突破,應(yīng)用于嵌入式硬件的智能手機和移動產(chǎn)品市場。東芝公司已經(jīng)宣布成功研究了一個新的低功耗的嵌入式SRAM技術(shù)。新技術(shù)有望延長智能手機和其他設(shè)備的電池壽命。東芝表示,新的技術(shù)通過功率計算器和數(shù)字化控制減少設(shè)備運行溫度從常溫到高溫時的損耗,以路的主電源和備用電源的長時間運行。   在25°C,這項新技術(shù)在設(shè)備運行時可節(jié)省約85%的損耗,而在設(shè)備待機時間可以節(jié)省約27%的的損耗。東芝公司已經(jīng)在2013年在舊金山國際固態(tài)電路會議上展示這項新技術(shù)。
        • 關(guān)鍵字: 東芝  嵌入式  SRAM  

        基于FPGA的SRAM自測試研究

        • 引言

            SRAM有高速和不用刷新等優(yōu)點,被廣泛用于高性能的計算機系統(tǒng)。由于半導(dǎo)體工藝技術(shù)的提高以及存儲系統(tǒng)多方面的需要,存儲器件日益向高速、高集成方向發(fā)展,在使系統(tǒng)功能強大的同時,也增加了系統(tǒng)的復(fù)雜性
        • 關(guān)鍵字: FPGA  SRAM  自測試    

        基于CMOS圖像傳感器的視頻采集系統(tǒng)設(shè)計

        • 提出了一種采用Altera公司CycloneⅡ系列的FPGA作為主控芯片,采用OV7670這款CMOS圖像傳感器作為視頻信號源并采用SRAM(靜態(tài)隨機存儲器)作為數(shù)據(jù)緩存的實用方案,實現(xiàn)了對圖像傳感器寄存器配置、圖像傳感器輸出信號采集、圖像數(shù)據(jù)格式轉(zhuǎn)換、圖像數(shù)據(jù)緩存及最終在VGA顯示器上進行圖像顯示的一系列過程。該視頻采集系統(tǒng)設(shè)計能夠很好地滿足實時圖像的輸出需求。
        • 關(guān)鍵字: 視頻采集  OV7670  FPGA  SRAM  VGA  

        SRAM外部數(shù)據(jù)存儲器擴展實驗

        • 一、實驗?zāi)康?.掌握89C51單片機擴展外RAM的方法2.了解靜態(tài)RAM使用方法二、實驗說明MCS-51型單片機內(nèi)有1 ...
        • 關(guān)鍵字: SRAM  數(shù)據(jù)存儲器  擴展實驗  

        賽普拉斯增加了16-Mbit并行nvSRAM和同步NAND接口

        • 賽普拉斯半導(dǎo)體公司(納斯達克股票代碼:CY)日前推出了 16-Mbit 非易失性靜態(tài)隨機訪問存儲器 (nvSRAM) 系列,其中包括具備同步 NAND 閃存接口的器件。該系列是業(yè)界首款可直接與開放式 NAND 閃存接口 (ONFI) 以及 Toggle NAND 總線控制器相連接的非易失性 SRAM 存儲器。
        • 關(guān)鍵字: 賽普拉斯  NAND  SRAM  

        RTN的SRAM誤操作進行觀測并模擬的方法簡介

        • 瑞薩電子開發(fā)出了對起因于隨機電報噪聲(RTN:Random Telegraph Noise)的SRAM誤操作進行觀測并實施模擬的方法。利用該方法可高精度地估計22nm以后尖端LSI中的RTN影響,適當設(shè)定針對RTN的設(shè)計余度。該公司已在ldquo
        • 關(guān)鍵字: SRAM  RTN  模擬  方法    

        Cortex—M3的SRAM單元故障軟件的自檢測研究

        • 引言 目前,對于存儲單元SRAM的研究都是基于硬件電路來完成,而且這些方法都是運用在生產(chǎn)過程中,但是生產(chǎn)過程 ...
        • 關(guān)鍵字: Cortex-3  SRAM  自檢測  

        詳解s3c44b0 cpu 8K cache SRAM的初始化

        • 關(guān)于s3c44b0的cpu內(nèi)部8Kcache SRAM的初始化問題。主要是因為cpu_init()調(diào)用了icache_enable()函數(shù),而該函數(shù) ...
        • 關(guān)鍵字: s3c44b0  SRAM  初始化  
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        sram 介紹

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