低功耗SiC二極管實現最高功率密度

　　相較于硅，碳化硅(SiC)肖特基二極管采用全新的技術，提供更出色的開關性能和更高的可靠性。SiC無反向恢復電流，且具有不受溫度影響的開關特性和出色的散熱性能，因此被視為下一代功率半導體。

　　安森美半導體擴展了其650伏(V) SiC二極管系列，提供更高的能效、更高的功率密度和更低的系統成本。工程師在設計用于太陽能光伏逆變器、電動車/混和動力電動車(EV / HEV)充電器、電信電源和數據中心電源等各類應用的PFC和升壓轉換器時，往往面對在更小尺寸實現更高能效的挑戰。這些全新的二極管能為工程師解決這些挑戰。

　　自從16多年前第一款SiC二極管問市以來，這一技術已經日益成熟，質量/可靠性測試和現場測試都已充分證明其高品質水平。

　　在基板處理、外延生長和制造方面的進步顯著地降低缺陷密度，我們將看到持續的工藝改進和更高的量。安森美半導體在整個工藝周期采用了獨特的方法，以確保客戶獲得最高品質的產品。

　　另一重要考量是SiC二極管/ MOSFET的設計。SiC能夠應對高場應力，因此很多設計都是為了應對這些高應力條件。例如，終端結構需要很多心思，才能確保器件的耐用性。

　　利用寬帶隙(WBG)材料的獨特特性，SiC技術比硅提供實在的優勢，其強固的結構為嚴苛環境中的應用提供可靠的方案。我們的客戶將受益于這些簡化的、性能更佳、尺寸設計更小的新器件。

　　SiC為系統提供顯著好處。SiC更高的開關頻率可以使用更小的磁性元件和無源元件，使整體系統縮小50%以上，從而大大節省整體元件和制造成本。