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        sic-mosfet 文章 最新資訊

        BUCK轉(zhuǎn)換器的PCB布局設(shè)計

        • 討論了BUCK轉(zhuǎn)換器的開通回路、關(guān)斷回路的電流特性,具有高電流變化率di/dt的輸入回路,以及具有高的電壓變化率dV/dt的開關(guān)節(jié)點是其關(guān)鍵回路和關(guān)鍵 節(jié)點,使用盡可能小的環(huán)路,短粗布線,優(yōu)先對其進行PCB布局。給出了多層板的信號分配原則,也給出了分立和集成的BUCK轉(zhuǎn)換器的PCB布局技巧和一些實例,分析了它們的優(yōu)缺點。
        • 關(guān)鍵字: PCB布局  磁場干擾  電場干擾  MOSFET  202108  

        碳化硅邁入新時代 ST 25年研發(fā)突破技術(shù)挑戰(zhàn)

        • 1996年,ST開始與卡塔尼亞大學合作研發(fā)碳化硅(SiC),今天,SiC正在徹底改變電動汽車。為了慶祝ST研發(fā)SiC 25周年,我們決定探討 SiC在當今半導體行業(yè)中所扮演的角色,ST的碳化硅研發(fā)是如何取得成功的,以及未來發(fā)展方向。Exawatt的一項研究指出,到2030年, 70%的乘用車將采用SiC MOSFET。這項技術(shù)也正在改變其他市場,例如,太陽能逆變器、儲能系統(tǒng)、服務(wù)器電源、充電站等。因此,了解SiC過去25年的發(fā)展歷程是極其重要的,對今天和明天的工程師大有裨益。碳化硅:半導體行業(yè)如何克服技術(shù)
        • 關(guān)鍵字: MOSFET  

        Maxim Integrated發(fā)布來自Trinamic子品牌的3相MOSFET柵極驅(qū)動器,可最大程度地延長電池壽命并將元件數(shù)量減半

        • TRINAMIC Motion Control GmbH & Co. KG (Maxim Integrated Products, Inc子公司)近日宣布推出完全集成的TMC6140-LA ?3相MOSFET柵極驅(qū)動器,有效簡化無刷直流(DC)電機驅(qū)動設(shè)計,并最大程度地延長電池壽命。TMC6140-LA 3相MOSFET柵極驅(qū)動器為每相集成了低邊檢流放大器,構(gòu)成完備的電機驅(qū)動方案;與同類產(chǎn)品相比元件數(shù)量減半,且電源效率提高30%,大幅簡化設(shè)計。TMC6140-LA針對較寬的電壓范圍進行性
        • 關(guān)鍵字: MOSFET  

        鄭有炓院士:第三代半導體迎來新發(fā)展機遇

        • 半導體材料是信息技術(shù)的核心基礎(chǔ)材料,一代材料、一代技術(shù)、一代產(chǎn)業(yè),半個多世紀來從基礎(chǔ)技術(shù)層面支撐了信息技術(shù)翻天覆地的變化,推動了電子信息科技產(chǎn)業(yè)可持續(xù)蓬勃發(fā)展。同樣地,信息技術(shù)和電子信息科技產(chǎn)業(yè)發(fā)展需求又驅(qū)動了半導體材料與技術(shù)的發(fā)展。第三代半導體材料及其應用第三代半導體是指以GaN、SiC為代表的寬禁帶半導體材料,它是繼20世紀50年代以Ge、Si為代表的第一代半導體和70年代以GaAs、InP為代表的第二代半導體之后于90年代發(fā)展起來的新型寬禁帶半導體材料,即禁帶寬度明顯大于Si(1.12 eV)和Ga
        • 關(guān)鍵字: 第三代半導體  SiC  

        電動汽車用SiC和傳統(tǒng)硅功率元器件都在經(jīng)歷技術(shù)變革

        • 近年來,在全球“創(chuàng)建無碳社會”和“碳中和”等減少環(huán)境負荷的努力中,電動汽車(xEV)得以日益普及。為了進一步提高系統(tǒng)的效率,對各種車載設(shè)備的逆變器和轉(zhuǎn)換器電路中使用的功率半導體也提出了多樣化需求,超低損耗的SiC 功率元器件(SiC MOSFET、SiC SBD等)和傳統(tǒng)的硅功率元器件(IGBT、SJ-MOSFET 等)都在經(jīng)歷技術(shù)變革。在OBC(車載充電機)方面,羅姆以功率器件、模擬IC 以及標準品這三大產(chǎn)品群進行提案。羅姆半導體(上海)有限公司 技術(shù)中心 副總經(jīng)理 周勁1? ?Si
        • 關(guān)鍵字: MOSFET  202108  

        汽車電氣化的部分關(guān)鍵技術(shù)及ST的解決方案

        • 1? ?汽車電氣化的趨勢和挑戰(zhàn)汽車市場中與電氣化相關(guān)的應用是減少交通碳排放影響的關(guān)鍵因素。中國領(lǐng)導人在2020年9 月提出中國要在2030年碳達峰,2060 年實現(xiàn)碳中和的目標。為了實現(xiàn)碳中和,減少能源使用中的碳排放是其中的重要一環(huán)。電能是清潔、高效的能源品種,用電能作為主要的能源消耗可以大幅減少碳排放。同時也要發(fā)展低排放的清潔能源作為主要發(fā)電的能源。中國交通運輸行業(yè)碳排放占比達10%,而公路運輸占其中的74%,主要來自燃油車的排放。因此,發(fā)展電動汽車并逐漸從燃油車過渡到電動汽車對減少
        • 關(guān)鍵字: 202108  SiC  BMS  

        清潔安全的汽車將由功能電子化和自動駕駛賦能

        • 未來的汽車將是清潔和安全的汽車,由先進的汽車功能電子化和自動駕駛技術(shù)賦能。安森美半導體汽車戰(zhàn)略及業(yè)務(wù)拓展副總裁 Joseph Notaro1? ?功率器件賦能電動汽車電動車可幫助實現(xiàn)零排放,其市場發(fā)展是令人興奮和充滿生機的,隨著電動車銷售不斷增長,必須推出滿足駕駛員需求的基礎(chǔ)設(shè)施,以提供一個快速充電站網(wǎng)絡(luò),使他們能夠快速完成行程,而沒有“續(xù)航里程焦慮癥”。這一領(lǐng)域的要求正在迅速發(fā)展,需要超過350 kW 的功率水平和95% 的能效成為“常規(guī)”。鑒于這些充電樁部署在不同的環(huán)境和地點,緊湊
        • 關(guān)鍵字: 202108  SiC  汽車  OBC  

        功率因素校正電路旁路二極管的作用

        • 本文總結(jié)了功率因素校正電路加旁路二極管作用的幾種不同解釋:減少主二極管的浪涌電流;提高系統(tǒng)抗雷擊的能力;減少開機瞬間系統(tǒng)的峰值電流,防止電感飽和損壞功率MOSFET。具體分析了輸入交流掉電系統(tǒng)重起動,導致功率MOSFET驅(qū)動電壓降低、其進入線性區(qū)而發(fā)生損壞,才是增加旁路二極管最重要、最根本的原因。給出了在這種模式下,功率MOSFET發(fā)生損壞的波形和失效形態(tài),同時給出了避免發(fā)生這種損壞的幾個措施。
        • 關(guān)鍵字: 功率因素校正  旁路二極管  線性區(qū)  欠壓保護  202103  MOSFET  

        簡易直流電子負載的設(shè)計與實現(xiàn)*

        • 隨著電力電子技術(shù)的飛速發(fā)展,傳統(tǒng)負載測試電源性能的方法在高科技產(chǎn)品的生產(chǎn)中逐漸暴露出許多的不足之處。為了解決采用傳統(tǒng)負載測試方法存在功耗較大、效率與調(diào)節(jié)精度低、體積大等問題,設(shè)計并制作一款適合隨頻率、時間變化而發(fā)生改變的被測電源的簡潔、實用、方便的直流電子負載。系統(tǒng)主要由STC12C5A60S2單片機主控、增強型N溝道場效應管IRF3205功率管、矩陣按鍵、D/A和A/D電路等部分組成。實現(xiàn)了在一定電壓與電流范圍內(nèi)恒壓恒流任意可調(diào),并通過LCD12864液晶顯示屏顯示被測電源的電壓值、電流值及相應的設(shè)定值
        • 關(guān)鍵字: STC12C5A60S2單片機  恒流恒壓  IRF3205  負載調(diào)整率  202105  MOSFET  

        適用于熱插拔的Nexperia新款特定應用MOSFET

        • 新推出的80 V和100 V器件最大限度降低額定值,并改善均流,從而提供最佳性能、高可靠性并降低系統(tǒng)成本。基礎(chǔ)半導體器件領(lǐng)域的專家Nexperia今日宣布推出新款80 V和100 V ASFET,新器件增強了SOA性能,適用于5G電信系統(tǒng)和48 V服務(wù)器環(huán)境中的熱插拔與軟啟動應用以及需要e-fuse和電池保護的工業(yè)設(shè)備。 ASFET是一種新型MOSFET,經(jīng)過優(yōu)化,可用于特定應用場景。通過專注于對某一應用至關(guān)重要的特定參數(shù),有時需要犧牲相同設(shè)計中其他較不重要的參數(shù),以實現(xiàn)全新性能水平。新款熱插拔ASFET
        • 關(guān)鍵字: Nexperia  MOSFET  

        瑞能半導體舉行CEO媒體溝通會

        • 近日,瑞能半導體CEO Markus Mosen(以下簡稱Markus)的媒體溝通會在上海靜安洲際酒店舉行,瑞能半導體全球市場總監(jiān)Brian Xie同時出席本次媒體溝通會。溝通會上首先回顧了瑞能半導體自2015年從恩智浦分離出后,從全新的品牌晉升為如今的知名國際品牌的過程中,在六年內(nèi)保持的相當規(guī)模的成長,并取得的驕人成績;結(jié)合瑞能半導體近期推出的第六代碳化硅二極管、碳化硅MOSFET、IGBT、TVS/ESD等多種系列產(chǎn)品,明確了在碳化硅器件行業(yè)內(nèi)的領(lǐng)先地位;在分享后續(xù)發(fā)展策略的同時,強調(diào)了瑞能半導體未來
        • 關(guān)鍵字: MOSFET  

        基本半導體——第三代半導體前景無限

        • 相比于數(shù)字半導體,我國在模擬與功率半導體的差距要更大一些,因為功率器件不僅僅是產(chǎn)品設(shè)計的問題,還涉及到材料等多個技術(shù)環(huán)節(jié)的突破。其中第三代功率器件也是我們重點迎頭趕上的領(lǐng)域之一。作為國內(nèi)第三代半導體領(lǐng)軍企業(yè),基本半導體技術(shù)營銷副總監(jiān)劉誠表示,公司致力于碳化硅功率器件的研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化,核心產(chǎn)品包括碳化硅肖特基二極管、碳化MOSFET和車規(guī)級全碳化硅功率模塊等,基本半導體碳化硅功率器件產(chǎn)品性能處于國內(nèi)領(lǐng)先水平。新能源汽車是碳化硅功率器件最為重要的應用領(lǐng)域,市場潛力大,也是基本半導體要重點發(fā)力的市場。站在劉誠的角
        • 關(guān)鍵字: 基本半導體  MOSFET  中國芯  

        變頻電源開關(guān)芯片炸裂的失效分析與可靠性研究

        • 隨著科技的發(fā)展,電器設(shè)備使用越來越廣泛,功能越來越強大,體積也越來越小,對電源模塊的要求不斷增加。開關(guān)電源具有效率高、成本低及體積小的特點,在電氣設(shè)備中獲得了廣泛的應用。經(jīng)分析,開關(guān)電源電路多個器件失效主要是電路中高壓瓷片電容可靠性差,導致開關(guān)芯片失效。本文通過增加瓷片電容材料的厚度提高其耐壓性能和其他性能,使產(chǎn)品各項性能有效提高,滿足電路設(shè)計需求,減少售后失效。
        • 關(guān)鍵字: 開關(guān)電源  高壓瓷片電容  芯片  耐壓提升  可靠性  202105  MOSFET  

        特定工作條件下的開關(guān)電源模塊失效分析

        • 針對在某特定工作條件下發(fā)生的短路失效問題,進行了開關(guān)電源模塊及其外圍電路的工作原理分析,通過建立故障確定了失效原因,運用原理分析與仿真分析的方法找到了開關(guān)電源模塊的損傷原因與機理,并給出了對應的改進措施。
        • 關(guān)鍵字: 開關(guān)電源模塊  電源振蕩  失效分析  MOSFET  202105  

        Microchip推出業(yè)界耐固性最強的碳化硅功率解決方案,取代硅IGBT,現(xiàn)已提供1700V版本

        • 如今為商用車輛推進系統(tǒng)提供動力的節(jié)能充電系統(tǒng),以及輔助電源系統(tǒng)、太陽能逆變器、固態(tài)變壓器和其他交通和工業(yè)應用都依賴于高壓開關(guān)電源設(shè)備。為了滿足這些需求,Microchip Technology Inc.(美國微芯科技公司)今日宣布擴大其碳化硅產(chǎn)品組合,推出一系列高效率、高可靠性的1700V碳化硅MOSFET裸片、分立器件和電源模塊。Microchip的1700V碳化硅技術(shù)是硅IGBT的替代產(chǎn)品。由于硅IGBT的損耗問題限制了開關(guān)頻率,之前的技術(shù)要求設(shè)計人員在性能上做出妥協(xié)并使用復雜的拓撲結(jié)構(gòu)。此外,電力電
        • 關(guān)鍵字: MOSFET  MCU  IGBT  
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