sic-mosfet 文章 最新資訊
通過節省時間和成本的創新技術降低電源中的EMI
- 隨著電子系統變得越來越密集并且互連程度越來越高，降低電磁干擾 (EMI) 的影響日益成為一個關鍵的系統設計考慮因素。鑒于 EMI 可能在后期嚴重阻礙設計進度，浪費大量時間和資金，因此必須在設計之初就考慮 EMI 問題。開關模式電源 (SMPS) 是現代技術中普遍使用的電路之一，在大多數應用中，該電路可提供比線性穩壓器更大的效率。但這種效率提高是有代價的，因為 SMPS 中功率金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET) 的開關會產生大量 EMI，進而影響電路可靠性。EMI 主要來自不連續的輸入電流、開關節
- 關鍵字： MOSFET
功率半導體－馬達變頻器內的關鍵組件
- 全球有約 30% 的發電量用于驅動工業應用中的馬達，而全球工業產業消耗的能源量預期到 2040 年將成長一倍。隨著對能源成本和資源有限的意識不斷提高，未來提升驅動馬達用電效率的需求將會越來越顯著。
- 關鍵字： IGBT7 SiC MOSFET 馬達變頻器 功率半導體 英飛凌
功率器件和被動元件點亮第97屆中國電子展，CEF下半年成都上海再相見
- 2021年4月11日，為期三天的第97屆中國電子展在深圳會展中心圓滿落幕，展會與第九屆中國電子信息博覽會（CITE2021）同期舉辦，現場有超1500家參展商參展，共發布近萬件新產品、新技術，全方位、多角度展示我國電子信息產業的最新發展成果。同時，博覽會期間還舉辦了近100場同期活動，吸引了超過10萬名專業觀眾到場參觀，500余萬觀眾線上觀展。據主辦方介紹，展會以“創新驅動 高質量發展”為主題，展覽展示、論壇會議和現場活動三大板塊聯動，三位一體，亮點紛呈。亮點一展覽：展示最新產品?9號館——基礎
- 關鍵字： MOSFET
Vishay推出全球領先的汽車級80 V P溝道MOSFET，以提高系統能效和功率密度
- 日前，Vishay Intertechnology, Inc. 近日推出通過AEC-Q101認證、全球先進的p溝道80 V TrenchFET? MOSFET---SQJA81EP。新型Vishay Siliconix SQJA81EP導通電阻達到80 V p溝道器件優異水平，可提高汽車應用功率密度和能效。SQJA81EP采用歐翼引線結構5.13 mm x 6.15 mm PowerPAK? SO-8L小型單體封裝，10 V條件下最大導通電阻僅為17.3 mW /典型值為14.3 mW。日前發布的汽車級M
- 關鍵字： MOSFET
東芝推出新款碳化硅MOSFET模塊，有助于提升工業設備效率和小型化
- 東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）近日宣布，面向工業應用推出一款集成最新開發的雙通道碳化硅（SiC）MOSFET芯片（具有3300V和800A特征）的模塊---“MG800FXF2YMS3”，該產品將于2021年5月投入量產。為達到175℃的通道溫度，該產品采用具有銀燒結內部鍵合技術和高貼裝兼容性的iXPLV（智能柔性封裝低電壓）封裝。這款模塊可充分滿足軌道車輛和可再生能源發電系統等工業應用對高效緊湊設備的需求。◆? ?應用●? ?用于軌道車輛的逆變器和轉換
- 關鍵字： MOSFET
開關模式電源電流檢測——第二部分
- 電流檢測電阻的位置連同開關穩壓器架構決定了要檢測的電流。檢測的電流包括峰值電感電流、谷值電感電流（連續導通模式下電感電流的最小值）和平均輸出電流。檢測電阻的位置會影響功率損耗、噪聲計算以及檢測電阻監控電路看到的共模電壓。放置在降壓調節器高端對于降壓調節器，電流檢測電阻有多個位置可以放置。當放置在頂部MOSFET的高端時（如圖1所示），它會在頂部MOSFET導通時檢測峰值電感電流，從而可用于峰值電流模式控制電源。但是，當頂部MOSFET關斷且底部MOSFET導通時，它不測量電感電流。圖1 帶高端RSENSE
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