sic mosfet 文章最新資訊

盤(pán)點(diǎn)關(guān)于開(kāi)關(guān)電源設(shè)計(jì)的經(jīng)典問(wèn)答題

　　如何為開(kāi)關(guān)電源電路選擇合適的元器件和參數(shù)? 　　很多未使用過(guò)開(kāi)關(guān)電源設(shè)計(jì)的工程師會(huì)對(duì)它產(chǎn)生一定的畏懼心理，比如擔(dān)心開(kāi)關(guān)電源的干擾問(wèn)題、PCB layout問(wèn)題、元器件的參數(shù)和類(lèi)型選擇問(wèn)題等。其實(shí)只要了解了，使用開(kāi)關(guān)電源設(shè)計(jì)還是非常方便的。　　一個(gè)開(kāi)關(guān)電源一般包含有開(kāi)關(guān)電源控制器和輸出兩部分，有些控制器會(huì)將MOSFET集成到芯片中去，這樣使用就更簡(jiǎn)單了，也簡(jiǎn)化了PCB設(shè)計(jì)，但是設(shè)計(jì)的靈活性就減少了一些。　　開(kāi)關(guān)控制器基本上就是一個(gè)閉環(huán)的反饋控制系統(tǒng)，所以一般都會(huì)有一個(gè)反饋輸出電壓的采樣電路以及
關(guān)鍵字：開(kāi)關(guān)電源 PCB MOSFET

4μA IQ 熱插拔控制器保護(hù)電池免受電壓和電流故障損壞

　　凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出超低靜態(tài)電流 (IQ) Hot SwapTM (熱插拔) 控制器LTC4231，該器件允許電路板或電池安全地從 2.7V 至 36V 系統(tǒng)中插入和拔出。LTC4231 控制一個(gè)外部 N 溝道 MOSFET，以平緩地給電路板電容器加電，從而避免瞬態(tài)放電、連接器損壞和系統(tǒng)干擾。器件在正常工作時(shí)靜態(tài)電流僅為 4µA，在停機(jī)模式則降至 0.3µA。為確保低電流工作，欠壓和過(guò)壓阻性分壓器連接至一個(gè)選通接地，
關(guān)鍵字：凌力爾特 MOSFET LTC4231

英飛凌基于ARM內(nèi)核的汽車(chē)級(jí)電機(jī)控制集成芯片

　　摘要：本文介紹了常見(jiàn)的幾種在汽車(chē)車(chē)身上的電機(jī)應(yīng)用，包括直流有刷電機(jī)控制，有霍爾/無(wú)霍爾直流無(wú)刷電機(jī)控制和永磁同步電機(jī)控制，不論是哪一種電機(jī)控制方案，英飛凌公司推出的基于ARM內(nèi)核的Embedded Power IC都是最理想的選擇。　　引言　　隨著電機(jī)在汽車(chē)上的廣泛應(yīng)用，如何降低能耗，減少噪音，成了工程師們面臨的新難題，傳統(tǒng)的電動(dòng)油泵、電動(dòng)水泵和散熱風(fēng)扇由繼電器控制直流電機(jī)的開(kāi)通或者關(guān)斷，不能進(jìn)行調(diào)速，在怠速狀況時(shí)電機(jī)仍然高速運(yùn)轉(zhuǎn)，如果采用脈寬調(diào)制控制的直流電機(jī)或者三相電機(jī)，則可以在不同的工況
關(guān)鍵字：英飛凌 ARM 電機(jī)控制 MOSFET 微控制器 201409

SiC功率半導(dǎo)體將在2016年形成市場(chǎng) 成為新一輪趨勢(shì)

　　矢野經(jīng)濟(jì)研究所2014年8月4日公布了全球功率半導(dǎo)體市場(chǎng)的調(diào)查結(jié)果。　　全球功率半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模的推移變化和預(yù)測(cè)(出處：矢野經(jīng)濟(jì)研究所) 　　2013年全球功率半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模(按供貨金額計(jì)算)比上年增長(zhǎng)5.9%，為143.13億美元。雖然2012年為負(fù)增長(zhǎng)，但2013年中國(guó)市場(chǎng)的需求恢復(fù)、汽車(chē)領(lǐng)域的穩(wěn)步增長(zhǎng)以及新能源領(lǐng)域設(shè)備投資的擴(kuò)大等起到了推動(dòng)作用。　　預(yù)計(jì)2014年仍將繼續(xù)增長(zhǎng)，2015年以后白色家電、汽車(chē)及工業(yè)設(shè)備領(lǐng)域的需求有望擴(kuò)大。矢野經(jīng)濟(jì)研究所預(yù)測(cè)，2020年全球功率半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)
關(guān)鍵字： SiC 功率半導(dǎo)體

如何成為一個(gè)優(yōu)秀的硬件設(shè)計(jì)師

　　啟動(dòng)一個(gè)硬件開(kāi)發(fā)項(xiàng)目，原始的推動(dòng)力會(huì)來(lái)自于很多方面，比如市場(chǎng)的需要，基于整個(gè)系統(tǒng)架構(gòu)的需要，應(yīng)用軟件部門(mén)的功能實(shí)現(xiàn)需要，提高系統(tǒng)某方面能力的需要等等，所以作為一個(gè)硬件系統(tǒng)的設(shè)計(jì)者，要主動(dòng)的去了解各個(gè)方面的需求，并且綜合起來(lái)，提出最合適的硬件解決方案。比如A項(xiàng)目的原始推動(dòng)力來(lái)自于公司內(nèi)部的一個(gè)高層軟件小組，他們?cè)趯?shí)際當(dāng)中發(fā)現(xiàn)原有的處理器板IP轉(zhuǎn)發(fā)能力不能滿足要求，從而對(duì)于系統(tǒng)的配置和使用都會(huì)造成很大的不便，所以他們提出了對(duì)新硬件的需求。根據(jù)這個(gè)目標(biāo)，硬件方案中就針對(duì)性的選用了兩個(gè)高性能網(wǎng)絡(luò)處理器，然后還
關(guān)鍵字：硬件設(shè)計(jì) Linear MOSFET

超薄雙管MOSFET

　　封裝的創(chuàng)新非常重要，尤其是在設(shè)計(jì)適用于支持更大電流的新一代便攜式設(shè)計(jì)所需的超薄的MOSFET時(shí)更顯得不可或缺。　　計(jì)算機(jī)、工業(yè)及電信領(lǐng)域的電源應(yīng)用設(shè)計(jì)人員通常使用分立式 MOSFET 支持更高的軌道電路，以提升電源效率，但其難點(diǎn)是如何設(shè)計(jì)出盡可能小的外形尺寸。現(xiàn)在，設(shè)計(jì)人員可通過(guò)與德州儀器(TI)最新電源模塊 II 系列的同步 NexFET™ 電源雙管 MOSFET結(jié)合，同時(shí)實(shí)現(xiàn)高效率、低導(dǎo)通電阻以及業(yè)界最小尺寸的效果。　　最新超薄電源塊 II 器件不僅可使產(chǎn)品變得更密集，同時(shí)還可
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SiC對(duì)醫(yī)療設(shè)備電源為最佳選擇，三菱電機(jī)展示高頻功率模塊

　　三菱電機(jī)開(kāi)發(fā)出了支持50kHz左右高頻開(kāi)關(guān)動(dòng)作的工業(yè)設(shè)備用混合SiC功率半導(dǎo)體模塊，并在7月23～25日舉辦的“日本尖端技術(shù)展(TECHNO-FRONTIER)2014”上展示。該模塊組合了高頻用Si-IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)和SiC-SBD(肖特基勢(shì)壘二極管)，從2014年5月開(kāi)始樣品供貨。　　據(jù)介紹，新產(chǎn)品可用于光伏發(fā)電用逆變器等多種工業(yè)設(shè)備，尤其適合經(jīng)常采用高開(kāi)關(guān)頻率的醫(yī)療設(shè)備用電源。新產(chǎn)品有6種，耐壓均為1200V，額定電流為100A～600A不等。通過(guò)采
關(guān)鍵字： SiC 醫(yī)療設(shè)備

宜普電源高性能氮化鎵功率晶體管已有現(xiàn)貨供應(yīng)

　　氮化鎵(eGaN?)功率晶體管繼續(xù)為電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用設(shè)定業(yè)界領(lǐng)先的性能基準(zhǔn)。由于氮化鎵器件具有更低的導(dǎo)通電阻、更低的電容、更大的電流及卓越的熱性能，因此使得功率轉(zhuǎn)換器可實(shí)現(xiàn)超過(guò)98%的效率。　　宜普電源轉(zhuǎn)換公司宣布推出六個(gè)新一代功率晶體管及相關(guān)的開(kāi)發(fā)板。這些由30 V至200 V的產(chǎn)品在很多應(yīng)用可大大降低導(dǎo)通電阻(RDS(on))并可增強(qiáng)輸出電流性能，例如具高功率密度的直流-直流轉(zhuǎn)換器、負(fù)載點(diǎn)(POL)轉(zhuǎn)換器、直流-直流及交流-直流轉(zhuǎn)換器的同步整流器、馬達(dá)驅(qū)動(dòng)器、發(fā)光二極管照明及工業(yè)自動(dòng)化等廣
關(guān)鍵字：宜普 EPC MOSFET

DC/DC轉(zhuǎn)換器空間受限的解決方案

電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場(chǎng)中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
關(guān)鍵字： DC/DC轉(zhuǎn)換器寬電流 MOSFET 集成型穩(wěn)壓器

具高級(jí)輸入和負(fù)載保護(hù)功能的10A μModule降壓型穩(wěn)壓器

電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場(chǎng)中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
關(guān)鍵字：降壓型穩(wěn)壓器負(fù)載保護(hù) MOSFET LTM4641 μModule

東芝擴(kuò)大650V碳化硅肖特基勢(shì)壘二極管產(chǎn)品陣容

　　東京—東芝公司(TOKYO：6502)旗下的半導(dǎo)體&存儲(chǔ)產(chǎn)品公司今天宣布，該公司將通過(guò)添加TO-220F-2L絕緣封裝產(chǎn)品擴(kuò)大其650V碳化硅(SiC)肖特基勢(shì)壘二極管(SBD)系列產(chǎn)品。四款新產(chǎn)品將擴(kuò)大現(xiàn)有TO-220-2L封裝產(chǎn)品的6A、8A、10A和12A陣容。量產(chǎn)出貨即日啟動(dòng)。　　SBD適合各種應(yīng)用，包括光伏發(fā)電系統(tǒng)用的服務(wù)器電源和功率調(diào)節(jié)器。此外，它還可作為開(kāi)關(guān)電源中的硅二極管的替換件，能夠?qū)⑿侍嵘?0%(東芝調(diào)查)。　　SiC功率器件提供比當(dāng)前硅器件更加穩(wěn)定的運(yùn)行，即便是在高電壓
關(guān)鍵字：東芝 SBD SiC

IR新品AUIRFN8403提供緊湊5x6mm PQFN封裝

　　全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商——國(guó)際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱(chēng)IR)推出汽車(chē)級(jí)COOLiRFET功率MOSFET AUIRFN8403，適合需要極小占位面積和大電流性能的汽車(chē)應(yīng)用，包括泵電機(jī)控制和車(chē)身控制等。　　使用緊湊5x6mm PQFN封裝的AUIRFN8403，是IR運(yùn)用該公司最先進(jìn)的COOLiRFET 40V溝道技術(shù)的全新器件系列的首款產(chǎn)品，具有3.3 mΩ超低導(dǎo)通電阻和95A大電流承載能力。PQFN封裝具有加長(zhǎng)管腳，管腳的端口通過(guò)電鍍進(jìn)行焊接，從而
關(guān)鍵字： IR MOSFET COOLiRFET

美國(guó)阿肯色大學(xué)設(shè)計(jì)工作溫度超過(guò)350°C的SiC基集成電路

　　美國(guó)阿肯色大學(xué)研究人員已經(jīng)設(shè)計(jì)出可在溫度高于350°C (大約660°F)時(shí)工作的集成電路。該研究由美國(guó)國(guó)家科學(xué)基金(NSF)提供資助，研究成果可以提高用于電力電子設(shè)備、汽車(chē)和航空航天設(shè)備領(lǐng)域的處理器、驅(qū)動(dòng)器、控制器和其他模擬與數(shù)字電路的功能，因?yàn)樗羞@些應(yīng)用場(chǎng)合的電子設(shè)備都必須在高溫甚至經(jīng)常在極限溫度下運(yùn)行。　　阿肯色大學(xué)電子工程學(xué)院特聘教授Alan Mantooth說(shuō)，“堅(jiān)固性允許這些電路被放置在標(biāo)準(zhǔn)硅基電路部件無(wú)法工作的地方。我們?cè)O(shè)計(jì)了性能優(yōu)越的信號(hào)處理電路模
關(guān)鍵字： SiC 集成電路

東芝擴(kuò)大650V碳化硅肖特基勢(shì)壘二極管產(chǎn)品陣容

　　東京—東芝公司(TOKYO：6502)旗下的半導(dǎo)體&存儲(chǔ)產(chǎn)品公司今天宣布，該公司將通過(guò)添加TO-220F-2L絕緣封裝產(chǎn)品擴(kuò)大其650V碳化硅(SiC)肖特基勢(shì)壘二極管(SBD)系列產(chǎn)品。四款新產(chǎn)品將擴(kuò)大現(xiàn)有TO-220-2L封裝產(chǎn)品的6A、8A、10A和12A陣容。量產(chǎn)出貨即日啟動(dòng)。　　SBD適合各種應(yīng)用，包括光伏發(fā)電系統(tǒng)用的服務(wù)器電源和功率調(diào)節(jié)器。此外，它還可作為開(kāi)關(guān)電源中的硅二極管的替換件，能夠?qū)⑿侍嵘?0%(東芝調(diào)查)。　　SiC功率器件提供比當(dāng)前硅器件更加穩(wěn)定的運(yùn)行，即便是在高電壓
關(guān)鍵字：東芝 SBD SiC