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SiC 晶片的切片和表面精加工解決方案
- 如今，碳化硅用于要求苛刻的半導體應用，如火車、渦輪機、電動汽車和智能電網。由于其物理和電氣特性，基于SiC的器件適用于高溫、高功率密度和高工作頻率是常見要求的應用。盡管 SiC 功率器件推動了電動汽車、5G 和物聯網技術等要求苛刻領域的進步，但高質量 SiC 基板的生產給晶圓制造商帶來了多重挑戰。如今，碳化硅用于要求苛刻的半導體應用，如火車、渦輪機、電動汽車和智能電網。由于其物理和電氣特性，基于SiC的器件適用于高溫、高功率密度和高工作頻率是常見要求的應用。盡管 SiC 功率器件推動了電動汽車、5G 和物
- 關鍵字： SiC
Transphorm推出SuperGaN FET低成本驅動器方案
- 加利福尼亞州戈萊塔 – 2023 年 6 月 15 日 –新世代電力系統的未來, 氮化鎵（GaN）功率轉換產品的全球領先供應商Transphorm, Inc.（Nasdaq: TGAN）發布了一款高性能、低成本的驅動器解決方案。這款設計方案面向中低功率的應用，適用于LED照明、充電、微型逆變器、UPS和電竟電腦，加強了公司在這個30億美元電力市場客戶的價值主張。 不同于同類競爭的 e-mode GaN 解決方案需要采用定制驅動器或柵極保護器件的電平移位電路，Transphorm 的 SuperG
- 關鍵字： Transphorm SuperGaN FET 驅動器
中國小型 SiC 廠商，難過 2023
- 2018 年，特斯拉在 Model 3 中首次將 IGBT 模塊換成了 SiC 模塊，成為第一家在量產汽車中使用 SiC 芯片的電動汽車公司。特斯拉的使用結果表明，在相同功率等級下，SiC 模塊的封裝尺寸明顯小于硅模塊，并且開關損耗降低了 75％。換算下來，采用 SiC 模塊替代 IGBT 模塊，其系統效率可以提高 5％左右。一場特斯拉的大風，引燃了 SiC。然而，就在剛剛過去的 3 月份，特斯拉卻突然宣布，下一代的電動車傳動系統 SiC 用量大減 75%，因借創新技術找到下一代電動車動力系統減少使用 S
- 關鍵字： SiC
采用增強互連封裝技術的1200 V SiC MOSFET單管設計高能效焊機
- “引言”近年來，為了更好地實現自然資源可持續利用，需要更多節能產品，因此，關于焊機能效的強制性規定應運而生。經改進的碳化硅CoolSiC? MOSFET 1200 V采用基于.XT擴散焊技術的TO-247封裝，其非常規封裝和熱設計方法通過改良設計提高了能效和功率密度。?逆變焊機通常是通過功率模塊解決方案設計來實現更高輸出功率，從而幫助降低節能焊機的成本、重量和尺寸[1]。?在焊機行業，諸如提高效率、降低成本和增強便攜性（即，縮小尺寸并減輕重量）等趨勢一直是促進持續發展的推動力。譬如，多
- 關鍵字： 增強互連封裝技術 SiC MOSFET單管 焊機
Nexperia推出支持低壓和高壓應用的E-mode GAN FET
- 奈梅亨，2023年5月10日：基礎半導體器件領域的高產能生產專家Nexperia今天宣布推出首批支持低電壓(100/150 V)和高電壓(650 V)應用的E-mode（增強型）功率GaN FET。Nexperia在其級聯型氮化鎵產品系列上增加了七款新型E-mode器件，從GaN FET到其他硅基功率器件，Nexperia豐富的產品組合能為設計人員提供最佳的選擇。 Nexperia的新產品包括五款額定電壓為650 V的E-mode GaN FET（RDS(on)值介于80 mΩ至19
- 關鍵字： Nexperia E-mode GAN FET
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