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        sic combo jfet 文章 最新資訊

        專利設計發(fā)功 ROHM量產(chǎn)溝槽式SiC-MOSFET

        •   SiC-MOSFET技術新突破。羅姆半導體(ROHM)近日研發(fā)出采用溝槽(Trench)結(jié)構(gòu)的SiC-MOSFET,并已建立完整量產(chǎn)機制。新推出的溝槽式SiC-MOSFET和平面型SiC-MOSFET相比,可降低50%導通電阻,大幅降低太陽能發(fā)電用功率調(diào)節(jié)器和工業(yè)用變流器等設備的功率損耗。   羅姆半導體功率元件制造部部長伊野和英(左2)表示,新發(fā)布的溝槽式SiC-MOSFET采用該公司獨有的雙溝槽結(jié)構(gòu)專利,目前已開始量產(chǎn)。   羅姆半導體應用設計支援部課長蘇建榮表示,相對于Si-IGBT,SiC
        • 關鍵字: ROHM  SiC-MOSFET  

        高精度的功率轉(zhuǎn)換效率測量

        •   目前,電動汽車和工業(yè)馬達的可變速馬達驅(qū)動系統(tǒng),其低損耗·高效率·高頻率的性能正在不斷進化。因為使用了以低電阻、高速開關為特點的SiC和GaN等新型功率元件的PWM變頻器和AC/DC轉(zhuǎn)換器、DC/DC轉(zhuǎn)換器,其應用系統(tǒng)的普及正在不斷加速。構(gòu)成這些系統(tǒng)的變頻器·轉(zhuǎn)換器·馬達等裝置的開發(fā)與測試則需要相較以前有著更高精度、更寬頻帶、更高穩(wěn)定性的能夠迅速測量損耗和效率的測量系統(tǒng)。   各裝置的損耗和效率與裝置的輸入功率和輸出功率同時測量,利用它們的差和比
        • 關鍵字: SiC  GaN  電流傳感器  

        一款專為SiC Mosfet設計的DC-DC模塊電源

        •   SiC Mosfet具有耐高壓、低功耗、高速開關的特質(zhì),極大地提升了太陽能逆變器的電源轉(zhuǎn)換效率,拉長新能源汽車的可跑里程,應用在高頻轉(zhuǎn)換器上,為重型電機、工業(yè)設備帶來高效率、大功率、高頻率優(yōu)勢。。。。。。。據(jù)調(diào)查公司Yole developmet統(tǒng)計,SiC Mosfet現(xiàn)有市場容量為9000萬美元,估計在2013-2020年SiC Mosfet市場將每年增長39%。由此可預見,SiC即將成為半導體行業(yè)的新寵!   SiC Mosfet對比Si IGBT主要有以下優(yōu)勢:   i. 低導通電阻RDS
        • 關鍵字: SiC Mosfet  DC-DC  

        世界首家!ROHM開始量產(chǎn)采用溝槽結(jié)構(gòu)的SiC-MOSFET

        •   全球知名半導體制造商ROHM近日于世界首家開發(fā)出采用溝槽結(jié)構(gòu)的SiC-MOSFET,并已建立起了完備的量產(chǎn)體制。與已經(jīng)在量產(chǎn)中的平面型SiC-MOSFET相比,同一芯片尺寸的導通電阻可降低50%,這將大幅降低太陽能發(fā)電用功率調(diào)節(jié)器和工業(yè)設備用電源、工業(yè)用逆變器等所有相關設備的功率損耗。   另外,此次開發(fā)的SiC-MOSFET計劃將推出功率模塊及分立封裝產(chǎn)品,目前已建立起了完備的功率模塊產(chǎn)品的量產(chǎn)體制。前期工序的生產(chǎn)基地為ROHM Apollo Co., Ltd.(日本福岡縣),后期工序的生產(chǎn)基地為
        • 關鍵字: ROHM  SiC-MOSFET  

        ROHM(羅姆)舉辦“2015 ROHM科技展” 將于全國5個城市巡回展出

        •   全球知名半導體制造商ROHM于今年夏季將分別在成都(06/12)、長沙(06/26)、蘇州(07/10)、青島(07/ 24)、哈爾濱(08/07)等5個城市隆重推出“2015 ROHM科技展”巡展活動。在展示ROHM最新產(chǎn)品和技術的同時,還包括了由半導體業(yè)界專家和ROHM工程師帶來的主題演講,獲得了眾多工程師的盛情參與。   “2015 ROHM科技展”以“羅姆對智能生活的貢獻”為主題,從應用層面出發(fā),介紹功率電子、傳感器網(wǎng)絡
        • 關鍵字: ROHM  SiC  

        SiC功率器件的技術市場走勢

        •   摘要:探討了SiC的技術特點及其市場與應用。   近期,全球知名半導體制造商ROHM在清華大學內(nèi)舉辦了以“SiC功率元器件技術動向和ROHM的SiC功率元器件產(chǎn)品”為主題的交流學習會。此次交流學習會上,ROHM在對比各種功率器件的基礎上,對SiC元器件的市場采用情況和發(fā)展趨勢做了分析,并對ROHM的SiC產(chǎn)品陣容、開發(fā)以及市場情況做了詳盡的介紹。   各種功率器件的比較   功率元器件主要用于轉(zhuǎn)換電源,包括四大類:逆變器、轉(zhuǎn)換器(整流器)、直流斬波器DC/DC轉(zhuǎn)換器、矩陣
        • 關鍵字: SiC  功率器件  ROHM  IGBT  201503  

        場效應管工作原理- -場效應管工作原理也瘋狂

        • 一、場效應管的工作原理- -概念   場效應管(FET)是場效應晶體管(field-effect transistor)的簡稱,由于它僅靠半導體中的多數(shù)載流子導電,也稱為單極性場效應管,是一種常見的利用輸入回路的電場效應來控制輸出回路電流的一種電壓控制性半導體器件,場效應管不但具有雙極性晶體管體積小、重量輕、壽命長等優(yōu)點,而且輸入回路的內(nèi)阻高達107~1012Ω,噪聲低,熱穩(wěn)定性好,抗輻射能力強,且比后者耗電省,這些優(yōu)點使之從20世紀60年代誕生起就廣泛地應用于各種電子電路之中。 二、
        • 關鍵字: 場效應管  MOS  JFET  場效應管工作原理  

        LED襯底第三代半導體SiC技術的崛起

        •   第一代半導體材料Si點燃了信息產(chǎn)業(yè)發(fā)展的“星星之火”,而Si材料芯片也成就了“美國硅谷”高科技產(chǎn)業(yè)群,促使英特爾等世界半導體巨頭的誕生,95%以上的半導體器件和99%以上的集成電路都是由Si材料制作。        目前全球40%能量作為電能被消耗,而電能轉(zhuǎn)換最大耗散是半導體功率器件。曾經(jīng)的“中流砥柱”Si功率器件已日趨其發(fā)展的材料極限,難以滿足當今社會發(fā)展對于高頻、高溫、高功率、高能效、耐惡劣環(huán)境以及輕便小型
        • 關鍵字: LED  SiC  MOSFET  

        ROHM:國際半導體巨頭的“小”追求和“低”要求

        •   近年來,隨著柔性屏幕、觸控技術和全息技術在消費電子領域的應用日益廣泛,智能手機、平板電腦等智能終端功能越來越多樣化。加上可穿戴設備的興起、汽車電子的發(fā)展、通信設備的微型化,設備內(nèi)部印制電路板所需搭載的半導體器件數(shù)大幅提升,而在性能不斷提升的同時,質(zhì)量和厚度卻要求輕便、超薄。有限的物理空間加上大量的器件需求,對電子元器件的小型化、薄型化以及高精度、高可靠性提出了更高的要求,各個領域元器件小型化的需求日益高漲。小型化不僅是過去幾年的發(fā)展方向,也是將來的趨勢。   談到元器件的小型化,我們就不得不提為此作
        • 關鍵字: ROHM  半導體  SiC  

        穿戴設備點火 Combo傳感器產(chǎn)值走揚

        •   多功能組合(Combo)微機電系統(tǒng)(MEMS)感測器身價看漲。市調(diào)機構(gòu)Yole Developpement指出,穿戴式裝置商機起飛,將帶動MEMS感測器需求水漲船高,其中,Combo方案由于比獨立型感測器整合度更高且尺寸更小,正快速受到市場青睞;預估其產(chǎn)值規(guī)模將由2014年的5億8,500萬美元,躍升至2019年14億美元。   
        • 關鍵字: Combo  傳感器  穿戴設備  

        SiC功率半導體將在2016年形成市場 成為新一輪趨勢

        •   矢野經(jīng)濟研究所2014年8月4日公布了全球功率半導體市場的調(diào)查結(jié)果。   全球功率半導體市場規(guī)模的推移變化和預測(出處:矢野經(jīng)濟研究所)   2013年全球功率半導體市場規(guī)模(按供貨金額計算)比上年增長5.9%,為143.13億美元。雖然2012年為負增長,但2013年中國市場的需求恢復、汽車領域的穩(wěn)步增長以及新能源領域設備投資的擴大等起到了推動作用。   預計2014年仍將繼續(xù)增長,2015年以后白色家電、汽車及工業(yè)設備領域的需求有望擴大。矢野經(jīng)濟研究所預測,2020年全球功率半導體市場規(guī)
        • 關鍵字: SiC  功率半導體  

        SiC對醫(yī)療設備電源為最佳選擇,三菱電機展示高頻功率模塊

        •   三菱電機開發(fā)出了支持50kHz左右高頻開關動作的工業(yè)設備用混合SiC功率半導體模塊,并在7月23~25日舉辦的“日本尖端技術展(TECHNO-FRONTIER)2014”上展示。該模塊組合了高頻用Si-IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)和SiC-SBD(肖特基勢壘二極管),從2014年5月開始樣品供貨。   據(jù)介紹,新產(chǎn)品可用于光伏發(fā)電用逆變器等多種工業(yè)設備,尤其適合經(jīng)常采用高開關頻率的醫(yī)療設備用電源。新產(chǎn)品有6種,耐壓均為1200V,額定電流為100A~600A不等。通過采
        • 關鍵字: SiC  醫(yī)療設備  

        東芝擴大650V碳化硅肖特基勢壘二極管產(chǎn)品陣容

        •   東京—東芝公司(TOKYO:6502)旗下的半導體&存儲產(chǎn)品公司今天宣布,該公司將通過添加TO-220F-2L絕緣封裝產(chǎn)品擴大其650V碳化硅(SiC)肖特基勢壘二極管(SBD)系列產(chǎn)品。四款新產(chǎn)品將擴大現(xiàn)有TO-220-2L封裝產(chǎn)品的6A、8A、10A和12A陣容。量產(chǎn)出貨即日啟動。  SBD適合各種應用,包括光伏發(fā)電系統(tǒng)用的服務器電源和功率調(diào)節(jié)器。此外,它還可作為開關電源中的硅二極管的替換件,能夠?qū)⑿侍嵘?0%(東芝調(diào)查)。  SiC功率器件提供比當前硅器件更加穩(wěn)定的運行,即便是在高電壓
        • 關鍵字: 東芝  SBD  SiC  

        美國阿肯色大學設計工作溫度超過350°C的SiC基集成電路

        •   美國阿肯色大學研究人員已經(jīng)設計出可在溫度高于350°C (大約660°F)時工作的集成電路。該研究由美國國家科學基金(NSF)提供資助,研究成果可以提高用于電力電子設備、汽車和航空航天設備領域的處理器、驅(qū)動器、控制器和其他模擬與數(shù)字電路的功能,因為所有這些應用場合的電子設備都必須在高溫甚至經(jīng)常在極限溫度下運行。   阿肯色大學電子工程學院特聘教授Alan Mantooth說,“堅固性允許這些電路被放置在標準硅基電路部件無法工作的地方。我們設計了性能優(yōu)越的信號處理電路模
        • 關鍵字: SiC  集成電路  

        東芝擴大650V碳化硅肖特基勢壘二極管產(chǎn)品陣容

        •   東京—東芝公司(TOKYO:6502)旗下的半導體&存儲產(chǎn)品公司今天宣布,該公司將通過添加TO-220F-2L絕緣封裝產(chǎn)品擴大其650V碳化硅(SiC)肖特基勢壘二極管(SBD)系列產(chǎn)品。四款新產(chǎn)品將擴大現(xiàn)有TO-220-2L封裝產(chǎn)品的6A、8A、10A和12A陣容。量產(chǎn)出貨即日啟動。  SBD適合各種應用,包括光伏發(fā)電系統(tǒng)用的服務器電源和功率調(diào)節(jié)器。此外,它還可作為開關電源中的硅二極管的替換件,能夠?qū)⑿侍嵘?0%(東芝調(diào)查)。  SiC功率器件提供比當前硅器件更加穩(wěn)定的運行,即便是在高電壓
        • 關鍵字: 東芝  SBD  SiC  
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