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        sic combo jfet 文章 最新資訊

        技術講座:用氧化鎵能制造出比SiC性價比更高的功率

        • 與SiC和GaN相比,beta;-Ga2O3有望以低成本制造出高耐壓且低損失的功率半導體元件,因而引起了極大關注。契機源于日本信息通信研究機構等的研究小組開發出的beta;-Ga2O3晶體管。下面請這些研究小組的技術人員,以論
        • 關鍵字: SiC  講座  功率元件  氧化鎵    

        技術講座:用氧化鎵能制造出比SiC性價比更高的功率元件(二)

        • 基板成本也較低采用β-Ga2O3制作基板時,可使用“FZ(floatingzone)法”及“EFG(edge-definedfilm-fed...
        • 關鍵字: 氧化鎵  SiC  功率元件  MOSFET  LED  

        技術講座:用氧化鎵能制造出比SiC性價比更高的功率元件(一)

        • 與SiC和GaN相比,β-Ga2O3有望以低成本制造出高耐壓且低損失的功率半導體元件,因而引起了極大關注。契機源...
        • 關鍵字: SiC  功率元件  GaN  導通電阻  

        筆記本電腦光驅(Combo)詳盡拆解及元器件解析

        • 筆記本電腦光驅(Combo)詳盡拆解及元器件解析
        • 關鍵字: Combo  光驅  

        采用IMEC的SiC技術完成生物電信號采集

        • 采用IMEC的SiC技術完成生物電信號采集,人體信息監控是一個新興的領域,人們設想開發無線腦電圖(EEG)監控設備來診斷癲癇病人,可穿戴的無線EEG能夠極大地改善病人的活動空間,并最終通過因特網實現家庭監護。這樣的無線EEG系統已經有了,但如何將他們的體積
        • 關鍵字: IMEC  SiC  生物電信號采集    

        世界首家“全SiC”功率模塊開始量產

        • 日本知名半導體制造商羅姆株式會社(總部:日本京都市)推出的“全SiC”功率模塊(額定1200V/100A)開始投入量產。該產品的內置功率半導體元件全部采用SiC(Silicon Carbide:碳化硅)構成。
        • 關鍵字: 羅姆  半導體  SiC  

        用SiC撬動新能源、汽車電子新興市場

        • 由于具有低功耗、高耐壓、高耐溫、高可靠性等優點,SiC功率器件被廣泛應用于電動汽車/混合動力車中的逆變器、轉換器、PFC電路等領域、傳統工業(尤其是軍工)中的功率轉換領域以及太陽能、風能等新能源中的整流、逆變等領域,很多半導體廠商都看好SiC技術的未來,并積極投身其中,在08年收購生產SiC晶圓的德國SiCrystal公司之后,羅姆半導體(ROHM)已經在SiC領域形成了從晶圓制造、前期工序、后期工序再到功率模塊的一條龍生產體系,并率先市場SiC器件的量產,羅姆要將SiC器件應用于哪些新興領域?如何發揮其
        • 關鍵字: 羅姆  太陽能  SiC  

        瑞薩電子推出三款低損耗碳化硅功率器件

        • 全球領先的高級半導體和解決方案的供應商瑞薩電子株式會社(以下簡稱“瑞薩電子”)宣布推出三款碳化硅(SiC)復合功率器件,它們是RJQ6020DPM、RJQ6021DPM和RJQ6022DPM。三款產品在單一封裝中結合了多個碳化硅二極管和多個功率晶體管,組成電源轉換電路。這些功率器件是瑞薩電子推出的采用碳化硅的第二個功率半導體產品系列。碳化硅是一種能有效降低損耗的新材料。全新功率器件旨在用于家電(如空調)、PC服務器和太陽能發電系統等電力電子產品。
        • 關鍵字: 瑞薩電子  功率器件  SiC  

        科銳推出芯片型碳化硅功率器件

        • 碳化硅(SiC)功率器件領域的市場領先者科銳公司將繼續引領高效率電子電力模組變革,宣布推出業界首款符合全面認證的可應用于電力電子模組的裸芯片型及芯片型碳化硅MOSFET功率器件。科銳碳化硅ZFET MOSFET器件和二極管適用于高階電力電子電路,與傳統硅器件相比,可實現更高的能源效率。
        • 關鍵字: 科銳  SiC  MOSFET  

        Power Integrations將銷售SiC二極管和JFET

        • 用于高能效電源轉換的高壓集成電路業界的領導者Power Integrations公司今日宣布同SemiSouth Laboratories簽署代表其在歐洲以外市場銷售創新的碳化硅(SiC)二極管和JFET系列產品的協議。
        • 關鍵字: Power Integrations  SiC二極管  JFET  

        羅姆與APEI聯合開發出SiC溝槽MOS模塊

        • 日本知名半導體制造商羅姆株式會社(總部:日本京都市)日前面向EV、HEV車(電動汽車、混合動力車)及工業設備,與擁有電力系統和電源封裝技術的Arkansas Power Electronics International(APEI)公司聯合開發出搭載了SiC溝槽MOS的高速、大電流模塊“APEI HT2000”。該模塊一改傳統的Si模塊的設計,由于最大限度地利用了SiC器件的特點,從而大幅改善了電氣特性、機械特性,同時實現了超小型化、輕量化、高效化,在SiC模塊的普及上邁出了巨大的一步。
        • 關鍵字: 羅姆  SiC  MOS  

        羅姆開發出世界首家壓鑄模類型SiC功率模塊

        • 日本知名半導體制造商羅姆株式會社(總部:日本京都市)日前面向EV/HEV車(電動汽車/混合動力車)和工業設備的變頻驅動,開發出符合SiC器件溫度特性的可在高溫條件下工作的SiC功率模塊。該模塊采用新開發的高耐熱樹脂,世界首家實現了壓鑄模類型、225℃高溫下工作,并可與現在使用Si器件的模塊同樣實現小型和低成本封裝,在SiC模塊的普及上邁出了巨大的一步。
        • 關鍵字: 羅姆  SiC  

        羅姆半導體: “四大戰略”迸發強勁動力

        • 據羅姆中國營業本部村井美裕介紹,面對未來的50年,羅姆提出了“相乘戰略”、“功率器件戰略”、“LED戰略”和“傳感器戰略”四大企業戰略。
        • 關鍵字: 羅姆  SiC  LED  

        富士電機擬擴增SiC功率半導體產線

        •   富士電機計劃生產采用碳化硅作為原料的功率半導體,并在2012年前于該公司位于日本長野縣的松元制作所增設一條產線,此為該公司首次在自家工廠設置碳化硅功率半導體的產線,未來預計在2012年春季開始量產。   
        • 關鍵字: 富士電機  SiC  

        復合式的Android

        • 有關Ice Cream Sandwich的消息不斷,近期出現在網絡上的報導眾多,一般認為,Ice Cream Sandwich將會以Android 4.0的版本號碼釋出,成為Android發展史的重要里程碑。朝完全邁向商業化努力的Android系統,即將進入重要的發展階段:「平板與手機 Combo」版本
        • 關鍵字: Android  Combo  iPhone  
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