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ROHM全SiC功率模塊的產(chǎn)品陣容更強大！支持1200V 400A（BSM400D12P3G002）、600A（BSM600D12P3G001），有助于大功率應用的高效化與小型化
- <概要> 全球知名半導體制造商ROHM面向工業(yè)設備用的電源、太陽能發(fā)電功率調(diào)節(jié)器及UPS等的逆變器、轉(zhuǎn)換器，開發(fā)出額定1200V 400A、600A的全SiC功率模塊“BSM400D12P3G002”、“BSM600D12P3G001”。 本產(chǎn)品通過ROHM獨有的模塊內(nèi)部結(jié)構(gòu)及散熱設計優(yōu)化，實現(xiàn)了600A額定電流，由此，在工業(yè)設備用大容量電源等更大功率產(chǎn)品中的應用成為可能。另外，與普通的同等額定電流的IGBT模塊相比，開關(guān)損耗降低了64%(芯片溫度150℃時)，這非常有助于應
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汽車功率元器件市場前景廣闊
- 汽車功率電子產(chǎn)品正成為半導體行業(yè)的關(guān)鍵驅(qū)動因素之一。這些電子產(chǎn)品包括功率元器件，是支撐新型電動汽車續(xù)航里程達到至少200英里的核心部件。 雖然智能手機的出貨量遠高于汽車(2015年為14億部[1]，汽車銷量為8,800萬輛[2])，但汽車的半導體零件含量卻高得多。汽車功率IC穩(wěn)健增長，2015-2020年該行業(yè)的年復合增長率預計將達8%[3]。尤其是電池驅(qū)動的電動汽車在該行業(yè)成為強勁增長推動力，2015年5月Teardown.com針對寶馬i3電動車的報告顯示，該車型物料清單中包含100多個電源
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如何成為硬件高手
- 摘要：駕駛著進取號電子飛船，從發(fā)射區(qū)進入充滿黑洞的基區(qū)，一些同伴被黑洞束縛，一些擄去另一世界，你幸運地躲過一劫飛到集電結(jié)，受到強大的吸力快速渡越出集電區(qū)，漫游在低阻導線上，松了一口氣。然而前路不如你所愿地一帆風順，阻力重重的負載中到處碰壁…… 古人學問無遺力，少壯工夫老始成。若問硬件速成法，猶似浮沙立大廈。千萬別認為看后就能成為高手，當然筆者亦非高手，水滴石穿又豈是朝夕之功!謹以過往經(jīng)歷和拙見與在校學生朋友和剛工作的工程師分享共勉。 理論學習 沒有滿腹經(jīng)綸，何能出口成章。但覺得書海茫茫，不知從何
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功率半導體：自主可控迫在眉睫 產(chǎn)業(yè)地位穩(wěn)步提升
- 與市場的不同的觀點:傳統(tǒng)觀點認為功率半導體競爭格局固定,技術(shù)升級步伐相對緩慢,與集成電路產(chǎn)業(yè)的重要性不可同日而語,中泰電子認為隨著新能源車和高端工控對新型功率器件的需求爆發(fā),功率半導體的產(chǎn)業(yè)地位正在逐步提升,其重要性不亞于規(guī)模更大的“集成電路”。大陸半導體產(chǎn)業(yè)的崛起需要“兩條腿走路”(集成電路+功率器件),由于功率半導體的重要性被長期低估,我國功率半導體產(chǎn)業(yè)存在規(guī)模小、技術(shù)落后、品類不全等諸多不足,適逢我國半導體投融資漸入高峰期,行業(yè)龍頭有望率先受益。大
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電源設計控必須了解的2017三大趨勢
- 2017電源市場需求和技術(shù)趨勢風向如何?來e星球，與超六萬的專業(yè)人士一起把握潮流! 需求往往是推動創(chuàng)新的源泉，無論是時尚、金融亦或是我們熟悉的電源領(lǐng)域都存在這樣的現(xiàn)象。抓住了用戶需求，潛在的創(chuàng)新動力才會被激發(fā)，也只有適應需求的創(chuàng)新才是最具生命周期的。2017年電源需求在哪?創(chuàng)新著力點在哪?帶著疑問與期盼請來亞洲第一大電子展——2017年慕尼黑上海電子展一探究竟吧!3月14日-16日將有超過6萬多名的專業(yè)觀眾以及眾多的國內(nèi)外領(lǐng)先電源廠商集聚上海新國際博覽中心，深度探討2017年中國電源市場需求與走勢，
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新型激光材料加工專利大幅提升SiC生產(chǎn)率
- 日本 DISCO 公司的科學家們使用一種稱為關(guān)鍵無定形黑色重復吸收(key amorphous-black repetitive absorption，KABRA)的專利和正在申請專利的激光材料加工技術(shù)，可以將碳化硅(SiC)晶圓的生產(chǎn)率提升到原來的四倍，并且在提高產(chǎn)量的同時減少材料損耗。該技術(shù)適用于單晶和多晶錠，不管晶體層的取向如何。目前，SiC 功率器件在市場中的滲透較慢，主要是因為其產(chǎn)量小、且生產(chǎn)成本高。然而，KABRA 方法能夠顯著提高 SiC 器件的產(chǎn)量，并且應該能夠使 SiC 器件作為功率
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“十三五”期間，功率半導體產(chǎn)業(yè)應有怎樣的路線圖？
- 如果說中央處理器(CPU)是一臺計算機的心臟，功率半導體就是電機的心臟，它可以實現(xiàn)對電能的高效產(chǎn)生、傳輸、轉(zhuǎn)換、存儲和控制。我國發(fā)布《中國制造2025》，勾勒出未來十年產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)型升級的整體方向與發(fā)展規(guī)劃，在此過程中，功率半導體發(fā)揮的作用不可替代。 然而，與集成電路產(chǎn)業(yè)相似，我國功率半導體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展水平與國際先進水平也存在著巨大差距。人們常拿我國每年集成電路進口額與石油進行比較，其實如果按比例計算，我國功率半導體的進口替代能力可能更弱。隨著“節(jié)能減排”、“開發(fā)綠色
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結(jié)型場效應管(JFET)的基礎(chǔ)知識
- 結(jié)構(gòu)與符號： ? ? 在N區(qū)兩側(cè)擴散兩個P+區(qū)，形成兩個PN結(jié)。兩個P+區(qū)相連，引出柵極g。N體的上下兩端分別引出漏極d和源極s。 導電原理： ? ? (1)VGS=0時，N型棒體導電溝道最寬(N型區(qū))。有了VDS后，溝道中的電流最大。 (2)VGS<0時，耗盡層加寬(主要向溝道一測加寬)，并向溝道中間延伸，溝道變窄。 當VGS
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