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        si-cmos 文章 最新資訊

        世強(qiáng)啟動(dòng)Silicon Labs 2014創(chuàng)新技術(shù)巡回研討會(huì)

        •   由中國(guó)最大本土分銷企業(yè)世強(qiáng)攜手業(yè)界領(lǐng)先的高性能混合信號(hào)IC供應(yīng)商Silicon?Labs舉辦的創(chuàng)新技術(shù)巡回研討會(huì)將于近期全面啟動(dòng)。本次研討會(huì)主要針對(duì)在職研發(fā)工程師,Silicon?Labs的資深技術(shù)專家將親臨現(xiàn)場(chǎng),帶來處于創(chuàng)新最前沿的設(shè)計(jì)技術(shù)。  本次會(huì)議主題涉及:  1、應(yīng)用全球最節(jié)能的ARM?Cortex?MCU實(shí)現(xiàn)超低功耗設(shè)計(jì)(最低待機(jī)功耗900nA)  2、100MIPS?的8位MCU創(chuàng)新設(shè)計(jì)與應(yīng)用  3、使用任意頻點(diǎn)可編程時(shí)鐘縮短產(chǎn)品上市時(shí)間
        • 關(guān)鍵字: 世強(qiáng)  SI  ARM  MCU  GPS  

        非制冷紅外焦平面陣列電路設(shè)計(jì)

        •   針對(duì)SOI二極管型非制冷紅外探測(cè)器,設(shè)計(jì)了一種新型讀出電路(ROIC)。該電路采用柵調(diào)制積分(GMI)結(jié)構(gòu),將探測(cè)器輸出電壓信號(hào)轉(zhuǎn)化為電流信號(hào)進(jìn)行積分。設(shè)計(jì)了虛擬電流源結(jié)構(gòu),消除線上壓降(IR drop)對(duì)信號(hào)造成的影響。電路采用0.35μm 2P4M CMOS工藝進(jìn)行設(shè)計(jì),5V電源電壓供電。當(dāng)探測(cè)器輸出信號(hào)變化范圍為0~5mV時(shí),讀出電路仿真結(jié)果表明:動(dòng)態(tài)輸出范圍2V,線性度99.68%,信號(hào)輸出頻率5MHz,功耗116mW。
        • 關(guān)鍵字: 紅外  ROIC  CMOS  SOI  GMI  201404  

        中國(guó)廠商推出世界最高分辨率CMOS傳感器

        • 由中國(guó)辰芯光電設(shè)計(jì)、以色列Towerjazz代工、世界上最高分辨率的1.5億像素全畫幅CMOS圖像傳感器GMAX3005面世。除了超高的像素分辨率,這顆感光器的其他參數(shù)也是相當(dāng)了得......
        • 關(guān)鍵字: CMOS  傳感器  

        NEC斥資1億美元收購(gòu)萬向集團(tuán)蓄電系統(tǒng)業(yè)務(wù)

        •   3月24日,IT&通信巨頭NEC公司宣布以1億美元收購(gòu)中國(guó)萬向集團(tuán)旗下A123Systems公司的蓄電系統(tǒng)集成部門(A123?Energy?Solutions),此次世界頂級(jí)蓄電SI和ICT的強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)合,目標(biāo)瞄準(zhǔn)的是全球能源市場(chǎng)。憑借此舉,NEC將成為世界領(lǐng)先的蓄電系統(tǒng)供應(yīng)商,并有助于其實(shí)現(xiàn)全球智慧能源戰(zhàn)略。  據(jù)悉,NEC集團(tuán)將于今年6月成立?“NEC能源解決方案”新公司,通過整合A123的蓄電系統(tǒng)集成和NEC公司世界領(lǐng)先的信息通信技術(shù)?(ICT),以及
        • 關(guān)鍵字: NEC  萬向  A123Systems  SI  ICT  

        一種14位210MSPS校準(zhǔn)電流DAC設(shè)計(jì)

        • 本文設(shè)計(jì)了一種3.3V 14位210MSPS 電流型DAC。該轉(zhuǎn)換器包括高速模擬開關(guān)、帶隙參考電路、電流調(diào)整電路和高速鎖存器等。采用了分段電流沉結(jié)構(gòu),同時(shí)還采取了電流源調(diào)整技術(shù),改善了芯片的線性參數(shù)。電路基于0.35μm CMOS工藝設(shè)計(jì),芯片面積3.8mm2。測(cè)試表明,其刷新率可達(dá)210MSPS,INL為±0.8LSB,DNL為±0.5LSB,SFDR@fclk=210MSPS為72dBC@fout=5.04MHz,在3.3V電壓下工作時(shí)功耗小于120mW。  
        • 關(guān)鍵字: DAC  CMOS  

        一種數(shù)字化的雙向微型無線內(nèi)窺鏡系統(tǒng)設(shè)計(jì)

        • 本文提出了一種全新的數(shù)字化的雙向微型無線內(nèi)窺鏡系統(tǒng), 該系統(tǒng)具有可實(shí)時(shí)觀察病人消化道圖像、全消化道檢查、提供三維深度圖像數(shù)據(jù)等功能。 對(duì)消化道疾病的檢查, 目前最常用和最直接有效的方法就是內(nèi)窺鏡檢查, 它在消化道疾病的診斷中起著極為重要的作用。但現(xiàn)有的常用內(nèi)窺鏡系統(tǒng)都不得不帶有引導(dǎo)插管, 給系統(tǒng)操作帶來不便, 同時(shí)給檢查病人也帶來很大的痛苦, 而且檢查的部位受到限制, 無法實(shí)現(xiàn)對(duì)小腸部分的檢查。隨著微電子技術(shù)的發(fā)展, 以色列人開發(fā)出了無線內(nèi)窺鏡系統(tǒng)[1],其發(fā)展還在起步階段, 存在一些局限性, 比如圖像
        • 關(guān)鍵字: 無線  CMOS  

        安森美半導(dǎo)體推出高能效電池監(jiān)測(cè)器

        •   推動(dòng)高能效創(chuàng)新的安森美半導(dǎo)體(ON?Semiconductor,)推出新系列的互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)?“電池電量監(jiān)測(cè)器”集成電路(IC),為智能手機(jī)、平板電腦及數(shù)碼相機(jī)等多種便攜電子產(chǎn)品中常用的單節(jié)鋰離子(Li+)電池提供精確的剩余電量等級(jí)監(jiān)測(cè)。新的LC709201F、LC709202F及LC709203F結(jié)合了高精度等級(jí),以及業(yè)界最低能耗,優(yōu)于執(zhí)行此功能的競(jìng)爭(zhēng)器件。這些器件還減少元件數(shù)量及降低系統(tǒng)成本,因?yàn)樗鼈兏?jìng)爭(zhēng)器件不同,并不要求電流感測(cè)電阻來組成方案。  安森美半
        • 關(guān)鍵字: 安森美  LC709201F  CMOS  便攜  電池監(jiān)測(cè)  

        一種基于混合信號(hào)技術(shù)的汽車電子單芯片設(shè)計(jì)

        • 隨著汽車部件電子化程度的不斷提高,汽車工程師們正積極地尋求車輛系統(tǒng)中的先進(jìn)控制和接口技術(shù)解決方案。目前,汽車系統(tǒng)中用來嵌入這些功能單元的空間和能源十分有限,汽車工程師們正借助于新穎的高壓混合信號(hào)技術(shù)將復(fù)雜的——截至目前還不兼容的元件功能集成到一塊芯片上。現(xiàn)在,應(yīng)用與42V車載電壓兼容的I3T高電壓技術(shù)已經(jīng)可以將復(fù)雜的數(shù)字電路(如傳感器)、嵌入式微處理器以及功率電路(如激勵(lì)源或開關(guān)驅(qū)動(dòng)器)集成到一起。 LIN總線系統(tǒng) 由于其相對(duì)較低的造價(jià),LIN總線正被廣泛應(yīng)用于汽車的分布式電氣
        • 關(guān)鍵字: AMI  CMOS  

        高通推3G/4G LTE集成CMOS放大器芯片

        •   高通公司QFE2320和QFE2340芯片的成功商用,標(biāo)志著移動(dòng)射頻前端技術(shù)的一個(gè)重大進(jìn)展,兩款芯片借助簡(jiǎn)化的走線和行業(yè)尺寸最小的功率放大器和天線開關(guān),相信會(huì)在集成電路上實(shí)現(xiàn)前所未有的功能。   集成天線開關(guān)的QFE2320多模多頻功率放大器(MMMBPA)和集成收發(fā)器模式開關(guān)的QFE2340高頻段MMMBPA,以及首款用于3G/4GLTE移動(dòng)終端的包絡(luò)追蹤(ET)芯片QFE1100,都是Qualcomm?RF360?前端解決方案的關(guān)鍵組件,并支持OEM廠商打造用于全球LTE移動(dòng)網(wǎng)絡(luò)的單
        • 關(guān)鍵字: 高通  CMOS  

        一種0.1-1.2GHz的CMOS射頻收發(fā)開關(guān)芯片設(shè)計(jì)

        •   本文設(shè)計(jì)了一種低插入損耗、高隔離度的全集成超寬帶CMOS 射頻收發(fā)開關(guān)芯片。該電路采用深N阱體懸浮技術(shù),在1.8V電壓供電下,該射頻開關(guān)收發(fā)兩路在0.1-1.2GHz內(nèi)的測(cè)試結(jié)果具有0.7dB的插入損耗、優(yōu)于-20dB的回波損耗以及-37dB以下的隔離度。本開關(guān)采用GLOBALFOUNDRIES 0.18μm CMOS工藝,芯片總面積為0.53mm2。
        • 關(guān)鍵字: 射頻開關(guān)  CMOS  開關(guān)芯片  201402  

        從4004到core i7——處理器的進(jìn)化史-CPU構(gòu)成零件-5

        • 前面我說過,要順帶介紹一下除了CMOS之外的邏輯電路。所以下面我們看一看都有哪些選擇,以及各自的利弊吧。
        • 關(guān)鍵字: CMOS  PMOS  傳輸門  NMOS  CPU  

        從4004到core i7——處理器的進(jìn)化史-CPU構(gòu)成零件-4

        • 上一帖我們說到了IC的性能取決于R與C的乘積。看到留言后我發(fā)現(xiàn)還必須補(bǔ)充一個(gè)遺漏的事實(shí):當(dāng)器件的尺寸變得越來越小,連線在IC中越來越成為一個(gè)瓶頸。這是由于一個(gè)非常簡(jiǎn)單的原因:連線相對(duì)于器件的尺寸來說越來越長(zhǎng)了。
        • 關(guān)鍵字: EDA  CMOS  CPU  反相器  PMOS  

        從4004到core i7——處理器的進(jìn)化史-CPU構(gòu)成零件-3

        • 從上面的帖子中我們看到了CMOS工藝下的反相器。如果用一張圖總結(jié)一下這種設(shè)計(jì)模式就是下面的這張圖
        • 關(guān)鍵字: CMOS  PUN  VDD  電路  CPU  

        從4004到core i7——處理器的進(jìn)化史-CPU構(gòu)成零件-2

        • 在上一個(gè)帖子當(dāng)中我們見到了MOS管。下面我們來看一看用它完成的一個(gè)最簡(jiǎn)單的設(shè)計(jì)。
        • 關(guān)鍵字: MOS  CMOS  反相器  電路  NMOS  
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