- 根據彭博新聞(Bloomberg)的消息，中國廠商對于收購恩智浦半導體(NXP Semiconductors)的標準產品業務興趣濃厚;該報導引述匿名消息來源指出，恩智浦可能會開價至少20億美元出售標準產品業務，而有興趣的買家包括投資業者北京建廣資本(JAC Capital)在內。
恩智浦的標準產品(standard products)業務負責生產離散元件如二極體、電晶體、MOSFET、ESD保護元件以及標準邏輯晶片，該業務部門營收占據該公司整體營收約20%。而中國近年來致力于扶植本土半導體產業，
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恩智浦 RF
- 處理連續性的光、聲音、速度、溫度等自然模擬信號的IC被稱為模擬IC。模擬IC處理的這些信號都具有連續性，可以轉換為正弦波研究。而數字IC處理的是非連續性信號，都是脈沖方波。 模擬IC按技術類型來分有只處理模擬信號的線性IC和同時處理模擬與數字信號的混合IC。模擬IC按應用來分可分為標準型模擬IC和特殊應用型模擬 IC。標準型模擬IC包括放大器(Amplifier)、電壓調節與參考對比(VoltageRegulator/Reference)、信號界面(Interface)、數據轉換(Data
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模擬IC CMOS
- 本篇文章介紹了在邏輯IC中CMOS和TTL出現多余輸入端的解決方法，并且對每種情況進行了較為詳細的說明，希望大家能從本文得到有用的知識，解決輸入端多余的問題。 CMOS門電路 CMOS門電路一般是由MOS管構成，由于MOS管的柵極和其它各極間有絕緣層相隔，在直流狀態下，柵極無電流，所以靜態時柵極不取電流，輸入電平與外接電阻無關。由于MOS管在電路中是一壓控元件，基于這一特點，輸入端信號易受外界干擾，所以在使用CMOS門電路時輸入端特別注意不能懸空。在使用時應采用以下方法： 與門和與非門電路 由
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CMOS TTL
- D類放大器首次提出于1958年，近些年已逐漸流行起來。那么，什么是D類放大器?它們與其它類型的放大器相比如何? 為什么D類放大器對于音頻應用很有意義?設計一個“優質”D類音頻放大器需要考慮哪些因素? 本文中試圖回答上述所有問題。 音頻放大器背景 音頻放大器的目的是以要求的音量和功率水平在發聲輸出元件上重新產生真實、高效和低失真的輸入音頻信號。音頻頻率范圍約為20 Hz～20 kHz，因此放大器必須在此頻率范圍內具有良好的頻率響應(當驅動頻帶有限的揚聲器時頻率
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D類放大器 CMOS
- 在工業應用的成像系統中，CCD是采用定制的半導體工藝生產，高度優化于成像應用，并需要外部電路將模擬輸出電壓轉換為數字信號用于后續處理。具有高效的電子快門能力、寬動態范圍和出色的圖像均勻性。而CMOS圖像傳感器不像CCD將電荷傳送到有限的輸出端，而是放置晶體管在每一像素內，來進行電荷——電壓轉換。這令電壓在整個器件中傳輸，使更快和更靈活的圖像讀取成為可能。
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成像系統 圖像傳感器 CCD CMOS 201604
- TTL電平信號對于計算機處理器控制的設備內部的數據傳輸是很理想的。COMS集成電路的許多基本邏輯單元都是用增強型PMOS晶體管和增強型NMOS管按照互補對稱形式連接的，下面來說一下兩者的區別。 什么是TTL電平 TTL電平信號被利用的最多是因為通常數據表示采用二進制規定，+5V等價于邏輯"1"，0V等價于邏輯"0"，這被稱做TTL(晶體管-晶體管邏輯電平)信號系統，這是計算機處理器控制的設備內部各部分之間通信的標準技術。 TTL電平信號對于計算機處理器控制
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TTL CMOS
- 整合光子與電子元件的半導體微芯片可加快資料傳輸速度、增進效能并減少功耗，但受到制程方面的限制，一直無法廣泛應用。自然(Nature)雜志刊登一篇由美國加州大學柏克萊分校、科羅拉多大學和麻省理工學院研究人員發表的論文，表示已成功利用現有CMOS標準技術，制作出一顆整合光子與電子元件的單芯片。
據HPC Wire網站報導，這顆整合7，000萬個電晶體和850個光子元件的芯片，采用商業化的45納米SOI CMOS制程制作，與現有的設計和電子設計工具均相容，因此可以大量生產。芯片內建的光電發射器和接收器
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芯片 CMOS
- 在不了解會受到何種損害的情況下，具備高深的數字電子知識的設計師發現，當需要給無線器件確定濾波器參數時，急需復習射頻基礎知識。如果沒有考慮濾波器類型和最低技術規格要求方面的基本要素，可能導致產品不能通過“測試”，結果產品又得重新開始設計，導致代價昂貴的生產推遲。另一方面，懂得如何準確確定濾波器參數，將有助于使生產出的產品滿足客戶的生產標準和功能。事實上，這種知識有助于在提高產品在市場上的成功機會的同時，控制生產費用。 從基礎開始 在當今無線領域，激烈的擴展帶寬的競爭迫使人們要更加關注濾波器的性能。如
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RF 微波濾波器
- 集成電路按晶體管的性質分為TTL和CMOS兩大類，TTL以速度見長，CMOS以功耗低而著稱，其中CMOS電路以其優良的特性成為目前應用最廣泛的集成電路。在電子制作中使用CMOS集成電路時，除了認真閱讀產品說明或有關資料，了解其引腳分布及極限參數外，還應注意以下幾個問題。 1、電源問題 (1)CMOS集成電路的工作電壓一般在3-18V，但當應用電路中有門電路的模擬應用(如脈沖振蕩、線性放大)時，最低電壓則不應低于4.5V。由于CMOS集成電路工作電壓寬，故使用不穩壓的電源電路CMOS集成電路也可以正
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CMOS 集成電路
- RF電路布局要想降低寄生信號，需要RF工程師發揮創造性。記住以下這八條規則，不但有助于加速產品上市進程，而且還可提高工作日程的可預見性。
規則1：接地通孔應位于接地參考層開關處
流經所布線路的所有電流都有相等的回流。耦合策略固然很多，不過回流通常流經相鄰的接地層或與信號線路并行布置的接地。在參考層繼續時，所有耦合都僅限于傳輸線路，一切都非常正常。不過，如果信號線路從頂層切換至內部或底層時，回流也必須獲得路徑。
圖1就是一個實例。頂層信號線路電流下面緊挨著就是回流。當它轉移到底層時，回
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RF 寄生信號
- 一.TTL TTL集成電路的主要型式為晶體管-晶體管邏輯門(transistor-transistor logic gate)，TTL大部分都采用5V電源。 1.輸出高電平Uoh和輸出低電平Uol Uoh≥2.4V,Uol≤0.4V 2.輸入高電平和輸入低電平 Uih≥2.0V，Uil≤0.8V 二.CMOS CMOS電路是電壓控制器件，輸入電阻極大，對于干擾信號十分敏感，因此不用的輸入端不應開路，接到地或者電源上。CMOS電路的優點是噪聲容限較寬，靜態功耗很小。
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TTL CMOS
- 歐盟(E.U.)最近啟動一項為期三年的“為下一代高性能CMOS SoC技術整合III-V族奈米半導體”(INSIGHT)研發計劃，這項研發經費高達470萬美元的計劃重點是在標準的互補金屬氧化物半導體 (CMOS)上整合III-V族電晶體通道。其最終目的則在于符合未來的5G規格要求，以及瞄準頻寬更廣、影像解析度更高的雷達系統。
除了IBM (瑞士)，該計劃將由德國弗勞恩霍夫應用固態物理研究所Fraunhofer IAF、法國LETI、瑞典隆德大學(Lund Universi
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5G CMOS
- 推動高能效創新的安森美半導體(ON Semiconductor)，進一步擴展成像方案產品陣容，推出最新的高性能CMOS數字圖像傳感器。AR1337是1/3.2英寸格式背照式器件，針對消費電子產品如智能手機和平板電腦。AR1337結合高性能的SuperPD?相位檢測自動對焦(PDAF)像素技術，提供微光下300 ms或更少時間的對焦速度，即使微光低于25勒克斯(lux)。此外，AR1337通過采用其片上PDAF處理，大大簡化集成到智能手機平臺和提高相機模塊集成商生產能力，較市場上其它
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安森美 CMOS
- 本文以改善RF的信號質量(頻帶外的不必要輻射)為目的，介紹使用了片狀鐵氧體磁珠和片狀電感器的移動終端的PA電源線的噪聲對策方法。 以智能手機為首的移動無線終端的Power Amplifier (PA)中，為了抑制不必要的輻射(頻帶外的&雜散發射)，尋求改善PA的電源質量(PI: 電源完整性)的例子很多。在無線通信中，以國際標準(ITU)為首，3GPP(無線通信標準機構)，以及各運營商都對不必要的輻射的范圍值設定了嚴格的標準。因此，我們有必要通過PA的電源線的噪聲
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RF 噪聲
- 在正在舉行的“ISSCC 2016”(2016年1月31日～2月4日，美國舊金山)上，與積層CMOS圖像傳感器的3D(三維)化相關的發表接連不斷。在有9項演講的“SESSION6 Image Sensors”論壇上，有3項演講是與CMOS圖像傳感器的3D化有關的。以前業界就在做3D化嘗試，而此次的3項技術除了比原來具有更強的低成本和低功耗意識之外，還在3D化中輕松實現了“模塊化”。
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通過模塊化手段
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CMOS 傳感器
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