rf-cmos 文章 最新資訊
學(xué)習(xí)總結(jié)之電路是計(jì)算出來的
- 1、CS單管放大電路 共源級(jí)單管放大電路主要用于實(shí)現(xiàn)輸入小信號(hào)的線性放大,即獲得較高的電壓增益。在直流分析時(shí),根據(jù)輸入的直流柵電壓即可提供電路的靜態(tài)工作點(diǎn),而根據(jù)MOSFET的I-V特性曲線可知,MOSFET的靜態(tài)工作點(diǎn)具有較寬的動(dòng)態(tài)范圍,主要表現(xiàn)為MOS管在飽和區(qū)的VDS具有較寬的取值范圍,小信號(hào)放大時(shí)輸入的最小電壓為VIN-VTH,最大值約為VDD,假設(shè)其在飽和區(qū)可以完全表現(xiàn)線性特性,并且實(shí)現(xiàn)信號(hào)的最大限度放大【理想條件下】,則確定的靜態(tài)工作點(diǎn)約為VDS=(VIN-VTH+VDD)/2,但是
- 關(guān)鍵字: CMOS 電路
量化射頻(RF)干擾對(duì)線性電路的影響

- 典型的精密運(yùn)算放大(運(yùn)放)器可以有1MHz的增益帶寬積。從理論上講,用戶可能期望千兆赫水平的RF信號(hào)衰減到非常低的水平,因?yàn)樗鼈冞h(yuǎn)遠(yuǎn)超出了放大器的帶寬范圍。然而,實(shí)際情況并非如此。事實(shí)上,包含在放大器內(nèi)的靜電放電(ESD)二極管、輸入結(jié)構(gòu)和其它非線性元件會(huì)在放大器的輸入端對(duì)RF信號(hào)進(jìn)行“整流”。在實(shí)際意義上,RF信號(hào)被轉(zhuǎn)換成一種直流(DC)偏移電壓,這種DC偏移電壓添加了放大器輸入偏移電壓。 用戶也許會(huì)問:“對(duì)于由給定RF信號(hào)產(chǎn)生的DC偏移電壓,我如何確定其幅
- 關(guān)鍵字: 量化射頻 RF
CMOS傳感3D-IC產(chǎn)能拉升 晶圓級(jí)封裝設(shè)備需求增
- 微機(jī)電(MEMS)/奈米技術(shù)/半導(dǎo)體晶圓接合暨微影技術(shù)設(shè)備廠商EVGroup(EVG)今日宣布,該公司全自動(dòng)12吋(300mm)使用聚合物黏著劑的晶圓接合系統(tǒng)目前市場需求殷切,在過去12個(gè)月以來,EVG晶圓接合系列產(chǎn)品包含EVG560、GEMINI以及EVG850TB/DB等訂單量增加了一倍,主要來自于晶圓代工廠以及總部設(shè)置于亞洲的半導(dǎo)體封測(cè)廠(OSAT)多臺(tái)的訂單;大部份訂單需求的成長系受惠于先進(jìn)封裝應(yīng)用挹注,制造端正加速生產(chǎn)CMOS影像感測(cè)器及結(jié)合2.5D和3D-IC矽穿孔(TSV)互連技術(shù)的垂直
- 關(guān)鍵字: CMOS 3D-IC
如何實(shí)現(xiàn)軟件定義無線電動(dòng)態(tài)范圍的最大化

- 本文回顧了軟件定義無線電發(fā)展,介紹了擴(kuò)大軟件定義無線電的動(dòng)態(tài)范圍的電路元件、計(jì)算和仿真工具,并重點(diǎn)關(guān)注ADC的性能和頻率規(guī)劃。
- 關(guān)鍵字: 軟件定義無線電(SDR) 動(dòng)態(tài)范圍 信號(hào) RF 201509
ams在光電子領(lǐng)域推出More Than Silicon計(jì)劃
- 全球領(lǐng)先的高性能模擬IC和傳感器供應(yīng)商ams晶圓代工業(yè)務(wù)部今日宣布拓展其0.35µm CMOS光電子IC晶圓制造平臺(tái),幫助芯片設(shè)計(jì)者實(shí)現(xiàn)更高靈敏度、精確度以及更好的光濾波器性能。 該平臺(tái)是ams“More than Silicon”計(jì)劃中的另一項(xiàng)拓展,通過該平臺(tái)ams可以提供一系列技術(shù)模塊、知識(shí)產(chǎn)權(quán)、元件庫、工程咨詢及服務(wù),利用其專業(yè)技術(shù)幫助客戶順利開發(fā)先進(jìn)的模擬和混合信號(hào)電路。 ams專有的光電子晶圓代工平臺(tái)基于先進(jìn)的0.35µm CMOS
- 關(guān)鍵字: ams CMOS
全球CMOS芯片占比排名表 竟然沒有中國企業(yè)

- 日本調(diào)查公司Techno Systems Research Co. Ltd發(fā)布了CCM行業(yè)的研究報(bào)告,在該份報(bào)告中,全球CMOS芯片的市場占比和排名情況。 從上圖可以看出: Sony(索尼):2014年下半年占23%,2015年上半年占比為28%,銷量上升強(qiáng)勁,穩(wěn)居全球CMOS市場銷售之龍頭;近日,索尼公布第2季度圖像傳感器收入暴增61.7%,達(dá)1260億日元。索尼預(yù)計(jì)全年達(dá)到5800億日元,幾乎是第二名的3倍。索尼在CMOS市場上走強(qiáng),得益于它在高像素領(lǐng)域的技
- 關(guān)鍵字: 索尼 CMOS
ams收購恩智浦半導(dǎo)體公司CMOS傳感器業(yè)務(wù)
- 領(lǐng)先的高性能模擬IC和傳感器供應(yīng)商ams(艾邁斯)近日宣布收購恩智浦半導(dǎo)體公司CMOS傳感器業(yè)務(wù)。收購?fù)瓿珊螅髦瞧止酒煜孪冗M(jìn)的CMOS集成傳感器產(chǎn)品將全部納入ams旗下,有效拓展ams環(huán)境傳感器產(chǎn)品線。CMOS集成傳感器可在單一傳感器裝置內(nèi)同時(shí)測(cè)量相對(duì)濕度、壓力和溫度等多種環(huán)境參數(shù)。 ams市場營銷和策略執(zhí)行副總裁Thomas Riener表示:“環(huán)境傳感器可通過監(jiān)測(cè)氣味、壓力和溫度等信息模擬人體行為,提高人類對(duì)周邊環(huán)境的敏感度。通過使用電子設(shè)備獲取這些信息后,我們可以主動(dòng)高效地
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聯(lián)華電子TSV技術(shù)進(jìn)入量產(chǎn)階段,驅(qū)動(dòng)AMD Radeon R9 Fury X GPU絕佳效能
- 聯(lián)華電子今(20)日宣布,用于AMD旗艦級(jí)繪圖卡Radeon™ R9 Fury X的聯(lián)華電子硅穿孔 (TSV) 技術(shù),已經(jīng)進(jìn)入量產(chǎn)階段,此產(chǎn)品屬于AMD近期上市的Radeon™ R 300 繪圖卡系列。AMD Radeon™ R9 Fury X GPU採用了聯(lián)華電子TSV 製程以及晶粒堆疊技術(shù),在硅中介層上融合 連結(jié) AMD提供的HBM DRAM高頻寬記憶體及GPU,使其GPU能提供4096 位元的超強(qiáng)記憶體頻寬,及遠(yuǎn)超出現(xiàn)今GDDR5業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)達(dá)4倍的每瓦性能
- 關(guān)鍵字: 聯(lián)華電子 CMOS
三維圖像指紋傳感器問世 CMOS一觸即發(fā)
- 日前,加州大學(xué)戴維斯分校和加州大學(xué)伯克利分校的研究人員開發(fā)了一種基于MEMS和CMOS技術(shù)的超聲波指紋傳感器,可以獲取指紋的三維圖像,這將大大提升指紋識(shí)別的安全性。指紋傳感器越來越被廣泛的應(yīng)用在智能手機(jī)等設(shè)備方面。采用指紋進(jìn)行解鎖與支付等功能,比傳統(tǒng)的密碼在安全性上面有了極大的提高。之前的指紋識(shí)別是通過傳感器提取的二維圖像,可以通過打印指紋圖案來繞過指紋認(rèn)證。三維圖像的提取無疑將進(jìn)一步提高指紋識(shí)別的準(zhǔn)確率與安全性。 CMOS圖像傳感器在智能手機(jī)領(lǐng)域獨(dú)領(lǐng)風(fēng)騷 自蘋果發(fā)布iPhone5s后指紋
- 關(guān)鍵字: 索尼 CMOS
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