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10納米碳納米管CMOS器件面世
- 近日，在北京市科委先導(dǎo)與優(yōu)勢材料創(chuàng)新發(fā)展專項支持下，北京大學(xué)彭練矛教授團隊在世界上首次研制出10納米碳納米管互補金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)器件。與同尺寸硅基器件相比，該器件速度是其5倍，而功耗僅為1/5。該團隊還在世界上首次成功制備出含有100個晶體管的碳納米管集成電路。 下一步，該團隊將繼續(xù)優(yōu)化碳納米管CMOS器件制備工藝，建立標準的碳基CMOS器件技術(shù)加工平臺，并基于該平臺開發(fā)碳納米管CPU，最終推動碳基集成電路在下一代通用芯片和消費電子等領(lǐng)域的應(yīng)用。
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RF電路與天線的EMC研究
- 當(dāng)射頻電路一切都按預(yù)先設(shè)定的方案設(shè)計完成之后，其性能不一定就會完全達標，其中會導(dǎo)致射頻性能不達標的一個重要因素有可能就是電磁干擾，而電磁干擾并不一定是因為射頻范疇內(nèi)電路布局、布線不合理造成，亦可能是因為其它方方面面的原因。大多數(shù)情況導(dǎo)致干擾出現(xiàn)都是當(dāng)和其它電路，如數(shù)字電路部分、電源電路部分等組合后才產(chǎn)生的。 處理干擾問題是做設(shè)計工作必須的、更是射頻設(shè)計、預(yù)研工作重點之一。在此簡單談?wù)勎覀儗ι漕l方面電磁干擾的理解與認識。 電磁干擾(EMI)在電子系統(tǒng)與設(shè)備中無處不在，在射頻領(lǐng)域表現(xiàn)卻特別突出
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AT89S52的機載電氣盒測試儀的設(shè)計
- 1 引言 AT89S52是一種低功耗、高性能CMOS8位微控制器，具有8K 在系統(tǒng)可編程Flash 存儲器。AT89S52使用Atmel 公司高密度非易失性存儲器技術(shù)制造，與工業(yè)80C51 產(chǎn)品指令和引腳完全兼容。片上flash允許程序存儲器在系統(tǒng)可編程，亦適于常規(guī)編程器。在單芯片上，AT89S52擁有靈巧的8 位CPU 和在系統(tǒng)可編程Flash，使得AT89S52為眾多嵌入式控制應(yīng)用系統(tǒng)提供高靈活、超有效的解決方案。AT89S52具有以下標準功能： 8k字節(jié)Flash，256字節(jié)RAM，32
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基于AT89C51單片機技術(shù)詳解、設(shè)計技巧、應(yīng)用案例大全
- AT89C51是一種帶4K字節(jié)FLASH存儲器(FPEROM—Flash Programmable and Erasable Read Only Memory)的低電壓、高性能CMOS 8位微處理器，俗稱單片機。本文為您介紹基于AT89C51單片機技術(shù)詳解、設(shè)計技巧、應(yīng)用案例大全，僅供參考。 基于AT89C51的操控鍵盤的設(shè)計 本文以PC機通用鍵盤為例，闡述研制小型一體化專用鍵盤的方法。 采用小型一體化專用鍵盤不但可完成按鍵的功能，而且要求根據(jù)儀器外形進行一體化優(yōu)化設(shè)計，使產(chǎn)品
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千兆采樣ADC確保直接RF變頻
- 隨著模數(shù)轉(zhuǎn)換器(ADC)的設(shè)計與架構(gòu)繼續(xù)采用尺寸更小的過程節(jié)點，一種新的千兆赫ADC產(chǎn)品應(yīng)運而生。能以千兆赫速率或更高速率進行直接RF采樣且不產(chǎn)生交織偽像的ADC為通信系統(tǒng)、儀器儀表和雷達應(yīng)用的直接RF數(shù)字化帶來了全新的系統(tǒng)解決方案。 最先進的寬帶ADC技術(shù)可以實現(xiàn)直接RF采樣。就在不久前，唯一可運行在GSPS (Gsample/s)下的單芯片ADC架構(gòu)是分辨率為6位或8位的Flash轉(zhuǎn)換器。這些器件能耗極高，且通常無法提供超過7位的有效位數(shù)(ENOB)，這是由于Flash架構(gòu)的幾何尺寸與功耗限
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為工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)正確選擇無線網(wǎng)格網(wǎng)絡(luò)協(xié)議以實現(xiàn)新應(yīng)用
- 無線網(wǎng)格網(wǎng)絡(luò)得到了越來越廣泛的采用，因為這類網(wǎng)絡(luò)能夠利用功率相對低的無線電設(shè)備在節(jié)點之間轉(zhuǎn)發(fā)信息，并覆蓋很大的區(qū)域，還能夠使用替代的通路和途徑以克服干擾問題，保持很高的可靠性。尤其是有一種稱為時間同步通道跳頻 (TSCH) 的網(wǎng)格網(wǎng)絡(luò)技術(shù)，該技術(shù)由凌力爾特的 Dust Networks 率先提出，并已納入 WirelessHART 工業(yè)標準。TSCH 經(jīng)過實用驗證，可提供工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)所需性能。TSCH 網(wǎng)絡(luò)一般提供 >99.999% 的數(shù)據(jù)可靠性，而且所有無線節(jié)點 (甚至路由節(jié)點) 的小型鋰電池之
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elmos慕尼黑電子展：秀我不同
- 說起Elmos，也許我們更了解它的競爭者英飛凌(Infineon)、美信半導(dǎo)體(Maxim)，因為相比之下，Elmos進入中國的時間并不長。但是，我們卻早已開始使用Elmos的產(chǎn)品了：Elmos的超聲波、被動紅外以及馬達控制器芯片在全球的出貨量很大，僅超聲波倒車雷達芯片全球出貨量就高達5000萬片。此次慕尼黑展商，Elmos展示的主要產(chǎn)品是停泊車系統(tǒng)傳感器和馬達控制器。Elmos亞洲區(qū)副總裁Ludger Kruecke Elmos亞洲區(qū)副總裁Ludger Kruecke介紹了此次展示的重點產(chǎn)品與應(yīng)用
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Sony CMOS轉(zhuǎn)攻中低階市場、挑戰(zhàn)50%市占
- 看準中國、印度等新興國家中低階智慧手機需求持續(xù)擴大，Sony據(jù)悉已研發(fā)出廉價版CMOS影像感測器產(chǎn)品、瞄準中低階市場，期望借此于2015年將CMOS影像感測器全球市占率提高至50%以上水準。 日經(jīng)新聞13日報導(dǎo)，Sony已研發(fā)出擁有高畫質(zhì)影像(1,300萬及800萬畫素 )、惟降低自動對焦(AF)速度或省略HDR功能的廉價版CMOS感測器產(chǎn)品，目標為搶攻新興國家中低階智慧手機市場。 據(jù)報導(dǎo)，Sony該廉價版CMOS感測器產(chǎn)品售價雖不明，惟預(yù)估主要將提供給中國1,000元人民幣或700元人民
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索尼蟬聯(lián)CMOS影像傳感器龍頭 豪威跌至第三
- CMOS影像傳感器大餅誘人，吸引Sony(索尼)、三星等大廠積極卡位。據(jù)市調(diào)機構(gòu)Yole Developpement統(tǒng)計，Sony(索尼)去年在CMOS市場搶取豪奪，共拿下27%的市占率，繼續(xù)傲視群雄。 三星也不惶多讓，奮力搶下19%的份額，排名超越豪威科技(OmniVision Technologies)成為第二。據(jù)EETimes報導(dǎo)，CMOS前三大廠兩年前差距還只在3個百分點之間，但來到2014年，Sony(索尼)領(lǐng)先豪威已逾10%。 另外，CMOS市場還有集中化趨勢，前三大廠2014年合計
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美國類腦芯片發(fā)展歷程
- 摘要：美國為保持技術(shù)優(yōu)勢，率先發(fā)起類腦計算芯片的相關(guān)研究工作，通過模仿人腦工作原理，使用神經(jīng)元和突觸的方式替代傳統(tǒng)馮諾依曼架構(gòu)體系，使芯片能夠進行異步、并行、低速和分布式處理信息數(shù)據(jù)，并具備自主感知、識別和學(xué)習(xí)的能力。 在當(dāng)今大數(shù)據(jù)時代，由于現(xiàn)有計算機硬件和架構(gòu)限制，已無法滿足更大規(guī)模數(shù)據(jù)的處理需求，世界各國開始著手尋找解決方案，并把目光轉(zhuǎn)向能夠以復(fù)雜方式處理大量信息的人腦神經(jīng)系統(tǒng)，而且因為神經(jīng)系統(tǒng)在時間和空間上實現(xiàn)了硬件資源的稀疏利用功耗極低，其能量效率是傳統(tǒng)計算機的100萬倍到10億倍。為此
- 關(guān)鍵字： 類腦芯片 IBM CMOS 201504
SK海力士集中與選擇策略 聚焦三大領(lǐng)域
- SK海力士(SK Hynix)決定采取選擇與集中策略，聚焦于20納米(nm)微細制程DRAM、三階儲存單元(Triple-Level Cell;TLC)的NAND Flash技術(shù)，以及固態(tài)硬碟(SSD)等優(yōu)勢領(lǐng)域。較弱勢的系統(tǒng)芯片方面，將集中發(fā)展CMOS影像感測器(CMOS Image Sensor;CIS)。 據(jù)ET News報導(dǎo)，日前SK海力士社長樸星昱在創(chuàng)下史上最高業(yè)績紀錄之際，反而在組織內(nèi)部強調(diào)危機意識，透過員工電子郵件與公司內(nèi)部電視等管道，不斷提醒現(xiàn)在不是放心的時刻，應(yīng)透過強化根本競爭
- 關(guān)鍵字： SK海力士 CMOS
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