rf-cmos 文章 進(jìn)入rf-cmos技術(shù)社區(qū)
汽車圖像傳感器在提高行車安全和駕乘體驗(yàn)方面的應(yīng)用

- 近年來,在政府對(duì) 汽車安全法令的貫徹和實(shí)施、消費(fèi)者 駕乘體驗(yàn)及自動(dòng)駕駛的趨勢(shì)推動(dòng)下,汽車 圖像傳感器領(lǐng)域呈爆發(fā)式增長(zhǎng)。汽車圖像傳感有著廣泛的應(yīng)用領(lǐng)域,具有卓越性能和先進(jìn)的圖像處理能力的圖像傳感器在提高 行車安全的同時(shí)還提升用戶駕乘體驗(yàn),成為近年來汽車領(lǐng)域的炙手可熱的技術(shù)。預(yù)測(cè)顯示,2014-2018年間汽車CMOS 傳感器市場(chǎng)的收入年復(fù)合增長(zhǎng)率(CAGR)將達(dá)到28%。 汽車圖像傳感器主要應(yīng)用領(lǐng)域 汽車圖像傳感器的應(yīng)用非常廣泛,包括用于視覺應(yīng)用如倒車影像、前視、后視、俯視、全景泊車影像、車
- 關(guān)鍵字: 圖像傳感器 CMOS
如何為有源天線陣系統(tǒng)選擇高效節(jié)能的窄帶接收機(jī)

- 我在之前的博文中論述了無線電頻率(RF)取樣結(jié)構(gòu)對(duì)寬帶系統(tǒng)的優(yōu)勢(shì),但有些系統(tǒng)的運(yùn)行需要中等帶寬,或有其它重點(diǎn)考慮的因素。有源天線陣使用多個(gè)專用于產(chǎn)生比單個(gè)元件更集中的輻射模式天線。這種集中的模式可將天線增益增加到預(yù)定目標(biāo)或用戶,并可同時(shí)對(duì)波束圖型以外區(qū)域提供干擾抑制,從而無需過多信號(hào)帶寬。 雷達(dá)陣列就是一種用于精確定位空間目標(biāo)的有源天線系統(tǒng)。圖1中所示的簡(jiǎn)單的3×3陣列系統(tǒng)能夠?qū)б齼蓚€(gè)維度的波束來追蹤目標(biāo)。 ? 圖 1:3×3雷達(dá)天線陣列
- 關(guān)鍵字: TI RF
索尼仍是CMOS感光元件市場(chǎng)絕對(duì)領(lǐng)導(dǎo)者
- 對(duì)于消費(fèi)者而言,智能手機(jī)的拍照能力依然是決定購(gòu)買的重要因素之一,這也使得手機(jī)攝像頭元件制作成為目前一個(gè)重要且快速增長(zhǎng)的產(chǎn)業(yè)。在未來5年里,CMOS感光元件產(chǎn)業(yè)的價(jià)值將達(dá)到190億美元。而就目前而言,索尼依然是CMOS感光元件市場(chǎng)的絕對(duì)領(lǐng)導(dǎo)者。 根據(jù)調(diào)查統(tǒng)計(jì),CMOS感光元件市場(chǎng)在2015年總市值達(dá)到67億美元,而單單索尼就控制著其中35%的市場(chǎng)份額(36億美元)。而其余的競(jìng)爭(zhēng)者都無法撼動(dòng)索尼的地位,不管是三星(19%)、OmniVision、On Semiconductor、佳能、東芝還是松下。
- 關(guān)鍵字: 索尼 CMOS
MRAM在28nm CMOS制程處于領(lǐng)先位置
- 在28nm晶片制程節(jié)點(diǎn)的嵌入式非揮發(fā)性記憶體競(jìng)賽上,自旋力矩轉(zhuǎn)移磁阻式隨機(jī)存取記憶體(STT-MRAM)正居于領(lǐng)先的位置。 比利時(shí)研究機(jī)構(gòu)IMEC記憶體部門總監(jiān)Arnaud Furnemont指出,雖然電阻式隨機(jī)存取記憶體(ReRAM)和相變記憶體(PCM)等其他類型的記憶器也都有其支持者,但這些記憶體都存在著微縮的問題,而難以因應(yīng)28nm CMOS制程的要求。 28nm平面CMOS節(jié)點(diǎn)可望具有更長(zhǎng)的壽命,以因應(yīng)更多的“超越摩爾定律”(More-than-Moore
- 關(guān)鍵字: MRAM CMOS
Sony暗示iPhone相機(jī)模組被LG搶單?坦承錯(cuò)估CMOS需求
- Sony 24日盤后公布了因熊本強(qiáng)震影響而一度擱置的今年度(2016年度、2016年4月-2017年3月)財(cái)測(cè),而熊本強(qiáng)震雖對(duì)Sony營(yíng)益帶來1,150億日?qǐng)A的影響,不過Sony仍預(yù)估今年度營(yíng)益有望呈現(xiàn)增長(zhǎng),也帶動(dòng)Sony 25日股價(jià)大漲。 根據(jù)嘉實(shí)XQ全球贏家系統(tǒng)報(bào)價(jià),截至臺(tái)北時(shí)間25日上午8點(diǎn)18分為止,Sony飆漲5.47%至3,044日?qǐng)A,稍早最高漲至3,058日?qǐng)A、創(chuàng)4月21日以來新高水準(zhǔn)。 不過全球智能手機(jī)成長(zhǎng)減速,也對(duì)Sony核心事業(yè)之一的元件事業(yè)帶來沖擊,Sony也坦承嚴(yán)重錯(cuò)估了使
- 關(guān)鍵字: Sony CMOS
RF-SOI技術(shù):加強(qiáng)5G網(wǎng)絡(luò)和智能物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用

- 今天的智能手機(jī)和平板電腦內(nèi)均裝有射頻(RF)前端模塊(FEM),一般包括功率放大器(PA)、開關(guān)、可調(diào)諧電容器和過濾器。射頻絕緣體上硅(RF SOI)等技術(shù)可支持移動(dòng)設(shè)備調(diào)整和獲取蜂窩信號(hào)——在更廣泛的區(qū)域?yàn)闊o線設(shè)備提供持續(xù)強(qiáng)勁且清晰的網(wǎng)絡(luò)連接。 移動(dòng)市場(chǎng)對(duì)RF SOI的追捧持續(xù)升溫,因?yàn)樗愿咝詢r(jià)比實(shí)現(xiàn)了低插入損耗,在廣泛的頻段內(nèi)實(shí)現(xiàn)低諧波和高線性度。RF SOI是一個(gè)雙贏的技術(shù)選擇,能夠提高智能手機(jī)和平板電腦的性能和數(shù)據(jù)傳輸速度,同時(shí)有望在物聯(lián)網(wǎng)中發(fā)揮關(guān)鍵作用。
- 關(guān)鍵字: RF-SOI 5G
祖父時(shí)代的ADC已成往事:RF采樣ADC給系統(tǒng)設(shè)計(jì)帶來諸多好處

- 數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器充當(dāng)現(xiàn)實(shí)模擬世界與數(shù)字世界之間的橋梁已有數(shù)十年的歷史。從占用多個(gè)機(jī)架空間并消耗大量電能(例如DATRAC 11位50kSPS真空管ADC的功耗為500W)的分立元件起步,數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器現(xiàn)已蛻變?yōu)楦叨燃傻膯涡酒琁C。從第一款商用數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器誕生以來,對(duì)更快數(shù)據(jù)速率的無止境需求驅(qū)動(dòng)著數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器不斷向前發(fā)展。ADC的最新化身是采樣速率達(dá)到GHz的RF采樣ADC。 早先的ADC設(shè)計(jì)使用的數(shù)字電路非常少,主要用于糾錯(cuò)和數(shù)字驅(qū)動(dòng)器。新一代GSPS(每秒千兆樣本)轉(zhuǎn)換器(也稱為RF采樣ADC)利用
- 關(guān)鍵字: ADC RF
CCD與CMOS技術(shù),我們居然還有這么多不知道
- 在工業(yè)應(yīng)用中成像系統(tǒng)的廣泛采用持續(xù)擴(kuò)展,不僅由新的影像感測(cè)器技術(shù)和產(chǎn)品的開發(fā)所推動(dòng),還由支援平臺(tái)的進(jìn)步所推動(dòng),如電腦功率和高速數(shù)據(jù)介面。今天,成像系統(tǒng)的使用在各種領(lǐng)域很常見,如配線檢查、交通監(jiān)測(cè)/執(zhí)法、監(jiān)控和醫(yī)療及科學(xué)成像,由于影像感測(cè)器技術(shù)的進(jìn)步,使成像性能、讀取速度和解析度提高。隨著影像感測(cè)器現(xiàn)在采用電荷耦合元件(CCD)和互補(bǔ)式金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)技術(shù)設(shè)計(jì),審視這兩大平臺(tái)對(duì)于選擇最適合特定應(yīng)用的影像感測(cè)器很有幫助。 電子成像技術(shù)的發(fā)展始于上世紀(jì)60年代,諾貝爾獎(jiǎng)得主Boyle和Smit
- 關(guān)鍵字: CCD CMOS
如何提高抗干擾能力和電磁兼容性
- 在研制帶處理器的電子產(chǎn)品時(shí),如何提高抗干擾能力和電磁兼容性?文章為大家總結(jié)了一些方法。 一、下面的一些系統(tǒng)要特別注意抗電磁干擾: 1、微控制器時(shí)鐘頻率特別高,總線周期特別快的系統(tǒng)。 2、系統(tǒng)含有大功率,大電流驅(qū)動(dòng)電路,如產(chǎn)生火花的繼電器,大電流開關(guān)等。 3、含微弱模擬信號(hào)電路以及高精度A/D變換電路的系統(tǒng)。 二、為增加系統(tǒng)的抗電磁干擾能力采取如下措施: 1、選用頻率低的微控制器: 選用外時(shí)鐘頻率低的微控制器可以有效降低噪聲和提高系統(tǒng)的抗干擾能力。同樣頻率的方波和正弦波,方波中的高頻成份比
- 關(guān)鍵字: 電磁兼容 CMOS
如何計(jì)算2.4GHz頻段模塊的路徑損耗

- 2.4GHz頻段現(xiàn)已成為家庭、辦公室和工廠短距離無線應(yīng)用的普遍選擇。通常,2.4GHz信道隸屬于免許可的工業(yè)、科學(xué)和醫(yī)學(xué)(ISM)頻 段。ZigBee(IEEE 802.15.4)、Bluetooth(IEEE 802.15.1)、Wi-Fi(IEEE 802.11 b/g/n)、無線通用串行總線(WUSB)和私有協(xié)議(如MiWi)等許多協(xié)議以及部分無繩電話均采用此頻段。然而,在2.4GHz ISM頻段運(yùn)行的不同協(xié)議會(huì)相互干擾。 因此,評(píng)估
- 關(guān)鍵字: 2.4GHz RF
傳中國(guó)買主對(duì)恩智浦標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品業(yè)務(wù)興趣濃厚
- 根據(jù)彭博新聞(Bloomberg)的消息,中國(guó)廠商對(duì)于收購(gòu)恩智浦半導(dǎo)體(NXP Semiconductors)的標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品業(yè)務(wù)興趣濃厚;該報(bào)導(dǎo)引述匿名消息來源指出,恩智浦可能會(huì)開價(jià)至少20億美元出售標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品業(yè)務(wù),而有興趣的買家包括投資業(yè)者北京建廣資本(JAC Capital)在內(nèi)。 恩智浦的標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品(standard products)業(yè)務(wù)負(fù)責(zé)生產(chǎn)離散元件如二極體、電晶體、MOSFET、ESD保護(hù)元件以及標(biāo)準(zhǔn)邏輯晶片,該業(yè)務(wù)部門營(yíng)收占據(jù)該公司整體營(yíng)收約20%。而中國(guó)近年來致力于扶植本土半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè),
- 關(guān)鍵字: 恩智浦 RF
模擬IC與數(shù)字IC異同
- 處理連續(xù)性的光、聲音、速度、溫度等自然模擬信號(hào)的IC被稱為模擬IC。模擬IC處理的這些信號(hào)都具有連續(xù)性,可以轉(zhuǎn)換為正弦波研究。而數(shù)字IC處理的是非連續(xù)性信號(hào),都是脈沖方波。 模擬IC按技術(shù)類型來分有只處理模擬信號(hào)的線性IC和同時(shí)處理模擬與數(shù)字信號(hào)的混合IC。模擬IC按應(yīng)用來分可分為標(biāo)準(zhǔn)型模擬IC和特殊應(yīng)用型模擬 IC。標(biāo)準(zhǔn)型模擬IC包括放大器(Amplifier)、電壓調(diào)節(jié)與參考對(duì)比(VoltageRegulator/Reference)、信號(hào)界面(Interface)、數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換(Data
- 關(guān)鍵字: 模擬IC CMOS
CMOS和TTL集成門電路多余輸入端處理方法
- 本篇文章介紹了在邏輯IC中CMOS和TTL出現(xiàn)多余輸入端的解決方法,并且對(duì)每種情況進(jìn)行了較為詳細(xì)的說明,希望大家能從本文得到有用的知識(shí),解決輸入端多余的問題。 CMOS門電路 CMOS門電路一般是由MOS管構(gòu)成,由于MOS管的柵極和其它各極間有絕緣層相隔,在直流狀態(tài)下,柵極無電流,所以靜態(tài)時(shí)柵極不取電流,輸入電平與外接電阻無關(guān)。由于MOS管在電路中是一壓控元件,基于這一特點(diǎn),輸入端信號(hào)易受外界干擾,所以在使用CMOS門電路時(shí)輸入端特別注意不能懸空。在使用時(shí)應(yīng)采用以下方法: 與門和與非門電路 由
- 關(guān)鍵字: CMOS TTL
干貨分享:工程師教你如何設(shè)計(jì)D類放大器

- D類放大器首次提出于1958年,近些年已逐漸流行起來。那么,什么是D類放大器?它們與其它類型的放大器相比如何? 為什么D類放大器對(duì)于音頻應(yīng)用很有意義?設(shè)計(jì)一個(gè)“優(yōu)質(zhì)”D類音頻放大器需要考慮哪些因素? 本文中試圖回答上述所有問題。 音頻放大器背景 音頻放大器的目的是以要求的音量和功率水平在發(fā)聲輸出元件上重新產(chǎn)生真實(shí)、高效和低失真的輸入音頻信號(hào)。音頻頻率范圍約為20 Hz~20 kHz,因此放大器必須在此頻率范圍內(nèi)具有良好的頻率響應(yīng)(當(dāng)驅(qū)動(dòng)頻帶有限的揚(yáng)聲器時(shí)頻率
- 關(guān)鍵字: D類放大器 CMOS
rf-cmos介紹
您好,目前還沒有人創(chuàng)建詞條rf-cmos!
歡迎您創(chuàng)建該詞條,闡述對(duì)rf-cmos的理解,并與今后在此搜索rf-cmos的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
歡迎您創(chuàng)建該詞條,闡述對(duì)rf-cmos的理解,并與今后在此搜索rf-cmos的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
關(guān)于我們 -
廣告服務(wù) -
企業(yè)會(huì)員服務(wù) -
網(wǎng)站地圖 -
聯(lián)系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機(jī)EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國(guó)際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號(hào)-2 北京市公安局備案:1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國(guó)際技術(shù)信息咨詢有限公司
