- 8月19日消息,今日,晶合集成宣布與思特威聯合推出業內首顆1.8億像素全畫幅(2.77英寸)CMOS圖像傳感器(以下簡稱CIS),為高端單反相機應用圖像傳感器提供更多選擇。據了解,晶合集成基于自主研發的55納米工藝平臺,與思特威共同開發光刻拼接技術,克服了在像素列中拼接精度管控以及良率提升等困難,成功突破了在單個芯片尺寸上,所能覆蓋一個常規光罩的極限。同時確保在納米級的制造工藝中,拼接后的芯片依然保證電學性能和光學性能的連貫一致。晶合集成表示,首顆1.8億像素全畫幅CIS的成功試產,既標志著光刻拼接技術在
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CMOS 晶合 圖像傳感器 索尼
- 8 月 19 日消息,晶合集成今日官宣,該公司與思特威聯合推出業內首顆 1.8 億像素全畫幅(2.77 英寸)CIS(CMOS 圖像傳感器),為高端單反相機應用圖像傳感器提供更多選擇。▲ 產品圖,圖源晶合集成,下同據介紹,為滿足 8K 高清化的產業要求,高性能 CIS 的需求與日俱增。晶合集成基于自主研發的 55 納米工藝平臺,攜手思特威共同開發光刻拼接技術,克服了在像素列中拼接精度管控以及良率提升等困難,成功突破了在單個芯片尺寸上,所能覆蓋一個常規光罩的極限,同時確保在納米級的制造工藝中,拼接后的芯片依
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CMOS 圖像傳感器 CIS
- 在采樣速率和可用帶寬方面,當今的射頻模數轉換器(RF ADC)已有長足的發展,其中還納入了大量數字處理功能,電源方面的復雜性也有提高。那么,RF ADC為什么有如此多不同的電源軌和電源域?為了解電源域和電源的增長情況,我們需要追溯ADC的歷史脈絡。早期ADC采樣速度很慢,大約在數十MHz內,而數字內容很少,幾乎不存在。電路的數字部分主要涉及如何將數據傳輸到數字接收邏輯——專用集成電路 (ASIC) 或現場可編程門陣列 (FPGA)。用于制造這些電路的工藝節點幾何尺寸較大,約在180 nm或更大。使用單電壓
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ADI RF ADC
- 近期,Guerrilla RF宣布收購了Gallium Semiconductor的GaN功率放大器和前端模塊產品組合。Guerrilla RF表示,通過此次收購,公司獲得了Gallium Semiconductor 所有現有的元件、正在開發的新內核以及相關知識產權(IP)。公司將為無線基礎設施、軍事和衛星通信應用開發新的GaN器件產品線并實現商業化。Guerrilla RF官方經銷商Telcom International的一位員工表示,公司計劃向韓國市場供應Guerrilla RF的射頻晶體管,并將其
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Guerrilla RF Gallium GaN
- 為特定CMOS工藝節點設計的SPICE模型可以增強集成電路晶體管的模擬。了解在哪里可以找到這些模型以及如何使用它們。我最近寫了一系列關于CMOS反相器功耗的文章。該系列中的模擬采用了LTspice庫中預加載的nmos4和pmos4模型。雖然這種方法完全適合這些文章,但如果我們的主要目標是準確模擬集成電路MOSFET的電學行為,那么結合一些外部SPICE模型是有意義的。在本文中,我將介紹下載用于IC設計的高級SPICE模型并在LTspice原理圖中使用它們的過程。然后,我們將使用下載的模型對NMOS晶體管進
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CMOS,MOSFET 晶體管,Spice模型
- 6月14日,純化合物半導體代工廠穩懋半導體(WIN Semiconductors Corp)宣布,公司擴大了其RF
GaN技術組合,推出了基于碳化硅(SiC)的毫米波氮化鎵(GaN)技術測試版NP12-0B平臺。目前,NP12-0B鑒定測試已經完成,最終建模/PDK生成預計將于2024年8月完成,并計劃于2024年第三季度末發布完整的生產版本。據穩懋半導體介紹,該平臺的核心是0.12μm柵極RF GaN
HEMT技術,該技術結合了多項改進,以增強直流和射頻的耐用性,并增加芯片級防潮性。NP12-0
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純化合物 半導體 RF GaN
- 當CMOS反相器切換邏輯狀態時,由于其充電和放電電流而消耗功率。了解如何在LTspice中模擬這些電流。本系列的第一篇文章解釋了CMOS反相器中兩大類功耗:動態,當反相器從一種邏輯狀態變為另一種時發生。靜態,由穩態運行期間流動的泄漏電流引起。我們不再進一步討論靜態功耗。相反,本文和下一篇文章將介紹SPICE仿真,以幫助您更徹底地了解逆變器的不同類型的動態功耗。本文關注的是開關功率——當輸出電壓變化時,由于電容充電和放電而消耗的功率。LTspice逆變器的實現圖1顯示了我們將要使用的基本LTspice逆變器
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- 本文解釋了CMOS反相器電路中的動態和靜態功耗。為集成電路提供基本功能的CMOS反相器的發展是技術史上的一個轉折點。這種邏輯電路突出了使CMOS特別適合高密度、高性能數字系統的電氣特性。CMOS的一個優點是它的效率。CMOS邏輯只有在改變狀態時才需要電流——簡單地保持邏輯高或邏輯低電壓的CMOS電路消耗的功率非常小。一般來說,低功耗是一個理想的功能,當你試圖將盡可能多的晶體管功能封裝在一個小空間中時,這尤其有益。正如計算機CPU愛好者提醒我們的那樣,充分去除集成電路中的熱量可能很困難。如果沒有CMOS反相
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CMOS,反相器,功耗
- Teledyne Technologies[紐交所代碼:TDY]旗下公司、全球成像解決方案創新者Teledyne e2v宣布擴展其Flash? CMOS圖像傳感器系列,推出Flash 2K LSA,該產品專門適用于需要使用大沙姆角(LSA)的激光輪廓應用。Teledyne
e2v的Flash系列CMOS圖像傳感器專為三維激光輪廓/位移應用和高速/高分辨率檢測量身定制。Flash 2K LSA是Flash
2K傳感器的衍生產品,適用于需要大沙伊姆弗勒角度的應用,其角度響應在30°角度下為四倍以上,在
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CMOS 圖像傳感器 Flash
- 問題引入在工作中,會遇到OC門與OD門的稱謂。而感性的認識一般為:OD門是采用MOS管搭建的電路,壓(電壓)控元器件。OC門是采用晶體管搭建的電路,流(電流)控元器件。而OD門的功率損耗一般是小于OC門,為什么?電平TTL電平:輸出電平:高電平Uoh >=2.4v 低電平Uol <= 0.4v輸入電平:高電平Uih >= 2.0v 低電平 Uil <= 0.8vCMOS電平:輸出電平:高電平Uoh ≈ VCC Uol ≈ GND輸入電平:高電平Uih >= 0.7*VCC U
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TTL電路 CMOS
- 用機器視覺代替人眼來判別顏色之間的差異,實現在線檢測,大大提高了檢測效率,同時對產品進行全檢,檢測結果更為客觀、更準確。無論是分撿水果和蔬菜還是檢查運動鞋,在保證可靠性的前提下高速捕獲準確的色彩和豐富的細節都要求相機具備某些特征。那么,相機廠商該如何應對這些需求提出的挑戰呢?Blackfly S和Oryx將新的CMOS傳感器及高級色彩算法完美結合,并具備:色彩校正矩陣,用于實現在任一照明條件下的精確色彩再現;高質量圖像,卓越的靈敏度和動態范圍,能夠較大限度提升圖像對比度;靈活多變的自定義觸發設置,準確觸發
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傳感器 色彩 CMOS
- 在低頻下工作的普通電路與針對RF頻率設計的電路之間的關鍵區別在于它們的電氣尺寸。RF設計可采用多種波長的尺寸,導致電壓和電流的大小和相位隨元件的物理尺寸而變化。這為RF電路的設計和分析提供了一些基礎的核心原理特性。基本概念和術語假設以任意負載端接傳輸線路(例如同軸電纜或微帶線),并定義波量a和b,如圖1所示。圖1.以單端口負載端接匹配信號源的傳輸線路。這些波量是入射到該負載并從該負載反射的電壓波的復振幅。我們現在可以使用這些量來定義電壓反射系數Γ,它描述了反射波的復振幅與入射波復振幅的比值:反射系數也可以
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ADI RF 波反射
- 羅德與施瓦茨與索尼半導體以色列(Sony)合作,達成了3GPP Rel. 17 NTN NB-IoT RF性能驗證的行業首次里程碑。他們還成功驗證了基于PCT的測試用例。兩項工作都有助于NTN NB-IoT技術的市場就緒。在2024年巴塞羅那世界移動通信大會上,羅德與施瓦茨將在其展臺上展示與Sony的Altair NTN Release 17 IoT設備一起進行NTN NB-IoT測試的實時演示。與Sony的合作中,羅德與施瓦茨成功驗證了Sony的Altair設備的NTN NB-IoT功能。使用羅德與施瓦
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羅德與施瓦茨 索尼 3GPP Rel. 17 NB-IoT RF
- 用機器視覺代替人眼來判別顏色之間的差異,實現在線檢測,大大提高了檢測效率,同時對產品進行全檢,檢測結果更為客觀、更準確。問:無論是分撿水果和蔬菜還是檢查運動鞋,在保證可靠性的前提下高速捕獲準確的色彩和豐富的細節都要求相機具備某些特征。那么,相機廠商該如何應對這些需求提出的挑戰呢?答:Blackfly S和Oryx將新的CMOS傳感器及高級色彩算法完美結合,并具備:? 色彩校正矩陣,用于實現在任一照明條件下的精確色彩再現? 高質量圖像,卓越的靈敏度和動態范圍,能夠較大限度提升圖像對比度?
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- 受到威脅的不是摩爾定律本身,而是它所代表的促進經濟增長、科學進步和可持續創新的能力。
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